恩特格里斯公司专利技术

恩特格里斯公司共有644项专利

  • 本实用新型是针对一种蒸汽递送容器组合件。本实用新型是针对一种具有汽化器容器主体与定位在其中的至少一个支撑托盘之间的改善的热转移的汽化器或安瓿组合件。具体地说,提供了安置于容器主体与支撑托盘之间的热转移增强部件。在热转移增强部件或组合件的...
  • 本申请涉及利用增强源技术进行磷或砷离子植入。本发明描述使用固体掺杂剂磷及砷源及较高阶磷或砷植入源材料的设备及方法。在各种实施方案中,在离子源室中提供固体含磷或含砷材料以用于产生二聚物或四聚物植入物质。在其它实施方案中,通过使用反应器来分...
  • 本发明涉及一种清洁组合物,其有助于在生产半导体中去除蚀刻后残留物。提供一种储备组合物,其包含:氢氧化四烷基铵碱或季铵化三烷基烷醇胺碱;腐蚀抑制剂;和至少两种或超过两种多元酸或其盐的组合,其中至少一种所述多元酸或其盐含有磷。
  • 本发明涉及离子植入工艺及设备。本发明涉及一种离子源设备,其以使得能够采用低蒸气压掺杂剂源材料的方式生成掺杂剂物种。所述离子源设备(10)包括:离子源腔室(12);及在所述离子源腔室(12)中或与所述离子源腔室(12)相关联的可消耗结构,...
  • 一种衬底容器的门包含用于操作至少两个闩锁部件的闩锁机构。所述衬底容器可为前开式衬底容器或底开式衬底容器。所述闩锁机构可包含可旋转凸轮,所述可旋转凸轮具有与第二旋转轮廓异相的第一旋转轮廓使得当旋转所述凸轮以操作所述闩锁机构使其从脱离位置到...
  • 本发明涉及桥联不对称卤炔基六羰基二钴前驱物及其超高纯度形式、制造方法以及在气相沉积方法中使用这些桥联不对称卤炔基六羰基二钴前驱物的方法。本发明的一个方面涉及式Co2(CO)6(R
  • 本发明涉及基于源试剂的用于批量沉积的高物质通量流体的输送。本发明公开了一种系统、试剂支持盘、颗粒抑制装置和方法。一方面,系统包括具有包围内部空间的一个或多个内壁的汽化器容器和构造为在内部空间内垂直堆叠的多个试剂支持盘。将多个试剂支持盘中...
  • 本发明揭示一种化学机械平坦化CMP垫修整组合件,其包含定位于所述垫修整组合件的一或多个研磨区之间的一或多个支撑结构。可通过一或多个通道而使所述支撑结构与研磨区分离。所述一或多个支撑结构的顶部表面不与所述垫修整组合件的所述研磨区的顶部表面...
  • 本申请涉及一种用于流体容器的封盖、液体容纳系统及流体储存成套装置。所述用于流体容器的封盖包含封盖主体,所述封盖主体包含位于第一末端的基底表面和位于第二末端的开口。所述封盖主体可与所述流体容器接合。所述基底表面包含第一接合结构。所述封盖包...
  • 一种光罩舱,其包含外舱、内舱盖和内底座板。光罩支撑在所述底座上,且包含在由所述内舱盖和所述内舱底座产生的环境内。所述内舱盖可包含多个光罩保持器,其经配置以接触所述光罩的侧壁,并限制所述光罩在水平方向上的移动。
  • 本发明描述一种在衬底上形成含钼材料的方法,其中在气相沉积条件下将所述衬底与四氯氧化钼(MoOCl4)蒸气接触以在所述衬底上沉积所述含钼材料。在各种实施方案中,可采用所述衬底的二硼烷接触以建立用于(例如)通过例如脉冲化学气相沉积CVD的C...
  • 本发明涉及用于过滤隔膜的间隔件,其由穿孔薄膜形成。所述间隔件包含可用作集成层压带的未穿孔区域,其有利地省略编织及非编织间隔件织物所需要的单独层压步骤的需求,同时还提供具有均匀厚度的间隔件。
  • 本文中描述一种聚酰胺中空纤维膜,及制作且使用所述中空纤维膜的方法。所述聚酰胺中空纤维膜具有从约5L/m
  • 本发明揭示一种衬底容器,其利用闩锁机构中由旋转凸轮致动的摇臂连杆或线性凸轮布置。所述摇臂连杆或线性凸轮被安装到所述衬底容器的门的内部面板,且可被安置靠近所述内部面板的边缘部分。所述摇臂连杆或线性凸轮可经配置以在所述衬底容器的外壳上施加轴...
  • 本发明涉及一种在无包括二氧化铪(HfO2)和二氧化锆(ZrO2)中的至少一者的氧化物材料的等离子体曝露的情况下气相蚀刻所述氧化物材料的方法。所述方法涉及使所述氧化物材料与包括氯化磷和氯化钨中的至少一者的蚀刻介质接触,在条件下产生可去除的...
  • 本发明提供一种涂布有交联聚合单体的多孔聚合物膜。所述多孔聚合物膜上的涂层在其浸入有机液体中时具有电荷。本发明公开所述经涂布的多孔聚合物膜、一种利用所述膜的过滤器及一种用所述经涂布的多孔聚合物膜处理用于光致抗蚀剂的有机液体以从所述有机液体...
  • 本发明揭示一种界定供流体从流体供应器(152)朝向过程阶段(156)的流径的流体回路(160)。所述流体回路可包含多个操作组件(168),其包含主体部分(182)及多个导管连接器配件(186)。所述操作组件可由多个导管段(164)连接。...
  • 本发明描述用于实施氮离子植入的组合物、方法和设备,其在所述氮离子植入后进行易于发生故障的另一离子植入操作,例如植入砷和/或磷离子物种时避免发生严重故障。所述氮离子植入操作有利地利用引入离子植入系统的离子源室或在所述离子源室中形成的氮离子...
  • 本发明涉及一种氢化且富含三氟化硼(BF3)同位素的掺杂剂来源气体组合物。所述组合物含有(i)三氟化硼,其富含高于天然丰度的同位素原子质量11的硼(UB);和(ii)氢气,以所述组合物中三氟化硼和氢气的总体积计,所述氢气的量是2体积%到6...
  • 本发明揭示一种折叠式过滤器,其包含多孔氟聚合物过滤薄膜及定位成直接相邻于所述过滤薄膜的支撑网。在各种实施例中,所述支撑网经放置于所述过滤薄膜的流出侧及所述过滤薄膜的流入侧中的至少一者上。在一或多个实施例中,所述支撑网包含非导电氟聚合物线...