本发明公开了单向ESD保护器件，包括：N+衬底；N

本实用新型公开了一种低电容的单向ESD保护器件，其P型材料正面设置P型倒掺杂区，P+扩散区，N+扩散区；N+扩散区上设置深能级杂质掺杂区；相邻两P+扩散区之间，以及相邻两N+扩散区之间，各设置介质层。介质层上分别设置阳极、阴极金属层。本...

本发明公开了一种低电容的单向ESD保护器件，其P型材料正面设置P型倒掺杂区，P+扩散区，N+扩散区；N+扩散区上设置深能级杂质掺杂区；相邻两P+扩散区之间，以及相邻两N+扩散区之间，各设置介质层。介质层上分别设置阳极、阴极金属层。一种低...

本发明公开一种低电容低残压的双向ESD保护器件及其制作方法，包括N型衬底材料、P型外延层、正面金属区和背面金属区，P型外延层顶部设有N型扩散区b，N型扩散区b之间设有P型扩散区，最外侧的N型扩散区b外侧设有N型扩散区a，P型外延层顶部设...

本发明公开了一种可增强通流能力的单向ESD保护器件及其制作方法，包括P型单晶材料、N+扩散区、P+扩散区、P扩散区、表面钝化层、金属层Ⅰ、金属层Ⅱ，其中P扩散区在金属层Ⅰ下方N+扩散区至金属层Ⅱ下方N+扩散区之间浓度逐渐降低，本发明在P...

本实用新型公开了一种低压ESD保护器件，包括N型单晶材料层、N+多晶硅、N型基区、P型基区，N型单晶材料层上依次设置第一层隔离介质、第一金属层、第二层隔离介质、第二金属层，N+多晶硅、N型基区、P型基区均设于N型单晶材料层顶部，N+多晶...

超低压触发器件，包括从下到上依次为背面金属电极、P+衬底层、N型外延层、绝缘介质层、正面金属层，N型外延层端面一边到另一边依次设P+隔离层、N+多晶硅和P型基区；P+隔离层穿通至P+衬底层；N+多晶硅、P型基区两个区域中均设P+源区、N...

本实用新型提供了一种低压低电容单向ESD保护器件，包括P型单晶材料、隔离介质层、正面金属区、背面金属区；P型单晶材料两侧设有N型隔离区，P型单晶材料的上方设有P型调整区和N型扩散区，P型单晶材料的下方设有P型调整区。本实用新型可以实现单...

本实用新型公开一种高通流能力的单向ESD保护器件及其制作方法，包括N型衬底材料，N型衬底材料正面外延有N型外延层，N型外延层内设有带高低不同的深浅PN结的P型扩散区，N型外延层上淀积隔离介质层，隔离介质层和P型扩散区外正面溅射或蒸发正面...

本实用新型公开了一种低残压低电容单向ESD保护器件，包括N型单晶，N型单晶顶面设置三个隔离介质层，相邻两个隔离介质层之间设置正面金属区，N型单晶内，顶部一侧设有P型扩散区，另一侧设置相连的N型接触区、P型接触区，P型扩散区底部为N型调整...

本发明公开了一种低压ESD保护器件及其制作方法，本发明有效地提高了芯片的利用率，降低了芯片成本；不增加元胞尺寸，减小了由于保持金属间距造成的芯片面积占用，可以将元胞尺寸缩小20%左右，电流泄放能力至少提高50%；采用正偏二极管串可以将S...

超低压触发器件，包括从下到上依次为背面金属电极、P+衬底层、N型外延层、绝缘介质层、正面金属层，N型外延层端面一边到另一边依次设P+隔离层、N+多晶硅和P型基区；P+隔离层穿通至P+衬底层；N+多晶硅、P型基区两个区域中均设P+源区、N...

本发明公开一种高通流能力的单向ESD保护器件及其制作方法，包括N型衬底材料，N型衬底材料正面外延有N型外延层，N型外延层内设有带高低不同的深浅PN结的P型扩散区，N型外延层上淀积隔离介质层，隔离介质层和P型扩散区外正面溅射或蒸发正面金属...

本发明公开了一种低残压低电容单向ESD保护器件，包括N型单晶，N型单晶顶面设置三个隔离介质层，相邻两个隔离介质层之间设置正面金属区，N型单晶内，顶部一侧设有P型扩散区，另一侧设置相连的N型接触区、P型接触区，P型扩散区底部为N型调整区，...

本发明提供了一种低压低电容单向ESD保护器件及其制作方法，该器件包括P型单晶材料、隔离介质层、正面金属区、背面金属区；P型单晶材料的两侧设有N型隔离区，P型单晶材料的上方设有P型调整区和N型扩散区，P型单晶材料的下方设有P型调整区。本发...

一种单向ESD保护器件，包含上方设P‑外延层一区和P‑调整区的N+衬底材料区；P‑外延层一区和P‑调整区上方各设P‑外延层二区Ⅰ、P‑外延层二区Ⅱ；P‑外延层二区Ⅰ、P‑外延层二区Ⅱ顶部各设N+扩散区、P+扩散区；P‑外延层二区Ⅰ和P‑...

本实用新型公开一种电压可调的双向ESD保护器件，包括N型衬底，N型衬底上生长有第一次P型外延层，第一次P型外延层注入扩散形成的P型势垒阻挡层，P型势垒阻挡层上生长的第二次P型外延层，第二次P型外延层表面注入扩散形成的N+掺杂层，隔离槽贯...

本实用新型公开一种低电容的双向ESD保护器件，包括单晶材料P‑，P‑上方的是N+扩散区，N+扩散区上方分别为金属层I和金属层II，金属层I和金属层II分别接不同的电位，金属层I和金属层II与N+扩散区之间的为介质层，P‑和N+扩散区之间...

本实用新型公开一种基于SCR结构的新型ESD保护器件，包含P+sub，P+sub上方设有P‑外延层，P+sub表面到内部有STI隔离层，STI隔离层之间设有N型掺杂层、N+掺杂层和P+掺杂层，P+掺杂层一侧直接与金属层I相接，N型掺杂层...

超低残压的双向ESD保护器件，包括P‑区（101），位于P‑区（101）上方的P+层（102）和N阱（103）；左侧N阱（103）顶部设第一P+接触区（104）以及第一N+接触区（105），左侧N阱（103）上方为阴极金属电极（109）...