本发明涉及一种用于使具有至少两个第一对准标记的第一基材(7)与具有至少两个第二对准标记(8’)的第二基材(7’)对准的方法，其中，通过第一关联在X方向和在Y方向上使第一对准标记(8)关联于基材(7)的至少两个第一独特的对准特征(9)，通...

本发明涉及一种用于从衬底堆（1，2）分离载体衬底（3）的方法，所述衬底堆（1，2）由所述载体衬底（3）和产品衬底（5）、以及连接所述载体衬底（3）和所述产品衬底（5）的连接层（4，4'）构成，其中所述连接层（4，4'）：a）具有用于连接...

提出一种衬底固持器(1、1'、1''、1'''、1

本发明涉及一种用于在第一表面与第二表面之间带有间隔的情况下相对而置地对准第一衬底的第一表面与第二衬底的第二表面的装置，带有以下特征：－第一容纳器具用于在第一容纳面上容纳第一衬底，－第二容纳器具用于在第二容纳面上容纳第二衬底，－接近器件用...

本发明涉及一种用于利用膜层涂装基体（6）的方法，其特征在于，所述装置具有用于安设热塑性的膜层材料（4）的安设器件（1）和用于使得膜层材料（4）分配在所述基体（6）上以用于构造所述膜层的分配器件。此外，本发明涉及一种对应的装置。

本发明涉及一种永久结合晶圆的方法及装置，其中该第二衬底具有最少一个反应层：将该衬底容纳于第一电极与第二电极之间或线圈内，通过对第一接触面施加借助于电极的电容耦合所产生的等离子体而在第一接触面上的储存器形成层中形成储存器，其中在等离子体产...

本发明涉及一种用于对产品衬底（3、3'）的凸起（5、5'）的、尤其是分立的凸起（5、5'）的凸起表面（5o、5o'）进行涂层的方法，所述产品衬底（3、3'）至少部分地、优选地主要具有被布置在凹陷（7）中的功能单元（6），所述方法具有如下...

本发明涉及如下方法，所述方法用于对衬底（1、1'）的至少主要地结晶的衬底表面（1o、1o'）的表面处理，使得通过所述衬底表面（1o、1o'）的非晶化在所述衬底表面（1o、1o'）处形成非晶层（2、2'、2"）其中所述非晶层（2、2'、2...

本发明涉及一种装置，其用于将至少一个衬底(7)施加以等离子体，该装置具有第一电极(1)和可与该第一电极相对布置的第二电极(12)，该电极构造成在该电极(1、12)之间产生该离子体，其特征在于，该电极(1、12)中的至少一个由至少两个电极...

本发明涉及用于测量晶片堆叠的层厚度和晶格缺陷的测量装置和方法，其中相对于该晶片堆叠可移动的发送器，其用于发送电磁波或超声波形式的信号，与该发送器一起相对于该晶片堆叠可移动的接收器，其用于接收由该发送器所发送的并在该晶片堆叠处所反射的信号...

本发明涉及一种用于在基质(10)的具有结构(11)的结构侧(10s)处容纳和固定基质(10)的容纳装置，它带有容纳元件(3)，其带有用于支撑结构(11)的平的容纳面(30)和仅在外部的环形面(8)中穿过容纳面(30)的用于引起抽吸基质(...

本发明涉及一种装置，所述装置用于接合、尤其是临时接合第一衬底(15)与第二衬底，所述装置具有以下特征：‑ 装配装置，所述装配装置用于利用所述装配装置的有效装配面(7，7'，7"，7'"，7

本发明涉及用于容纳并且保持晶片的容纳装置，具有下面的特征：‑保持面（1o），‑用于将晶片保持在保持面（1o）上的保持装置和‑补偿装置（3，4，5，6），‑用于对晶片的全局变形进行主动的、至少部分的补偿，其中所述补偿可以通过温度加以控制。...

本发明涉及一种用于由一个尤其是波长敏感的半导体衬底（2）和至少一个另外的尤其是波长敏感的半导体衬底（2'，2''）制造多衬底堆叠的方法，具有以下步骤：将至少分段地导电的介电层（3，3'）施加到所述半导体衬底（2，2'，2''）中的至少一...

提出了一种用于制造光学玻璃元件（13）的方法，具有以下工艺顺序：a）在压印印模（1）上施加液态压印料（4），b）在小于500℃的温度下压印所述压印料（4），c）硬化所述压印料（4），d）烧结所述压印料（4,4’）和由此使所述光学玻璃元件...

本发明涉及一种用于在第一基板(1)的结合侧与第二基板(14)的结合侧之间生产能够导电直接结合的装置以及相对应的方法，具有下列特征：具有能够相对于环境气体密封地闭合的并且能够加载有真空的工作空间(22)，所述工作空间(22)包括：a)至少...

本发明涉及用于将二氧化硅层(3、3’)施加到可燃烧的和/或可点燃的，特别是容易点燃的载体材料(2、2’)上以形成特别适用于食品的包装(1、1’)的方法，其具有下列步骤，特别是具有下列顺序：用通过将硅酸酯，特别是低聚的硅酸酯，优选硅酸四甲...

本发明涉及用于将纳米结构（13）从纳米结构压模（5）压印到施加到基体（7）上的、能够硬化的材料（8）的压模面（14）中的方法，具有下列步骤、尤其下列过程：相对于所述压模面（14）对齐所述纳米结构（13），通过如下方式压印所述压模面（14...

本发明涉及一种用于衬底(7)的衬底表面(7o)的表面处理的方法，其包含以下步骤：‑将该衬底表面(7o)布置在过程腔室(8)中，‑使用由离子束源(2、2’、2”)产生且瞄准该衬底表面(7o)的离子束(3、3’、3”)冲击该衬底表面(7o)...

本发明涉及一种用于通过借助于具有至少一个施加单元(9、9'、9、9'、9IV、9V、9VI)的施加设备(11、11'、11)对局部厚度峰(12)进行局部施加而均衡衬底堆栈(1)的厚度变化的方法，该衬底堆栈(1)由产品衬底(4)及载体衬底...