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本发明涉及用于永久接合晶片的方法。具体地，本发明涉及将第一基板(1)的第一接触表面(3)接合至第二基板(2)的第二接触表面(4)的方法，该方法具有以下步骤：‑在所述第一接触表面(3)的表面层(6)中形成贮液槽(5)，其中孔分布随厚度增加而减...
该专利属于EV集团E·索尔纳有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过EV集团E·索尔纳有限责任公司授权不得商用。

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