本发明涉及一种用于确定可围绕旋转轴（12）旋转的衬底容纳装置（14）的、垂直于X-Y坐标系的旋转轴（12）在X-Y坐标系中的X-Y位置的方法，其中所述衬底容纳装置用于容纳衬底（3），所述方法包括以下步骤：确定设置在衬底容纳装置（14）或...

本发明涉及一种用于将由第一材料制成的第一固体基底（1）的第一接合表面（1o）与由第二材料制成的第二固体基底（2）的第二接合表面（2o）接合的方法，具有以下步骤，特别是以下流程：利用切削工具（5）在低于临界速度vk的速度vs以及在高于临界...

本发明涉及一种用于从通过连接层(6)与产品基质(7)相连接的载体基质(3)剥离产品基质(7)的方法，其带有以下步骤、尤其以下过程：将溶剂(9)施加到载体基质(3)的背对连接层(6)的平侧(3o)上、溶剂(9)的流通部分流过载体基质(3)...

本发明涉及用于容纳并且保持晶片的容纳装置，具有下面的特征：保持面（1o），用于将晶片保持在保持面（1o）上的保持装置和-补偿装置（3，4，5，6），用于对晶片的局部和/或全局变形进行主动的、尤其是局部可控制的、至少部分的补偿。本发明还涉...

本发明涉及一种容纳装置，用于容纳和保持晶片来加工晶片，其具有用于将晶片容纳在晶片的支承面上的保持面和用于保持晶片的保持装置，其中通过保持装置实现将极薄的晶片保持在晶片的保持面上，晶片的局部变形尽可能小。

本发明涉及用于在分布于晶片堆叠上的多个测量位置处测量和/或检测晶片堆叠的一个或多个层的层厚度和/或晶格缺陷的测量装置以及方法，以及相对应的晶片处理设备。

本发明涉及一种用于制造芯片堆（31）的方法，具有以下方法流程：在载体（10）的载体侧（15）上施加尤其是介电的和/或可感光结构化的基本层（20），所述载体在其载体侧（15）上配备有起粘附作用的粘附区域（14）以及起较小粘附作用的支撑区域...

本发明涉及一种用于在第一表面(2o)与第二表面(5o)之间带有间隔的情况下相对而置地对准第一衬底(2)的第一表面(2o)与第二衬底(5)的第二表面(5o)的装置，带有以下特征：－第一容纳器具(1)用于在第一容纳面(la)上容纳第一衬底(...

本发明涉及用于在第一衬底的第一金属表面和第二衬底的第二金属表面之间制造永久的导电连接的方法，具有如下方法步骤，尤其是方法流程：这样处理第一和第二金属表面，使得在连接金属表面时、尤其是在处理之后的几分钟的时间段中可以制造至少主要由于在两个...

本发明涉及一种用于制造特别是双面装备有芯片（12,15）的产品晶片（1）的方法，具有以下流程：处理该产品晶片的第一面（3）；通过该产品晶片的第一面（3）在硬性的第一载体晶片（8）上将该产品晶片与第一中间层（18）相接合，该第一中间层由至...

本发明涉及一种用于处理暂时接合在载体晶片上的产品晶片的方法，具有如下步骤：－将产品晶片在背向载体晶片的平坦侧上研磨和/或背面磨薄到＜150μm、尤其是＜100μm、优选＜75μm、更优选＜50μm、特别优选＜30μm的产品晶片厚度D，－...

用于使可以接纳在第一平台（10）上的第一衬底（1）的第一接触面（1k）与可以接纳在第二平台（20）上的第二衬底（2）的第二接触面（2k）对准的设备和方法，具有以下特征：可以通过第一检测装置（7,7’）在与第一衬底（1）的移动无关的第一X...

本发明涉及一种传送薄膜以及一种用于承载和传送至少一个薄的柔韧的衬底的传送系统和一种对应的方法以及柔韧的传送薄膜用于承载和传送至少一个薄的柔韧的衬底的用途，其中衬底至少暂时可固定或固定在传送薄膜上，其中传送薄膜为了传送衬底可通过驱动机构驱动。