用于蚀刻含氮化硅衬底的组合物及方法技术

本发明专利技术描述适用于湿式蚀刻包含氮化硅的微电子装置衬底的组合物及方法；所述组合物包含磷酸、六氟硅酸及氨基烷氧基硅烷及任选地一或多种额外任选的成分；使用如所描述的组合物进行的包含氮化硅及氧化硅的衬底的湿式蚀刻方法可实现适用或改进的氮化硅蚀刻速率、适用或改进的氮化硅选择性、这些功能的组合以及任选地在蚀刻之后存在于衬底表面处的颗粒的减少。

Composition and method for etching silicon nitride substrate

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于蚀刻含氮化硅衬底的组合物及方法
所描述的本专利技术涉及用于在氧化硅存在下蚀刻氮化硅的组合物及方法，包含以适用或有利地高蚀刻速率及相对于氧化硅的暴露层或底层以对氮化硅的适用或有利地高选择性有效地并高效地蚀刻氮化硅材料的组合物及方法，尤其在多层半导体晶片结构中。
技术介绍
在微电子行业中，存在对改进装置性能且对减小装置大小及减小装置特征大小的持续需求。减小特征大小提供增加装置特征密度及增加装置速度的双重优点。减小特征及装置大小需要寻找新方式来改进制造微电子装置的多步骤工艺的步骤。在用于制备许多类型微电子装置的方法中，去除氮化硅的步骤为常见的。通常通过化学气相沉积从硅烷(SiH4)及氨(NH3)沉积的氮化硅的薄层(Si3N4)在微电子装置中可用作水及钠的屏障。同样，图案化氮化硅层用作空间选择性氧化硅生长的掩模。在应用之后，可需要去除这些氮化硅材料的全部或一部分，其通常通过蚀刻来进行。通过蚀刻从衬底去除氮化硅可优选地以不损害或中断微电子装置的其它暴露或覆盖特征的方式来进行。通常，去除氮化硅的工艺以优选地相对于亦存在于微电子装置衬底表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于蚀刻具有包括氮化硅SiN及氧化硅的表面的衬底的组合物，其具有相对于所述氧化硅蚀刻所述SiN的选择性，所述蚀刻组合物包括：/n浓磷酸，/n六氟硅酸HFSA，及/n氨基烷氧基硅烷。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170906 US 62/554,7721.一种用于蚀刻具有包括氮化硅SiN及氧化硅的表面的衬底的组合物，其具有相对于所述氧化硅蚀刻所述SiN的选择性，所述蚀刻组合物包括：
浓磷酸，
六氟硅酸HFSA，及
氨基烷氧基硅烷。


2.根据权利要求1所述的组合物，其包括：
5到50,000百万分率ppm六氟硅酸HFSA，及
20到10,000ppm氨基烷氧基硅烷。


3.根据权利要求1所述的组合物，其中所述氨基烷氧基硅烷具有下式：
Si(R1)(R2)(R3)(R4)
其中R1、R2、R3及R4中的每一者为烷基、烷基胺、烷氧基或羟基，R1、R2、R3及R4中的至少一者为烷氧基或羟基，且R1、R2、R3及R4中的至少一者为烷基胺。


4.根据权利要求3所述的组合物，其中R1、R2、R3及R4中的每一者为：
烷基胺，其具有下式：
-(CH2)xNW2，其中x在1到12范围内，或
-(CH2)x1-NW-(CH2)x2-NW-…(CH2)xn-NW2，其中W等于H或CH3基团；x1、x2、…xn在1-12范围内，且n≤100，
烷氧基，其具有式-O(CH2)yCH3，其中y在1到6范围内，
羟基，或
烷基，其具有式-(CH2)zCH3，其中z在1到18范围内。


5.根据权利要求1所述的组合物，其中所述氨基烷氧基硅烷为(3-氨基丙基)三乙氧基硅烷APTES、(3-氨基丙基)三甲氧基硅烷APTMSAS、(3-氨基丙基)硅烷三醇、[N-(6-氨基己基)氨基丙基三甲氧基硅烷AHAPTES或其组合。


6.根据权利要求1所述的组合物，其进一步包括羧酸化合物。


7.根据权利要求6所述的组合...

【专利技术属性】
技术研发人员：E·库珀，S·比洛迪奥，戴雯华，杨闵杰，涂胜宏，吴幸臻，金西恩，洪性辰，
申请(专利权)人：恩特格里斯公司，
类型：发明
国别省市：美国;US