The invention relates to a method for permanently bonding wafers. Specifically, the present invention relates to a method for joining the first contact surface (3) of the first substrate (1) to the second contact surface (4) of the second substrate (2). The method has the following steps: (1) forming a liquid storage tank (5) in the surface layer (6) of the first contact surface (3), in which the pore distribution tends to zero as the thickness increases, (2) using the first step. The tank (5) is at least partially filled with the starting material or the first group of starting materials, so that the first contact surface (3) contacts the second contact surface (4) to form a pre-bonding connection.
【技术实现步骤摘要】
用于永久接合晶片的方法本专利申请是申请号为201180065964.9，申请日为2011年1月25日，同题的母案申请的分案申请。
本专利技术涉及一种如权利要求1所述的用于将第一基板的第一接触表面接合至第二基板的第二接触表面的方法。
技术介绍
基板的永久或不可逆的接合的目的在于，在基板的两个接触面之间产生尽可能强的以及特别是不可逆的连接，即强接合力。为此在现有技术中存在各种措施和制造方法。公知的制造方法以及沿用至今的措施常常导致不能再现或再现性差的以及特别是几乎不能应用到改变的条件的结果。特别是目前使用的制造方法常常使用高温，特别是>400℃的高温，以保证可重复的结果。如高能耗和可能毁坏基板上现有的结构的技术问题是由于迄今对于高接合力所需要的高温部分地远高于300℃导致的。其它的要求在于：-前端线兼容性。其定义为在制造电有源部件期间的工艺过程兼容性。因此必须这样设计接合过程：使得已经存在于结构晶片上的有源构件诸如晶体管在该过程期间既不受不利影响也不被损坏。兼容性标准主要包括某些化学元素的纯度(主要是在CMOS结构中)、机械可承载性，特别是通过热应力引起...
【技术保护点】
1.将第一基板(1)的第一接触表面(3)接合至第二基板(2)的第二接触表面(4)的方法，该方法具有以下步骤：‑ 在所述第一接触表面(3)的表面层(6)中形成贮液槽(5)，其中孔分布随厚度增加而减小趋于零，‑ 用第一起始物或第一组起始物至少部分填充该贮液槽(5)，‑ 使第一接触表面(3)与第二接触表面(4)接触以形成预接合连接。
【技术特征摘要】
1.将第一基板(1)的第一接触表面(3)接合至第二基板(2)的第二接触表面(4)的方法，该方法具有以下步骤：-在所述第一接触表面(3)的表面层(6)中形成贮液槽(5)，其中孔分布随厚度增加而减小趋于零，-用第一起始物或第一组起始物至少部分填充该贮液槽(5)，-使第一接触表面(3)与第二接触表面(4)接触以形成预接合连接。2.权利要求1的方法，其中该贮液槽(5)是由等离子体活化作用而形成的。3.权利要求1或2的方法，其中通过将四乙氧基硅烷氧化物层用作表面层(6)而形成贮液槽(5)。4.权利要求1或2的方法，其中所述方法还包括下面步骤：-在所述第一和第二接触表面(3,4)之间形成永久接合，通过使填充在贮液槽(5)中的第一起始物与第二基板(2)的反应层(7)中含有的第二起始物反应并通过该反应使所述接触表面(3，4)中的至少一个变形来至少部分强化该...
【专利技术属性】
技术研发人员：T普拉赫，K欣格尔，M温普林格，C弗勒特根，
申请(专利权)人：EV集团E·索尔纳有限责任公司，
类型：发明
国别省市：奥地利,AT
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