半导体器件及其制备方法技术

一种方法包括以下步骤：将硼注入硅衬底中的表面区域，以形成ｐ↑［＋］扩散区域；在ｐ↑［＋］扩散区域的表面注入铟，以形成铟注入层；在铟注入层上形成接触金属层；和使包括铟注入层的硅衬底中的硅与接触金属层中的金属反应，以形成硅化钛层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件及一种制备所述半导体器件的方法。更具体而言，本专利技术涉及一种半导体器件，其适合作为包括具有由高熔点金属制成的阻挡金属层的接触插塞的器件，且本专利技术还涉及一种制备所述半导体器件的方法。
技术介绍
在大多数半导体器件中，安置在硅衬底上的互连层通过使用包括阻挡金属层的接触插塞与硅衬底连接。将参考图5A至5F描述一种制备半导体器件的常规方法。首先，如图5A所示，将硼以3×1015/cm2的剂量注入硅衬底11的指定表面区域，因此形成p-型、大量掺杂的扩散区域(p+扩散区域)14。然后，如图5B所示，在包括p+扩散区域14的硅衬底11上形成由氧化硅(SiO2)制成的绝缘薄膜15。随后，形成接触孔17，其穿透绝缘薄膜15到达p+扩散区域14。接着，如图5C所示，将硼以3×1015/cm2的剂量和5keV的加速度能量(acceleration energy)注入p+扩散区域14的表面区域。由此在接触孔17的底部附近形成p-型杂质掺杂层(dosed layer)27。然后，如图5D所示，在接触孔17中和绝缘薄膜15上形成接触金属层18。接触金属层18由钛制成且厚度为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备半导体器件的方法，该方法包含下面的步骤：将硼注入硅衬底中的表面区域以在其中形成扩散区域，在所述的扩散区域的表面区域注入铟以在其中形成铟注入区域，在所述铟注入区域上形成高熔点金属层，和使在所述的高熔点金属层中的高熔点金属与在所述硅衬底中的硅反应以形成硅化物层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：道又重臣，永井亮，山田悟，中村吉孝，中邑良一，
申请(专利权)人：尔必达存储器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]