EV集团E·索尔纳有限责任公司专利技术

EV集团E·索尔纳有限责任公司共有182项专利

  • 本发明涉及用于永久接合晶片的方法。具体地,本发明涉及将第一基板(1)的第一接触表面(3)接合至第二基板(2)的第二接触表面(4)的方法,该方法具有以下步骤:‑通过将第一接触表面(3)暴露于N2气和/或O2气和/或Ar气和/或包含95%A...
  • 提出了一种用于保持、旋转和加热衬底的装置和方法。
  • 本发明涉及用于永久接合晶片的方法。具体地,本发明涉及将第一基板(1)的第一接触表面(3)接合至第二基板(2)的第二接触表面(4)的方法,该方法具有以下步骤:在第一接触表面(3)的表面层(6)中形成贮液槽(5),用第一起始物或第一组起始物...
  • 本发明涉及一种将掩蔽的过生长层(14)施加至晶种层(2)上以用于生产半导体组件的方法,其特征在于将用于掩蔽所述过生长层(14)的掩模(6)压印至所述晶种层(2)上。
  • 本发明涉及一种用于利用连接层(4)将产品衬底(2)接合至载体衬底(5)的方法以及一种用于从载体衬底上分开产品衬底的方法,其中将可溶层(3)施加于连接层(4)与产品衬底(2)之间,并且其中:a)可溶层(3)通过与辐射源的电磁辐射的相互作用...
  • 用于至少部分溶解临时压接的衬底叠层的连接层的装置和方法
    建议了一种用于至少部分溶解临时压接的衬底叠层(2)的连接层(4)的装置(22),带有如下特征:‑装置(22)具有至少一个环形物(1),其中,衬底叠层(2)可被放置在至少一个环形物(1)内,‑至少一个环形物(1)具有多个喷嘴(1a),其中...
  • 用于接合衬底的方法
    本发明涉及一种用于将第一衬底(2)与第二衬底(2')在所述衬底(2,2')的接触面(2o,2o')处接合的方法,其具有如下步骤、尤其是如下流程:‑用保持力FH1将所述第一衬底(2)保持在第一样品支架(1)的第一样品支架表面(1o)上,以...
  • 用于预固定衬底的方法和装置
    本发明涉及一种用于预固定衬底(1、2)的方法和装置,其中在至少一个表面区域中非晶化所述衬底(1、2)的至少一个衬底表面(1o、2o),其特征在于,所述衬底(1、2)被定向且接着在所述经非晶化的表面区域处接触并且预固定。
  • 用于对接合压力进行压力传递的压力传递板
    本发明涉及一种压力传递板,用于尤其是在热压接合时将接合压力从压力施加设备压力传递到晶片上,具有:第一压力侧,其用于接触压力施加设备;背向第一压力侧的第二压力侧,所述第二压力侧具有用于对晶片进行接触和压力施加的有效接触面,其中至少有效接触...
  • 用于使基材在结合之前对准的方法
    本发明涉及一种用于使具有至少两个第一对准标记的第一基材(7)与具有至少两个第二对准标记(8’)的第二基材(7’)对准的方法,其中,通过第一关联在X方向和在Y方向上使第一对准标记(8)关联于基材(7)的至少两个第一独特的对准特征(9),通...
  • 用于从衬底堆分离衬底的方法和装置
    本发明涉及一种用于从衬底堆(1,2)分离载体衬底(3)的方法,所述衬底堆(1,2)由所述载体衬底(3)和产品衬底(5)、以及连接所述载体衬底(3)和所述产品衬底(5)的连接层(4,4')构成,其中所述连接层(4,4'):a)具有用于连接...
  • 衬底固持器和用于接合两个衬底的方法
    提出一种衬底固持器(1、1'、1''、1'''、1
  • 用于减少楔形误差的装置和方法
    本发明涉及一种用于在第一表面与第二表面之间带有间隔的情况下相对而置地对准第一衬底的第一表面与第二衬底的第二表面的装置,带有以下特征:-第一容纳器具用于在第一容纳面上容纳第一衬底,-第二容纳器具用于在第二容纳面上容纳第二衬底,-接近器件用...
  • 用于涂装基体的方法和装置
    本发明涉及一种用于利用膜层涂装基体(6)的方法,其特征在于,所述装置具有用于安设热塑性的膜层材料(4)的安设器件(1)和用于使得膜层材料(4)分配在所述基体(6)上以用于构造所述膜层的分配器件。此外,本发明涉及一种对应的装置。
  • 永久结合晶圆的方法及装置
    本发明涉及一种永久结合晶圆的方法及装置,其中该第二衬底具有最少一个反应层:将该衬底容纳于第一电极与第二电极之间或线圈内,通过对第一接触面施加借助于电极的电容耦合所产生的等离子体而在第一接触面上的储存器形成层中形成储存器,其中在等离子体产...
  • 用于对产品衬底进行涂层的方法和装置
    本发明涉及一种用于对产品衬底(3、3')的凸起(5、5')的、尤其是分立的凸起(5、5')的凸起表面(5o、5o')进行涂层的方法,所述产品衬底(3、3')至少部分地、优选地主要具有被布置在凹陷(7)中的功能单元(6),所述方法具有如下...
  • 用于衬底的表面处理的方法和设备
    本发明涉及如下方法,所述方法用于对衬底(1、1')的至少主要地结晶的衬底表面(1o、1o')的表面处理,使得通过所述衬底表面(1o、1o')的非晶化在所述衬底表面(1o、1o')处形成非晶层(2、2'、2")其中所述非晶层(2、2'、2...
  • 用于衬底的等离子体处理的方法和装置
    本发明涉及一种装置,其用于将至少一个衬底(7)施加以等离子体,该装置具有第一电极(1)和可与该第一电极相对布置的第二电极(12),该电极构造成在该电极(1、12)之间产生该离子体,其特征在于,该电极(1、12)中的至少一个由至少两个电极...
  • 用于测量晶片堆叠的层厚度和晶格缺陷的测量装置和方法
    本发明涉及用于测量晶片堆叠的层厚度和晶格缺陷的测量装置和方法,其中相对于该晶片堆叠可移动的发送器,其用于发送电磁波或超声波形式的信号,与该发送器一起相对于该晶片堆叠可移动的接收器,其用于接收由该发送器所发送的并在该晶片堆叠处所反射的信号...
  • 用于容纳有结构的晶片的容纳装置
    本发明涉及一种用于在基质(10)的具有结构(11)的结构侧(10s)处容纳和固定基质(10)的容纳装置,它带有容纳元件(3),其带有用于支撑结构(11)的平的容纳面(30)和仅在外部的环形面(8)中穿过容纳面(30)的用于引起抽吸基质(...