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恩特格里斯公司专利技术
恩特格里斯公司共有644项专利
批量工艺气体净化系统及相关方法技术方案
本发明描述批量工艺气体净化系统及相关方法,其包含适于在容器的外表面处使用例如气体流的一定体积的气体以在再装填步骤期间、在再装填步骤之后的冷却步骤期间或两者期间控制容器内部的温度的系统。
复合纳米多孔金属膜制造技术
本发明提供一种复合纳米多孔金属膜、其制备方法和使用其过滤超临界CO
具有侧链亲水基的亲水滤膜与其制备及使用方法技术
本申请案涉及一种具有侧链亲水基的亲水滤膜与相关制备及使用方法。所描述亲水聚合物(包含呈含有亲水聚合物的滤膜形式)具有侧链离子基;及制备具有侧链离子基的所述亲水聚合物与衍生物膜及过滤器的方法;及一种使用所述滤膜来过滤例如液体化学品的流体以...
经涂布过滤膜、过滤筒和过滤器制造技术
本实用新型涉及经涂布过滤膜、过滤筒和过滤器。描述涂布有聚酰胺的过滤膜、包含所述过滤膜的过滤器和过滤筒,以及使用和制作所述过滤膜的方法。
具有不对称孔隙结构的多孔聚乙烯滤膜,以及相关过滤器和方法技术
本发明涉及具有不对称孔隙结构的多孔聚乙烯滤膜,以及相关过滤器和方法。本发明描述包括两个相对侧且具有不对称孔隙结构的液体可流动、多孔聚乙烯滤膜;包括此类型的多孔聚乙烯滤膜的过滤器组件和过滤器;制造所述多孔聚乙烯滤膜、过滤器组件和过滤器的方...
用于蚀刻含氮化硅衬底的组合物及方法技术
本发明描述适用于湿式蚀刻包含氮化硅的微电子装置衬底的组合物及方法;所述组合物包含磷酸、六氟硅酸及氨基烷氧基硅烷及任选地一或多种额外任选的成分;使用如所描述的组合物进行的包含氮化硅及氧化硅的衬底的湿式蚀刻方法可实现适用或改进的氮化硅蚀刻速...
用于玻璃成型模具的涂层及包括涂层的模具制造技术
本发明描述玻璃形成模具,其由石墨模具本体及通过原子层沉积形成的涂层制成,其中所述涂层由氧化铝或氧化铝及氧化钇的组合制成。
具有透明窗组合件的用于固持及传送光罩的容器制造技术
本发明涉及一种用于传送光罩的盒,所述盒包含内罩盖及内底板。所述内底板与所述罩盖合作以建立用于安装光罩的空间。所述内底板包含具有周边的孔及从所述周边向内延伸的第一凸缘及第二凸缘。窗组合件安装于所述孔中。所述窗组合件包含透明板、密封件及保持...
用于试剂气体容器的热变色指示器制造技术
本发明描述一种用于结合温度敏感标签容纳例如毒性及危害性气体的气体的施配及存储容器。实例施配及存储容器包含在所述容器的内部容积内的吸附剂及试剂气体。热变色标签粘附到所述容器且以视觉方式将温度敏感信息传达给用户。
用于汽化和递送经汽化源材料的汽化器组合件制造技术
本实用新型是针对一种用于汽化和递送经汽化源材料的汽化器组合件。所述汽化器组合件具有改进的汽化器器皿主体和位于其中的支撑托盘组合件配置,它们一起增加了可汽化材料利用率和均匀性。
流体化颗粒状吸收床过滤器制造技术
本发明描述过滤产品及使用过滤产品的方法,其中所述过滤产品包括多个单元,每一单元在使用期间包含单独循环流体化床。
用于流体容器的封盖、液体容纳系统及流体储存成套装置制造方法及图纸
本申请涉及一种用于流体容器的封盖、液体容纳系统及流体储存成套装置。所述用于流体容器的封盖包含封盖主体,所述封盖主体包含位于第一末端的基底表面和位于第二末端的开口。所述封盖主体可与所述流体容器接合。所述基底表面包含第一接合结构。所述封盖包...
化学机械研磨后调配物和使用方法技术
本发明提供一种用于从其上具有化学机械研磨CMP后残余物和污染物的微电子装置清洗所述残余物和污染物的清洗组合物和方法。所述组合物在不损害低k介电材料或铜互连材料的情况下实现从所述微电子装置的表面高效清洗所述CMP后残余物和污染物材料。另外...
相对于硅选择性蚀刻硅-锗的调配物制造技术
本发明提供适用于从微电子装置中通过相对于含硅材料蚀刻含硅‑锗材料而选择性移除的组合物,所述微电子装置具有表面上含有这些材料的特征,所述组合物含有氢氟酸、乙酸、过氧化氢和至少一种额外的酸,所述酸会改良如通过蚀刻速率或选择性中的一或多者所测...
经涂布过滤膜、过滤筒、过滤器和使用与制备经涂布过滤膜的方法技术
本申请涉及经涂布过滤膜、过滤筒、过滤器和使用与制备所述经涂布过滤膜的方法。描述涂布有聚酰胺的过滤膜、包含所述过滤膜的过滤器和过滤筒,以及使用和制作所述过滤膜的方法。
化学品递送系统技术方案
本实用新型涉及一种化学品递送系统。所述化学品递送系统包含散装容器、运行/再填充腔室、第一导管及第二导管。所述散装容器存储前体。所述运行/再填充腔室包含多个间隔开的管,所述多个间隔开的管具有多个表面,所述多个表面用于以蒸汽形式接收所述前体...
具有超硬磨料增强的化学机械平坦化修整器衬垫制造技术
本申请涉及一种具有超硬磨料增强的化学机械平坦化修整器衬垫。该垫修整器包括具有带纹理或粗糙表面的特征部,具有超硬磨料晶种,例如散布在粗糙表面上的金刚石。涂层,例如多晶金刚石可应用于表面和磨料晶种上。在一个实施方式中,所述涂层的厚度是较大超...
用于从表面去除氧化铈粒子的组合物和方法技术
本发明涉及一种去除组合物和工艺,其用于从上面具有化学机械抛光CMP后污染物和氧化铈粒子的微电子装置清洁所述粒子和污染物。所述组合物实现所述氧化铈粒子和CMP污染物材料从所述微电子装置的表面的高度有效去除而不会损坏低k介电材料、氮化硅或含...
用氟退火膜涂布的制品制造技术
与具有优良耐化学性和结构完整性的涂层相关的制品和方法可以在介于约150℃与低于300℃之间的低处理温度下通过原子层沉积和氟退火制备。所述膜包含含有钇的氟化金属氧化物。
高阶节点工艺后端处理的蚀刻后残留物去除制造技术
本发明涉及一种在使用含铝蚀刻停止层的半导体的生产中帮助去除蚀刻后残留物及含铝材料、例如氧化铝的清洁组合物。所述组合物相对于低k介电材料、含钴材料和微电子装置上的其它金属对蚀刻后残留物和含铝材料具有高选择性。
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