高阶节点工艺后端处理的蚀刻后残留物去除制造技术

本发明专利技术涉及一种在使用含铝蚀刻停止层的半导体的生产中帮助去除蚀刻后残留物及含铝材料、例如氧化铝的清洁组合物。所述组合物相对于低k介电材料、含钴材料和微电子装置上的其它金属对蚀刻后残留物和含铝材料具有高选择性。

Removal of Etching Residues after High-order Node Process Back-end Treatment

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高阶节点工艺后端处理的蚀刻后残留物去除相关申请案本申请案主张2017年1月17日申请的美国临时申请案62/447,247号的权利，所述案的公开内容的全文是以引用方式全部并入本文中。
本专利技术涉及用于从微电子装置去除蚀刻后残留物的组合物及其制造及使用的方法，其中所述组合物针对相对于低k电介质材料、含钴材料和微电子装置上的其它金属的蚀刻后残留物和含铝材料具有一高选择性。
技术介绍
随着装置节点在高阶半导体制造中缩减至低于10纳米(nm)，引入新材料以获得更好的装置性能及可制造性。正在考虑的新材料的实例包含钴通路接触件、含铝蚀刻停止层和氮化钛势垒层。与含钴材料、氮化钛和低k电介质材料兼容的蚀刻后清洁化学物质实现在更小及更高阶节点处的制造工艺。在后端(BEOL)，铜(Cu)仍被用作一互连金属线，因此与铜兼容的一清洁化学调配物以及新材料是有利的。需要相对于装置中的其它层对蚀刻后残留物和含铝材料(例如，氧化铝)具有受控蚀刻速率及选择性的清洁组合物，所述其它层可包含含钴材料、铜、低k电介质和氮化钛势垒层。
技术实现思路
在使用钴通路接触件、低k电介质材料和铜互连件制造微电子装置期间，蚀刻后残留物去除本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种清洁组合物，其包括：(a)浓缩物，其包括至少一种金属腐蚀抑制剂、至少一种蚀刻剂来源、至少一种二氧化硅来源、至少一种螯合剂、和至少一种溶剂，和(b)至少一种氧化剂，其中所述清洁组合物适合于从其上具有蚀刻后残留物和含铝材料的微电子装置的表面去除所述蚀刻后残留物和含铝材料。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.01.17 US 62/447,2471.一种清洁组合物，其包括：(a)浓缩物，其包括至少一种金属腐蚀抑制剂、至少一种蚀刻剂来源、至少一种二氧化硅来源、至少一种螯合剂、和至少一种溶剂，和(b)至少一种氧化剂，其中所述清洁组合物适合于从其上具有蚀刻后残留物和含铝材料的微电子装置的表面去除所述蚀刻后残留物和含铝材料。2.根据权利要求1所述的清洁组合物，其中所述蚀刻后残留物包括选自由含钛残留物、聚合物残留物、含铜残留物、含钴残留物、含硅残留物及其组合组成的群组的至少一种物质。3.根据权利要求1所述的清洁组合物，其中所述至少一种蚀刻剂来源包括氢氧化铵或氢氧化四烷基铵。4.根据权利要求3所述的清洁组合物，其中所述至少一种蚀刻剂来源包括氢氧化胆碱。5.根据权利要求1所述的清洁组合物，其中所述至少一种金属腐蚀抑制剂包括1,2,4-三唑TAZ、5-甲基-苯并三唑mBTA、甲苯基三唑、或其组合。6.根据权利要求1所述的清洁组合物，其中所述至少一种螯合剂是乙二胺四乙酸EDTA、1,2-环己二胺-N,N,N′,N′-四乙酸CDTA、1-羟基亚乙基-1,1-二膦酸HEDP、草酸、或4-甲基吗啉-N-氧化物NMMO。7.根据权利要求6所述的清洁组合物，其中所述至少一种螯合剂是1,2-环己二胺-N,N,N′,N′-四乙酸CDTA、1-羟基亚乙基-1,1-二膦酸HEDP、或4-甲基吗啉-N-氧化物NMMO。8.根据权利要求1所述的清洁组合物，其中所述至少一种二氧化硅来源包括氟硅酸(H2SiF6)。9.根据权利要求8所述的清洁组合物，其中所述氟硅酸是通过组合至少一种氟化物来源及至少一种含硅化合物而原位制备。10.根据权利要求1所述的清洁组合物，其中所述至少一种氧化剂包括过氧化氢。11.根据权利要求1所述的清洁组合物，其中所述清洁组合物...

【专利技术属性】
技术研发人员：E·I·库珀，M·佩恩，金万涞，E·洪，涂胜宏，王界入，许家荣，
申请(专利权)人：恩特格里斯公司，
类型：发明
国别省市：美国,US