EV集团E·索尔纳有限责任公司专利技术

EV集团E·索尔纳有限责任公司共有193项专利

  • 用于容纳和保持基层(4)的静电的基层保持部(2),所述基层保持部具有:转子(6、6'、6''、6'''),所述转子具有保持件(7、7'、7'')用于在保持面(7h、7h'、7h'')上固定所述基层(4),定子(5、5'、5''、5
  • 本发明涉及用于将至少三个衬底(4o,4u,4,4',4'',4''',4o')接合为衬底堆叠(9,9',9'')的方法,其中所述衬底堆叠(9,9',9'')具有至少一个最下面的衬底(4u,4)、中间衬底(4o,4')和上衬底(4o',4...
  • 本发明涉及微接触压印方法。具体地,本发明涉及借助结构印模的压印面将压印材料转移到衬底的目标表面上以微接触压印结构的方法,其特征在于,该压印材料至少主要地由硅烷构成或者至少主要地由至少一种硅烷衍生物构成,并且该结构印模为软质印模。此外,本...
  • 提出了一种用于使两个透镜对准的方法和装置。
  • 提出了用于对准基板的方法。
  • 本发明系关于用于曝光一光敏层(9)之一方法,该光敏层(9)具有一光学系统(8),在各情况中,至少一光线(6,6')由至少一光源(7)产生且一曝光图案(24,24',24'',24''')之像素(23)由至少一微镜装置(1)照明,该至少一...
  • 本发明涉及一种用于将第一基板(1,1')的第一至少部分地为金属的接触表面与第二基板的第二至少部分地为金属的接触表面相接合的方法,其具有以下步骤、尤其是以下进程:‑将至少部分地、尤其是主要可溶于所述接触表面中的至少一个的材料中的牺牲层(4...
  • 提出了一种用于将第一衬底(1、6)与第二衬底(2)键合的方法,所述方法具有如下流程:‑在所述第一衬底(1、6)上产生第一非结晶层(1a、6a)和/或在所述第二衬底(2)上产生第二非结晶层(2a);‑在一个或多个非结晶层(1a、2a、6a...
  • 提出了一种用于将芯片(7)键合到衬底(11')上或键合到其它芯片上的方法,其特征在于,所述芯片(7)通过直接键合来被键合到所述衬底(11')或者所述其它芯片上。
  • 本发明涉及一种用于将第一基板(4o)与第二基板(4u)在基板(4o,4u)的彼此面对的接触面(4k)处接合的方法,其中,第一基板(4o)被接纳在第一接纳设备(1o)上且第二基板(4u)被接纳在第二接纳设备(1u)上,且其中,在第二基板(...
  • 本发明涉及一种用于在第一基板(1)的结合侧与第二基板(14)的结合侧之间生产能够导电直接结合的装置以及相对应的方法,具有下列特征:具有能够相对于环境气体密封地闭合的并且能够加载有真空的工作空间(22),所述工作空间(22)包括:a)至少...
  • 用于施加接合层的方法。本发明涉及一种用于将由基本层及保护层组成的接合层施加到基板上的方法,其具有以下方法步骤:将可氧化的基本材料作为基本层施加到该基板的接合侧上,用可至少部分地溶解于该基本材料中的保护材料作为保护层来至少部分地覆盖该基本...
  • 本发明涉及一种利用光学系统(8)来曝光光敏层(9)的方法,其中至少一个光束(6、6')分别由至少一个光源(7)产生,且曝光栅格(24、24'、24"、24'")的像素(23)由具有多个微镜(3)的至少一个微镜装置(1)来照明,其特征在于...
  • 用于施加接合层的方法。本发明涉及一种用于将由基本层及保护层组成的接合层施加到基板上的方法,其具有以下方法步骤:将可氧化的基本材料作为基本层施加到该基板的接合侧上,用可至少部分地溶解于该基本材料中的保护材料作为保护层来至少部分地覆盖该基本...
  • 本发明涉及一种用于在第一基板(1)的结合侧与第二基板(14)的结合侧之间生产能够导电直接结合的装置以及相对应的方法,具有下列特征:具有能够相对于环境气体密封地闭合的并且能够加载有真空的工作空间(22),所述工作空间(22)包括:a)至少...
  • 本发明涉及一种模压微米结构和/或纳米结构的方法。
  • 提出了用于结合两个基板的装置、系统和方法。第一基板保持器具有凹部和隆起。
  • 本发明涉及一种用于在使用多个检测单元的情况下将第一衬底(16)与第二衬底(17)对准和接触的方法以及一种对应设备。
  • 本发明涉及一种用以接合衬底的装置及方法,其中在第一接纳设备(1)的第一接纳表面(2o)上安置该第一衬底(3)且在第二接纳设备(4)的第二接纳表面(2o')上接纳该第二衬底(8);在接合起始位点(20)上接触该接触表面(3k、8k);沿着...
  • 本发明涉及一种用以接合衬底的装置及方法,其中在第一接纳设备(1)的第一接纳表面(2o)上安置该第一衬底(3)且在第二接纳设备(4)的第二接纳表面(2o')上接纳该第二衬底(8);在接合起始位点(20)上接触该接触表面(3k、8k);沿着...