一种低残压低电容单向ESD保护器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低残压低电容单向ESD保护器件，包括N型单晶，N型单晶顶面设置三个隔离介质层，相邻两个隔离介质层之间设置正面金属区，N型单晶内，顶部一侧设有P型扩散区，另一侧设置相连的N型接触区、P型接触区，P型扩散区底部为N型调整区，顶部设相连的N型接触区与P型接触区，本实用新型专利技术可以在芯片面积不变、芯片加工工序不变的条件下，获得更低的残压参数；通过高能注入的方式将N型调整区105由芯片表面位置调整到P型扩散区102底部，使得残压参数可以获得一定比例的降低；与常规结构相比，在芯片面积一定的条件下，本实用新型专利技术的残压参数可以降低10‑30%。

【技术实现步骤摘要】
一种低残压低电容单向ESD保护器件
本技术涉及电子科学
，特别涉及一种低残压低电容单向ESD保护器件。
技术介绍
对于高速信号线，比如USB（通用串行总线，UniversalSerialBus）、HDMI(高清数字接口，HighDefinitionMultimediaInterface)等经常受到ESD的冲击。需要用到低电容ESD保护器件。一般为了确保不影响信号传输，ESD保护器件的总电容需要小于1pF。对于USB3.0、USB3.1以及HDMI2.0的应用，ESD保护器件的电容要求不高于0.5pF。相比于电容参数的影响，ESD保护器件的残压（钳位电压）直接决定了保护效果的优劣。随着被保护芯片方案的不断更新，特别是诸如USB、TYPE-C接口方案的出现，残压差2V相当于差1个档次，残压差5V相当于差1代。因此，在电容参数满足客户需求的条件下，残压指标成为ESD保护器件性能的决定因素。残压越低，ESD保护器件的应用场景愈加广泛，竞争优势更大。ESD保护器件从设计结构上，主要有二极管结构、三极管结构、晶闸管结构等，二极管结构主要利用二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低残压低电容单向ESD保护器件，其特征在于：包括N型单晶，所述N型单晶顶面设置三个隔离介质层，相邻两个隔离介质层之间设置正面金属区，所述N型单晶内，顶部一侧设有P型扩散区，另一侧设置相连的N型接触区、P型接触区，所述P型扩散区底部为N型调整区，顶部设相连的N型接触区与P型接触区，P型扩散区顶部的N型接触区、P型接触区和N型单晶内顶部另一侧的N型接触区、P型接触区分别设于N型单晶顶面的两个正面金属区下方。/n

【技术特征摘要】
1.一种低残压低电容单向ESD保护器件，其特征在于：包括N型单晶，所述N型单晶顶面设置三个隔离介质层，相邻两个隔离介质层之间设置正面金属区，所述N型单晶内，顶部一侧设有P型扩散区，另一侧设置相连的N型接触区...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋文龙，杨珏琳，张鹏，李泽宏，许志峰，
申请(专利权)人：成都吉莱芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51