用于结合基板的装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于在第一基板(1)的结合侧与第二基板(14)的结合侧之间生产能够导电直接结合的装置以及相对应的方法，具有下列特征：具有能够相对于环境气体密封地闭合的并且能够加载有真空的工作空间(22)，所述工作空间(22)包括：a)至少一个等离子体腔室(4)，用于更改所述结合侧的至少一个；及至少一个结合腔室(5)，用于结合所述结合侧和/或b)至少一个组合的结合等离子体腔室(20)，用于更改所述结合侧的至少一个并且用于结合所述结合侧。

Devices and methods for bonding substrates

【技术实现步骤摘要】
用于结合基板的装置及方法
本专利技术涉及一种根据权利要求1所述的一种用于在第一基板的结合侧与第二基板的结合侧之间生产能够导电的直接结合的装置和方法。尤其在结合金属的或金属化的基板、具有金属的表面的基板、半导体基板，或复合体半导体基板时，因为待结合的基板的结合侧的氧化阻碍结合处理，所以其发挥重要的作用。氧化物阻止或减少构造机械和/或电上高质量的接触。由于较长加热及冷却时间，尤其与此相关联的是生产率下降；且结合期间温度越高或必须越高，则通过温差的膨胀对基板相对于彼此的对准或调整精确度的影响越大。此外，某些MEMS（Micro-Electro-MechanicalSystems微电子机械系统）和/或半导体组件(例如，诸如微芯片或内存芯片)不容许高处理温度。
技术介绍
在现有技术中，主要应用湿式蚀刻处理用于移除在上文提及的基板上形成的且因此阻止或至少阻碍多个基板通过结合处理的最佳结合的氧化物。在湿式蚀刻处理中，主要使用氢氟酸或含氢氟酸的混合物。在还原氧化物后，出现通过氢原子终止的表面。这样的疏水表面适用于产生所谓预结合（英语：pre-bonds）。然而，如果两个晶片要永久彼此连接，则必须在高本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于在第一基板(1)的结合侧与第二基板(14)的结合侧之间产生直接结合的方法，在该方法中所述第一基板(1)和所述第二基板(14)装载到样本腔室（4）中，在外部的源中产生的等离子体尤其离子的组成部分运输到所述样本腔室（4）中，在所述样本腔室（4）中，氧化物层(2)的化学计量变化到所述结合侧的至少一个中，以及在结合腔室(5)中进行所述第一基板(1)的结合侧与所述第二基板(14)的结合侧的结合。

【技术特征摘要】
1.一种用于在第一基板(1)的结合侧与第二基板(14)的结合侧之间产生直接结合的方法，在该方法中所述第一基板(1)和所述第二基板(14)装载到样本腔室（4）中，在外部的源中产生的等离子体尤其离子的组成部分运输到所述样本腔室（4）中，在所述样本腔室（4）中，氧化物层(2)的化学计量变化到所述结合侧的至少一个中，以及在结合腔室(5)中进行所述第一基板(1)的结合侧与所述第二基板(14)的结合侧的结合。2.根据权利要求1所述的方法，在其中，在所述样本腔室（4）中到基板表面上的离子的加速度和离子密度能够分开地调整。3.根据权利要求1或2所述的方法，在其中，更改通过以下进行：a)变更氧化物层(2)到所述结合侧的至少一个上b)从所述结合侧的至少一个至少部分地移除氧化物层(2)的部分。4.根据权利要求3所述的方法，在其中，在基板的表面处的原子通过碰撞处理离子化且通...

【专利技术属性】
技术研发人员：M温普林格，V德拉戈伊，C弗勒特根，
申请(专利权)人：EV集团E·索尔纳有限责任公司，
类型：发明
国别省市：奥地利,AT