本发明课题是在接口的接收机中减少依存于数据型式的信号抖动。因此，提供可自动调整的大规模集成电路来在各装置中可调整为减少（信号抖动）所需延迟量的设置。依存于数据型式的信号抖动可预测以前的任何状态，所以在接收机中保持获得的数据的状态，调整从...

一种噪声防护电子电路包括一个用于通过输入传输介质接收一内向信号的输入电路，以及一个用于接收电子线路的输出数据并从中产生一外向信号的输出电路。所述输入和输出传输介质相互电磁耦合，因此当在向外输出的外向信号中产生电压跃变时在所接收的内向信号...

一种占空比检测电路，具有：主电路单元，主电路单元至少包括：第一电容器，在时钟信号处于高电平的时间周期期间进行放电，并且在时钟信号处于低电平的时间周期期间进行充电；以及第二电容器，在时钟信号处于高电平的时间周期期间进行充电，并且在时钟信号...

一种ＤＬＬ电路，包括：延迟电路，其输出第一和第二经过延迟的时钟信号，该时钟信号通过根据控制信号选择的延迟时间延迟参考时钟信号而获得；插值电路，其插值经过延迟的时钟信号之间的相差以输出内部时钟信号；输出电路，其产生预定的信号；伪输出电路，...

ＤＬＬ电路包括：第一延时调节电路，调节第一分频信号ＣＫ１延时量；第二延时调节电路，调节第二分频信号ＣＫ２延时量；频率合成电路，对这些延时调节电路的输出进行合频，产生内部时钟信号，并向时钟树单元中的实际路径提供第二时钟信号；时钟驱动器，接...

本发明提供一种半导体电路装置。具有将输入端公共连接到信号输入端子ＩＮ，彼此为相同的逻辑结构的第一及第二传送系统；构成第一传送系统的晶体管中向第一传送系统的输入值为低电平时截止的晶体管为高阈值，导通的晶体管为低阈值，构成第二传送系统的晶体...

公开了一种输出电路、半导体器件和调整输出电路的特性的方法，以减小校准输出电路所需的电路规模，以及减少校准操作所需的时间，本发明包括与数据引脚相连的第一输出缓冲器和第二输出缓冲器、以及与校准引脚相连的校准电路。第一输出缓冲器和第二输出缓冲...

公开了一种具有片内终止（ＯＤＴ）功能的半导体存储器芯片，其包括延迟锁定环（ＤＬＬ）电路、同步电路、异步电路、选择信号发生器和选择器。将ＤＬＬ电路配置来在断言时钟使能（ＣＫＥ）信号时，响应时钟信号，产生本地时钟信号。ＤＬＬ电路具有预定引导...

从与ＺＱ定标命令不同的来自外部的命令内部生成ＺＱ定标命令，自动追加实施ＺＱ定标动作。从输入的命令到下一命令输入的间隔，确保ＺＱ定标期间。作为该命令，希望是自更新命令。追加ＺＱ定标动作，ＺＱ定标间隔缩短，能取得能进行更正确的ＺＱ定标动作的...

一种校准电路，其特征是，具备：　　　　与校准用端子连接的复制电路；　　　　比较器，其比较所述校准端子的电位和基准电位；　　　　计数器，其根据所述比较器的输出进行计数动作；以及　　　　控制电路，其根据从所述计数器来的计数输出和掩码信号输出...

一种堆栈式存储器，包括：封装基板，具有设置在其四周附近的信号接线端；以及多个存储器芯片，安装在所述封装基板的两面上，并共享所述信号接线端。设置点对点总线和串级链总线，用于向堆栈式存储器提供信号，以及将所述堆栈式存储器彼此相隔等于所述堆栈...

一种方法包括以下步骤：将硼注入硅衬底中的表面区域，以形成ｐ↑［＋］扩散区域；在ｐ↑［＋］扩散区域的表面注入铟，以形成铟注入层；在铟注入层上形成接触金属层；和使包括铟注入层的硅衬底中的硅与接触金属层中的金属反应，以形成硅化钛层。

一种制造具有双栅结构的半导体器件的方法，包括：在不同的区域形成Ｐ型和Ｎ型栅硅层；向Ｐ型和Ｎ型栅硅层中注入Ｐ型和Ｎ型杂质；在Ｐ型和Ｎ型栅硅层上淀积一层金属膜；利用具有栅极图形的掩膜对金属膜形成图形；利用掩膜和形成图形的金属膜对Ｐ型和Ｎ型栅...

一种具有１３０微米或更少厚度的半导体芯片，其包含对应于中心电路区域的机械接地底面、和对应于外周划线区域的抛光底面。机械接地底面阻止粘附在晶片底面的重金属向半导体衬底的源／漏区扩散，从而防止降低晶体管性能。

一种半导体器件具有半导体衬底、在半导体衬底中形成的槽、在槽的内壁上形成的栅极绝缘膜、在槽中形成的栅电极、以及沿着与半导体衬底的衬底表面实质上正交的方向排列的源极／漏极区域和ＬＤＤ区域。

在半导体存储器中，所述的半导体存储器包含存储单元的矩阵，每个存储单元由一个晶体管和作为存储元件的一个硫属元素化物层组成，在连接到硫属元素化物层的上电极线和另一配线层之间的接头处没有安置硫属元素化物层。

一种半导体封装包括：衬底，含有连接到多个外部电极的布线图案；一或多个半导体芯片，连接到布线图案并安装在衬底上；导电柱，连接到预定外部电极并在纵向方向上起着中继电极作用；和树脂密封层，用来整体密封半导体芯片和导电柱处于一种其中导电柱上部终...

本发明提供了一种具有多个输入第一级电路的半导体集成电路，每个第一级电路执行各自的输入信号电平与一参考电压电平的比较，其中为了能允许对每个所述输入第一级电路的不同参考电压中的任何一个的选择，提供了具不同参考电压电平的多个不同参考电压线。

本发明提供一种制造场效应晶体管的方法。在半导体衬底上配置绝缘膜，该绝缘膜有设置于半导体衬底的预定区域上的开口，在绝缘膜之上设置第一多晶硅膜。与第一多晶硅膜相接触地设置第二多晶硅膜。选择地设置栅绝缘膜，它在半导体衬底的预定区域上延伸，并在...

一种半导体装置含有形成在一个驱动器中的一个电阻器，用于将一个驱动器件连接到一条传输线上，而此传输线把驱动器连接到一个接收器上。在该电阻器使驱动器输出阻抗匹配于传输线阻抗的情况下，该电阻器的电阻远大于驱动器件的接通态电阻。传输线的长度是这...