高维持电压单向可控硅静电保护器件制造技术

本实用新型专利技术提供了一种高维持电压单向可控硅静电保护器件，包括：N型埋层、深N阱、浅N阱和浅P阱；所述深N阱为环形，所述N型埋层位于所述深N阱的下侧；所述浅P阱包括浅P阱环和多个浅P阱条，所述浅P阱环位于所述深N阱的外侧，所述多个浅P阱条位于所述深N阱的内侧；所述浅N阱包括多个浅N阱条，所述多个浅P阱条和所述多个浅N阱条之间一一间隔排列，且最外侧的两个所述浅N阱条分别位于所述深N阱中。本实用新型专利技术具有高失效电流、高维持电压和版图面积小等特点，能有效防止闩锁效应。能对I/O端口进行有效防护。

【技术实现步骤摘要】
高维持电压单向可控硅静电保护器件
本技术涉及电子电路领域，具体地，涉及一种高维持电压单向可控硅静电保护器件。
技术介绍
可控硅(SCR:SiliconControlledRectifier)是可控硅整流器的简称。可控硅有单向、双向、可关断和光控几种类型。它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点，被广泛用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等各种自动控制和大功率的电能转换的场合。而传统的可控硅结构存在维持电压低的问题，存在闩锁效应。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷，本技术的目的是提供一种高维持电压单向可控硅静电保护器件。根据本技术提供的一种高维持电压单向可控硅静电保护器件，包括：N型埋层、深N阱、浅N阱和浅P阱；所述深N阱为环形，所述N型埋层位于所述深N阱的下侧；所述浅P阱包括浅P阱环和多个浅P阱条，所述浅P阱环位于所述深N阱的外侧，所述多个浅P阱条位于所述深N阱的内侧；所述浅N阱包括多个浅N阱条，所述多个浅P阱条和所述多个浅N阱条之间一一间隔排列，且最外侧的两个所述浅N阱条本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高维持电压单向可控硅静电保护器件，其特征在于，包括：N型埋层、深N阱、浅N阱和浅P阱；/n所述深N阱为环形，所述N型埋层位于所述深N阱的下侧；/n所述浅P阱包括浅P阱环和多个浅P阱条，所述浅P阱环位于所述深N阱的外侧，所述多个浅P阱条位于所述深N阱的内侧；/n所述浅N阱包括多个浅N阱条，所述多个浅P阱条和所述多个浅N阱条之间一一间隔排列，且最外侧的两个所述浅N阱条分别位于所述深N阱中。/n

【技术特征摘要】
1.一种高维持电压单向可控硅静电保护器件，其特征在于，包括：N型埋层、深N阱、浅N阱和浅P阱；
所述深N阱为环形，所述N型埋层位于所述深N阱的下侧；
所述浅P阱包括浅P阱环和多个浅P阱条，所述浅P阱环位于所述深N阱的外侧，所述多个浅P阱条位于所述深N阱的内侧；
所述浅N阱包括多个浅N阱条，所述多个浅P阱条和所述多个浅N阱条之间一一间隔排列，且最外侧的两个所述浅N阱条分别位于所述深N阱中。


2.根据权利要求1所述的高维持电压单向可控硅静电保护器件，其特征在于，所述浅N阱和浅P阱的上侧上分别设置有重掺杂区；
最外侧的两个所述浅N阱条上的重掺杂区分别作为阳极；
所述深N阱内侧的重掺杂区作为阴极。


3.根据权利要求1所述的高维持电压单向可控...

【专利技术属性】
技术研发人员：茅寅松，吴岩，
申请(专利权)人：上海安导电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31