在单元接触垫片方法中，与单元栅电极交叉的连续虚拟单元接触垫片形成在存储单元阵列的外围部分上。虚拟单元接触垫片阻止液体和气体穿过空隙而入侵，并且防止单元接触垫片受腐蚀和具有高电阻率。

一种在ＤＲＡＭ装置中形成具有金属氮化物底电极，电容器绝缘膜和上电极的圆柱形电容器的方法包括以下步骤：在圆柱孔中的底电极上形成光刻胶膜，通过使用无氧气体的等离子体灰化处理除去光刻胶膜，和在底电极上连续地形成绝缘膜和上电极。等离子体灰化处理...

本发明提供了一种具有接触插头的半导体器件的半导体器件制造方法，其中以从３０到１２０ｋｅＶ的范围内的能量和从１．０×１０↑［１３］／ｃｍ↑［２］到５．０×１０↑［１４］／ｃｍ↑［２］的范围内的注入量，将铟离子注入由形成在半导体硅衬底表面上...

提供了一种半导体器件及其制造方法，能够分别在具有多金属结构和双栅极结构的栅电极的半导体器件中，防止硅化物层中杂质的扩散，并能够减小Ｎ型多金属栅电极和Ｐ型多金属栅电极的表面电阻。Ｐ型多金属栅电极包括：包含Ｐ型杂质的Ｐ型硅层；形成在Ｐ型硅层...

本发明提供一种相变存储器装置的新的构造。即，本发明的相变存储器装置在相变层（１１５）的相变区域正上方不存在用作散热片的电极。加热器电极（１１１）以及引出电极层（１１３ａ、１１４ａ）均接触由ＧＳＴ构成的相变层（１１５）的底面。引出电极层（...

公开了一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括基板、半导体芯片和多个端子。该方法包括准备包括绝缘体的基板，所述绝缘体与绝缘体上的多个信号线路、与多个信号线路有关的多个电源线路和与多个信号线路有关的多个地线线路根据预定布局一同形成。多...

本发明的半导体器件的制造方法具有以下步骤：在衬底上形成由被处理膜或者抗蚀剂制成的图案、用作为至少包括水的液体的清洗液清洗图案、在清洗图案之后在残存在衬底上的清洗液的表面上展涂具有亲水性基团和疏水性基团的两性材料、和在展涂两性材料之后干燥...

本发明的一个目的是提供一种半导体器件和一种制造所述半导体器件的方法，其中所述半导体器件在降低漏极区中的阻抗的同时能够抑制热载流子的产生。具体地，本发明提供一种包括包含半导体硅基板的表面区域中的源极区和漏极区的场效应晶体管的半导体器件，其...

一种用于制造半导体器件的方法，由此当在相同的半导体衬底上形成两种晶体管时，在沟槽栅极晶体管和具有薄栅极绝缘膜的平面晶体管中均可获得高性能且简化了工艺。在其中由保护膜（１２）覆盖外围电路区ＰＥ中的栅极绝缘膜（１１ｓ）的情况下，在存储单元区...

用于制造电容器的方法包括：在连接到开关元件上的插塞（３０２）上或在其上方沉积夹层绝缘膜（３０６），在所述夹层绝缘膜内形成孔（６００，６００′）使得所述孔的开口部分被悬突结构（６０１，６０１′）环绕并且所述插塞暴露于所述孔的底部中，除去所...

一种半导体存储装置，其中包括多个有源区、以及排列在每一个有源区上的呈鱼骨形状的栅电极。在每一个有源区中，多个源极区与多个漏极区以矩阵方式排列。源极区共同连接到源极线，漏极区的每一个与不同存储元件的下部电极相连。根据本发明，可以向一个存储...

本发明的层叠型半导体装置，层叠多个半导体芯片，将相互不同的多个芯片识别编号分别分配给多个半导体芯片，可选择地构成所希望的半导体芯片，所述层叠型半导体装置包括：运算电路，按照所述多个半导体芯片的层叠顺序而被级联连接，进行规定的运算，输出所...

一种半导体装置，包括：硅基板，在硅基板上提供的栅绝缘体，在栅绝缘体上提供的栅电极，在栅电极的侧面上提供的第一侧壁绝缘体，在第一侧壁绝缘体上提供的第二侧壁绝缘体，以及源和漏扩散区，其中栅绝缘体在栅极长度方向的端部直接处于第一侧壁绝缘体在栅...

一种半导体器件，在半导体衬底上包括：由ＳＴＩ区包围的有源区；沿一个横切有源区的方向上形成的栅极沟槽；在栅极沟槽侧表面上形成的栅极绝缘膜；形成于栅极沟槽底部，并比栅极绝缘膜厚的绝缘膜；以及栅电极，具有在栅极沟槽中形成的至少部分栅电极。存在...

半导体存储器件含有在衬底（１）上形成的存储单元和外围晶体管。所述存储单元配置有在所述衬底上形成的选择晶体管和连接到所述选择晶体管上的电容器。所述外围晶体管的扩散层（５）通过第一接触（Ｃ１、２１、３１）连接到上层互连上。所述外围晶体管和所...

一种相变存储器件，其中电流流过由导体层、与所述导体层相连的第一接触插塞、与所述接触插塞相连的加热电极和与所述加热电极相连的相变层构成的电流通路，在所述相变层和所述加热电极之间的界面产生焦耳热而改变所述相变层的相态，从而写入信息，其中所述...

一种半导体器件包括下电极、上电极、以及与下电极和上电极相连的熔丝元件。熔丝元件的高度大于要照射的激光束的焦点深度。熔丝元件的直径小于激光束的衍射极限。因此，在本发明中使用沿垂直方向较长的熔丝元件，从而可以高效地吸收激光束能量。可以使用具...

一种相变存储器件具有不同材料接触插塞，所述不同材料接触插塞具有由第一导电材料制成的第一导电材料插塞和由第二导电材料制成的第二导电材料插塞，第二导电材料具有小于第一导电材料的电阻率，第一导电材料插塞和第二导电材料插塞埋入共用接触孔中。所述...

提出了一种半导体存储器件，包括：多个有源区，在半导体衬底中以带状形成；多条字线，以相等的间隔排列以便与有源区交叉；多个单元接触部，包括在有源区中沿其纵向在中心部分形成的第一单元接触部，和沿纵向在两端处的每一端部形成的第二单元接触部；位线...

本发明的半导体器件包括：逻辑电路，向该逻辑电路提供电源电压、低于电源电压的子电源电压、地电压和高于地电压的子地电压；提供电源电压的主电源线；以及提供地电压的主接地线。构成逻辑电路的单元电路包括第一至第三ＰＭＯＳ晶体管和第一至第三ＮＭＯＳ...