氢化且富含三氟化硼同位素的掺杂剂来源的气体组合物制造技术

本发明专利技术涉及一种氢化且富含三氟化硼(BF3)同位素的掺杂剂来源气体组合物。所述组合物含有(i)三氟化硼，其富含高于天然丰度的同位素原子质量11的硼(UB)；和(ii)氢气，以所述组合物中三氟化硼和氢气的总体积计，所述氢气的量是2体积％到6.99体积％。还描述使用所述掺杂剂来源气体组合物的方法，和其对应的相关设备。

Gas Compounds from Hydrogenated Dopants Rich in Boron Trifluoride Isotopes

The invention relates to a hydrogenated dopant source gas composition rich in boron trifluoride (BF3) isotopes. The composition contains (i) boron trifluoride, which is rich in boron (UB) with an atomic mass of 11 isotopes higher than natural abundance, and (i i) hydrogen. The amount of hydrogen in the composition is 2% to 6.99% in volume by the total volume of boron trifluoride and hydrogen. The method of using the dopant source gas composition and the corresponding equipment are also described.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氢化且富含三氟化硼同位素的掺杂剂来源的气体组合物相关申请案的交叉参考本申请案要求2016年3月28日申请的标题为“氢化且富含BF3同位素的掺杂剂来源的气体组合物(HydrogenatedIsotopicallyEnrichedBF3DopantSourceGasComposition)”的美国临时申请案第62/314241号的权益，出于所有目的，其内容以全文引用的方式结合在此。
本专利技术涉及一种用于离子植入中的氢化且富含三氟化硼(BF3)同位素的掺杂剂来源气体组合物，和相关的方法和设备。
技术介绍
离子植入用于集成电路制造中以在制造微电子/半导体制造期间将受控量的掺杂剂杂质精确引入到半导体晶片中。在这类植入系统中，离子源电离所需的掺杂剂元素气体，且离子呈具有所需能量的离子束的形式从来源中取出。提取通过跨越适当成形的提取电极施加高电压来实现，所述电极并入孔口用于通过提取的射束。离子束随后导引到工件(如半导体晶片)表面，以将掺杂剂元素植入工件中。射束的离子穿透工件表面以形成具有所需导电性的区域。几种类型的离子源用于离子植入系统中，包括采用热电极且由电弧供电的Freeman和Bernas本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氢化且富含三氟化硼(BF3)同位素的掺杂剂来源气体组合物，所述组合物包含(i)三氟化硼，其富含高于天然丰度的同位素原子质量11的硼(11B)；和(ii)氢气，以所述组合物中三氟化硼和氢气的总体积计，所述氢气的量是2体积％到6.5体积％。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.28 US 62/314,2411.一种氢化且富含三氟化硼(BF3)同位素的掺杂剂来源气体组合物，所述组合物包含(i)三氟化硼，其富含高于天然丰度的同位素原子质量11的硼(11B)；和(ii)氢气，以所述组合物中三氟化硼和氢气的总体积计，所述氢气的量是2体积％到6.5体积％。2.根据权利要求1所述的组合物，其中所述富含高于天然丰度的同位素原子质量11的硼(11B)的三氟化硼富含高于选自由以下组成的群组的富集含量的同位素：80.1％、85％、88％、90％、95％、96％、97％、98％、99％、99.5％、99.9％、99.99％、99.995％以及99.999％。3.根据权利要求1所述的组合物，其中所述富含高于天然丰度的同位素原子质量11的硼(11B)的三氟化硼富含高于99％的同位素。4.根据权利要求1所述的组合物，其中以所述组合物中三氟化硼和氢气的总体积计，氢气的存在量是3体积％到6.5体积％。5.根据权利要求1所述的组合物，其中以所述组合物中三氟化硼和氢气的总体积计，氢气的存在量是4体积％到6体积％。6.根据权利要求1所述的组合物，其中以所述组合物中三氟化硼和氢气的总体积计，氢气的存在量是5体积％。7.一种氢化且富含三氟化硼(BF3)同位素的掺杂剂来源气体组合物，所述组合物包含(i)三氟化硼，其富含高于99％的同位素原子质量11的硼(11B)；和(ii)氢气，以所述组合物中三氟化硼和氢气的总体积计，所述氢气的量是5体积％。8.一种硼掺杂剂气体组合物供应封装，所述封装包含气体储存和分配容器，所述容器容纳根据权利要求1到8中任一权利要求所述的氢化且富含三氟化硼(BF3)同位素的掺杂剂来源气体组合物。9.一种硼离子植入的方法，其包含向离子植入系统的离子源腔室引入根据权利要求1到7中任一权利要求所述的氢化且富含三氟化硼(BF3)同位素的掺杂剂来源气体组合物，和在所述离子源腔室中电离所述氢化且富含三氟化硼(BF3)同位素的掺杂剂来源气体组合物，以产生用于硼离子植入的含硼植入物种，其中当氢气存在时，所述含硼植入物种的射束电流与当所述离子源腔室中不存在氢气时所述含硼植入物种的射束电流相比降低小于8％。...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·毕晓普，S·N·叶达弗，O·布莱，J·斯威尼，唐瀛，
申请(专利权)人：恩特格里斯公司，
类型：发明
国别省市：美国,US