一种用于输送化学溶液到外部设备的装置。该装置包括：用于制备悬浮液的备料罐；循环管，其连接到备料罐上以循环悬浮液；输送管，其连接在备料罐与外部设备之间，以向外部设备输送悬浮液；泵，其将备料罐中的化学溶液传送到循环管和输送管中；浓度检测器，...

在芯片５０Ａ中，被布置的宏电路单元２０Ａ不包括虚拟电源线和高阈值电压的泄漏电流抑制ＭＯＳ晶体管和高阈值电压的泄漏电流抑制ＭＯＳ晶体管单元５１。晶体管单元５１具有一条与该单元的纵方向重合的门线５１Ｇ，它沿着宏电路单元２０Ａ的矩形单元框架的...

一个第一开关根据一个控制信号进行工作，并接收一个输入信号。一个电压转换电路，用以将具有一个电压并且经由第一开关传送的输入信号转换为一个具有不同电压的输出信号，并输出该信号。一个第二开关将其中一个输出节点连接到被提供一个电压的一根电压线，...

一种半导体器件，其中包括：半导体芯片；连接到半导体芯片的信号电极的信号引线；与信号引线电连接的外部信号电极；沿着信号引线延伸的接地引线；以及密封半导体芯片、信号引线、外部信号电极和接地引线的密封树脂。该外部信号电极被形成为从密封树脂的下...

在氧化硅膜上形成光刻胶图案。该光刻胶图案为这样的形状，以仅仅暴露需要使相邻位线之间电绝缘的部分。换句话说，在此这些部分是形成有位线的接触孔的连接孔形成区以及形成有字线的接触孔的连接孔形成区。使用该光刻胶图案作为掩膜，通过氧化硅膜的完全各...

当注入质量较大的砷离子（Ａｓ＃＋［＋］）时，多晶硅膜被第五光刻胶掩膜所覆盖，从而覆盖在多晶硅膜上的光刻胶掩膜的一端，以形成ＰＭＯＳ形成区。通过该处理，不形成硅化物的区域被设置为不与ｐｎ结相重叠，以防止不形成硅化物的区域的电阻增加。

一种半导体器件，其中包括： 第二绝缘膜，其形成在第一布线的表面与第二绝缘膜的表面相连续的一个基本上平整表面上，以覆盖第一布线； 在第二绝缘膜中形成第一布线沟槽； 在第二绝缘膜中形成的连接孔，以从该布线沟槽延伸到该第一布...

一种磁阻元件，其通过在磁阻效应膜的厚度方向上给出读出电流而检测磁阻的改变量，该磁阻效应膜包括至少一个底层、一个自由层、一个非磁性层、一个被固定层、一个固定层和一个保护层，该磁阻元件包括粒状结构层，其中包括导电颗粒和包含分散状态的导电颗粒...

一种接触器包括绝缘材料的薄膜基片和在该基片上的多个布线图案，其中每一布线图案的第一端从该基片的第一边缘伸出作为第一接触端子，每一布线图案的第二端从该基片的第二边缘伸出作为第二接触端子，并且位于第一端和第二端之间的接触器的一部分可被弹性变...

一种半导体器件，其中包括：构成形成于半导体基片中的晶体管的第一和第二杂质扩散区；形成在该半导体基片上的第一绝缘膜；形成在第一杂质扩散区之上的第二绝缘膜中的第一孔；形成在第一孔中并且由金属膜所制成第一导电插塞；形成在第二杂质扩散区之上的第...

一种电子器件，具有电子电路和连接到所述电子电路的外部连接端子，所述电子器件包括： 具有其上形成所述电子电路的一部分的电路形成表面的衬底； 在所述电路形成表面上形成的绝缘层；和 内部布线，其包括用于将所述电子电路连接到所...

一种半导体器件制造方法，该方法可均匀地和充分地还原半导体器件金属电极或金属引线（例如铜）上产生的金属氧化物。首先将其上产生铜氧化物的受处理物体放入处理室中，然后用加热器加热到预定温度。接着，用汽化器蒸发储存在储存筒中的羧酸。接着，将蒸发...

一种叠层基片通过在单晶硅半导体所构成的支承基片上隔着一个绝缘层叠加由单晶硅半导体所构成的器件形成层而形成，其中器件形成层的晶轴方向偏离支承基片的相应晶轴方向。半导体器件形成在通过用在与容易使该支承基片被分割的晶轴方向相平行的方向上延伸的...

通过手指接触来识别指纹模式的指纹传感器设备，包括： 表面形成有传感器部分的半导体芯片；和 密封半导体芯片的密封树脂部分， 其特征在于： 所述的传感器部分暴露于密封树脂部分形成的缺口底部，并且缺口底部边缘和所述的传...

一种半导体器件基底具有小间距的细小端点并且能够容易地以低廉费用生产而不需要使用特殊过程。一个安装端具有棱锥形状并且延伸于硅基底的前表面和背面之间。该安装端的一端自硅基底的背面伸出。一层布线层被形成于在硅基底的前表面上。该布线层包括一层电...

多个存储单元阵列，包括位线和各自由可变电容器构成的存储单元，并且工作在彼此不同的同步计时。每一个存储单元阵列的位线通过连接引线连接到其它存储单元阵列。因而位线的实际电容是存储单元阵列自身位线的电容，加上其它存储单元阵列位线的电容，加上连...

一种半导体器件及其制造方法，在一个连续工序中通过镀膜由单层镀膜形成将第一半导体芯片和第二半导体芯片键合在一起、并在第一半导体芯片之上延伸的引线组，然后将第二半导体芯片键合在第一半导体芯片上完成半导体封装。

本发明提出在形成精小图形时减小边缘粗糙度的改进。该目的的取得在构图刻蚀膜之后，在刻蚀膜上形成涂覆膜，以便将刻蚀膜材料和涂覆膜材料在交界面上混合来减小边缘粗糙度。提供一种抗蚀图形改进材料，包括：（ａ）一种水溶性或者碱溶性的成分，包含：（ｉ...

本发明包括一个或多个引线和ＭＩＭ电容器，后者是由连接引线上表面的下电极与上电极电容耦合而成的。下电极是由防止引线材料扩散的材料制成的，它包住引线。

提供一个主壁面部分以包围集成电路部分。“Ｌ”形状的副壁面部分被提供在主壁面部分和集成电路部分的每个边角之间。因此，即使由于热处理等原因导致应力集中，该应力被分散到主壁面部分和副壁面部分中，从而与现有技术相比不容易出现层面之间的剥离和裂缝...