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本实用新型提供了一种高维持电压单向可控硅静电保护器件，包括：N型埋层、深N阱、浅N阱和浅P阱；所述深N阱为环形，所述N型埋层位于所述深N阱的下侧；所述浅P阱包括浅P阱环和多个浅P阱条，所述浅P阱环位于所述深N阱的外侧，所述多个浅P阱条位于所...
该专利属于上海安导电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海安导电子科技有限公司授权不得商用。

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