本发明涉及一种用于将第一衬底(4o)与第二衬底(4u)在所述衬底(4o、4u)的面向彼此的接触面(4k)处接合的方法和设备。

本发明涉及一种用以接合衬底的装置及方法，其中在第一接纳设备(1)的第一接纳表面(2o)上安置该第一衬底(3)且在第二接纳设备(4)的第二接纳表面(2o')上接纳该第二衬底(8);在接合起始位点(20)上接触该接触表面(3k、8k);沿着...

本发明涉及一种用以接合衬底的装置及方法，其中在第一接纳设备(1)的第一接纳表面(2o)上安置该第一衬底(3)且在第二接纳设备(4)的第二接纳表面(2o')上接纳该第二衬底(8);在接合起始位点(20)上接触该接触表面(3k、8k);沿着...

本发明涉及一种用以接合衬底的装置及方法，其中在第一接纳设备(1)的第一接纳表面(2o)上安置该第一衬底(3)且在第二接纳设备(4)的第二接纳表面(2o')上接纳该第二衬底(8);在接合起始位点(20)上接触该接触表面(3k、8k);沿着...

本发明涉及一种用以接合衬底的装置及方法，其中在第一接纳设备(1)的第一接纳表面(2o)上安置该第一衬底(3)且在第二接纳设备(4)的第二接纳表面(2o')上接纳该第二衬底(8);在接合起始位点(20)上接触该接触表面(3k、8k);沿着...

本发明涉及一种用以接合衬底的装置及方法，其中在第一接纳设备(1)的第一接纳表面(2o)上安置该第一衬底(3)且在第二接纳设备(4)的第二接纳表面(2o')上接纳该第二衬底(8);在接合起始位点(20)上接触该接触表面(3k、8k);沿着...

本发明涉及一种用于检验衬底、尤其是衬底堆叠(14)的计量设备，具有下列特征：‑用于用声波来加载衬底、尤其是衬底堆叠(14)的第一衬底堆叠表面（）的声音加载装置；‑光学系统，具有：a)用于输出电磁辐射的来源(1)的来源，电磁辐射被分离成至...

提出一种用于接合两个衬底的方法与设备。

本发明涉及用于接合两个衬底的方法与装置。

本发明涉及用于永久接合晶片的方法。具体地，本发明涉及将第一基板(1)的第一接触表面(3)接合至第二基板(2)的第二接触表面(4)的方法，该方法具有以下步骤：‑在所述第一接触表面(3)的表面层(6)中形成贮液槽(5)，其中孔分布随厚度增加...

本发明涉及一种用于使第一衬底(4o)与第二衬底(4u)在衬底(4o,4u)的面向彼此的接触面(4k)处接合的方法，所述方法带有如下步骤、尤其如下流程：将第一衬底(4o)容纳在第一容纳设备(1,1',1'',1''',1

本发明涉及用于永久接合晶片的方法。具体地，本发明涉及将第一基板(1)的第一接触表面(3)接合至第二基板(2)的第二接触表面(4)的方法，该方法具有以下步骤：‑通过将第一接触表面(3)暴露于N2气和/或O2气和/或Ar气和/或包含95%A...

提出了一种用于保持、旋转和加热衬底的装置和方法。

本发明涉及用于永久接合晶片的方法。具体地，本发明涉及将第一基板(1)的第一接触表面(3)接合至第二基板(2)的第二接触表面(4)的方法，该方法具有以下步骤：在第一接触表面(3)的表面层(6)中形成贮液槽(5)，用第一起始物或第一组起始物...

本发明涉及一种将掩蔽的过生长层(14)施加至晶种层(2)上以用于生产半导体组件的方法，其特征在于将用于掩蔽所述过生长层(14)的掩模(6)压印至所述晶种层(2)上。

本发明涉及一种用于利用连接层(4)将产品衬底(2)接合至载体衬底(5)的方法以及一种用于从载体衬底上分开产品衬底的方法，其中将可溶层(3)施加于连接层(4)与产品衬底(2)之间，并且其中：a)可溶层(3)通过与辐射源的电磁辐射的相互作用...

建议了一种用于至少部分溶解临时压接的衬底叠层(2)的连接层(4)的装置(22)，带有如下特征：‑装置(22)具有至少一个环形物(1)，其中，衬底叠层(2)可被放置在至少一个环形物(1)内，‑至少一个环形物(1)具有多个喷嘴(1a)，其中...

本发明涉及一种用于将第一衬底（2）与第二衬底（2＇）在所述衬底（2，2＇）的接触面（2o，2o＇）处接合的方法，其具有如下步骤、尤其是如下流程：‑用保持力FH1将所述第一衬底（2）保持在第一样品支架（1）的第一样品支架表面（1o）上，以...

本发明涉及一种用于预固定衬底(1、2)的方法和装置，其中在至少一个表面区域中非晶化所述衬底(1、2)的至少一个衬底表面(1o、2o)，其特征在于，所述衬底(1、2)被定向且接着在所述经非晶化的表面区域处接触并且预固定。

本发明涉及一种压力传递板,用于尤其是在热压接合时将接合压力从压力施加设备压力传递到晶片上，具有：第一压力侧，其用于接触压力施加设备；背向第一压力侧的第二压力侧，所述第二压力侧具有用于对晶片进行接触和压力施加的有效接触面，其中至少有效接触...