【技术实现步骤摘要】
基于源试剂的用于批量沉积的高物质通量流体的输送本申请是申请日为2013年05月31日，申请号为“201380038921.0”，而专利技术名称为“基于源试剂的用于批量沉积的高物质通量流体的输送”的专利技术专利申请的分案申请。相关申请的引用在35USC119下在此要求申请人BryanC.Hendrix等人于2012年5月31日提交的“基于源试剂的用于批量沉积的高物质通量流体的输送”的美国临时专利申请号61/654,077的优先权权益。通过引用将美国临时专利申请号61/654,077的公开的全部结合于此，用于所有的目的。
本公开涉及用于汽化在化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)和离子注入技术过程中使用的源试剂物质如液体和固体源试剂的汽化设备和系统、以及相关的方法。
技术介绍
在利用液体和固体物质作为用于CVD、ALD和离子注入中的蒸汽的源试剂时，采用多种试剂物质。可以加热试剂物质以形成输送至用于沉积或注入的工艺设备的源试剂蒸汽。为了实现成功的CVD、ALD、和离子注入，应当以一致的、受控的、和可再现的速率供应源试剂蒸汽。在制备如用于单一晶片沉积或注入的试剂蒸汽...
【技术保护点】
1.一种系统，包括：具有包围内部空间的一个或多个内壁的汽化器容器；和多个试剂支持盘，其中：所述多个试剂支持盘中的每个包括具有构造为支持供给的源试剂物质的顶面和底面的支持表面；以及所述多个试剂支持盘构造为在所述内部空间内可垂直堆叠以形成试剂支持盘叠层，其中，所述多个试剂支持盘中的一个或多个构造为重新定向通过所述试剂支持盘叠层中的两个或更多个相邻的试剂支持盘之间的气流，以使所述气流在进入所述试剂支持盘叠层中的所述多个试剂支持盘的下一个之前，在所述多个试剂支持盘的一个特定试剂支持盘中与所述源试剂物质相互作用，所述试剂支持盘包括完全跨越所述支持表面延伸并且在所述支持表面上彼此中心交...
【技术特征摘要】
2012.05.31 US 61/654,0771.一种系统，包括：具有包围内部空间的一个或多个内壁的汽化器容器；和多个试剂支持盘，其中：所述多个试剂支持盘中的每个包括具有构造为支持供给的源试剂物质的顶面和底面的支持表面；以及所述多个试剂支持盘构造为在所述内部空间内可垂直堆叠以形成试剂支持盘叠层，其中，所述多个试剂支持盘中的一个或多个构造为重新定向通过所述试剂支持盘叠层中的两个或更多个相邻的试剂支持盘之间的气流，以使所述气流在进入所述试剂支持盘叠层中的所述多个试剂支持盘的下一个之前，在所述多个试剂支持盘的一个特定试剂支持盘中与所述源试剂物质相互作用，所述试剂支持盘包括完全跨越所述支持表面延伸并且在所述支持表面上彼此中心交叉的隔板，所述隔板具有贯穿的通道，用于使气体从底面下通过所述通道流动至顶面上方,其中，每个隔板具有在所述底面下延伸第一距离的下端和上端，其中，所述底面下的气体被迫离开所述底面循环，以到达所述隔板的所述下端处的所述通道,其中，所述多个试剂支持盘包括支持盘和下层支持盘，其中，当将所述下层支持盘垂直堆叠在所述支持盘下时，所述下层支持盘的所述隔板构造为与所述支持盘的所述隔板偏置，且其中，当所述下层支持盘垂直堆叠在所述支持盘下时，所述下层支持盘的所述隔板的下层上端延伸至所述支持盘的所述支持表面的所述底面的第二距离内，并且其中，所述第一距离大于所述第二距离。2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述多个试剂支持盘中的每个构造为与所述一个或多个内壁紧密接合，使得所述隔板的所述通道提供用于所述气体从所述底面下流至顶面上方的唯一通路。3.根据权利要求1所述的系统，其中，所述多个试剂支持盘中的每个进一步包括侧壁，其中，所述侧壁基本围绕所述支持表面的外周，并且其中，将所述侧壁构造为沿着所述支持表面的外周与所述一个或多个内壁紧密接合。4.根据权利要求3所述的系统，其中，所述多个试剂支持盘包括支持盘和构造为在所述支持盘下可垂直堆叠的下层支持盘，并且其中，所述支持盘的所述侧壁的下边缘沿着所述支持表面的所述外周与所述下层支持盘的所述侧壁的上边缘接合。5.根据权利要求1所述的系统，其中，所述隔板通常是中空的，使得所述通道包括贯穿所述隔板延...
【专利技术属性】
技术研发人员：布赖恩·C·亨德里克斯，约翰·N·格雷格，斯科特·L·巴特尔，唐·K·纳伊托，凯勒·巴托什，约翰·M·克利里，泽布姆·琴，约尔丹·霍奇斯，
申请(专利权)人：恩特格里斯公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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