高维持电压双向可控硅静电保护器件制造技术

本实用新型专利技术提供了一种高维持电压双向可控硅静电保护器件，包括多个单指器件，每两个单指器件之间共用阳极构成多个双指器件，多个双指器件之间共用阴极；每个单指器件包括：N型埋层、深N阱、浅N阱、第一浅P阱和第二浅P阱。浅N阱上侧设置有一个N+重掺杂区，第一浅P阱上侧设置有一个N+重掺杂区和一个P+重掺杂区，第一浅P阱和第二浅P上侧横跨设置一个P+重掺杂区；每个深N阱中靠近击穿面一侧的P+重掺杂区浮空，其余N+重掺杂区和P+重掺杂区相连，所有深N阱中相连的N+重掺杂区和P+重掺杂区依次交替作为阳极或阴极。达到了高失效电流、高维持电压、版图面积小，双向防护和器件开启速度快等特点。

【技术实现步骤摘要】
高维持电压双向可控硅静电保护器件
本技术涉及电子电路领域，具体地，涉及一种高维持电压双向可控硅静电保护器件。
技术介绍
可控硅(SCR:SiliconControlledRectifier)是可控硅整流器的简称。可控硅有单向、双向、可关断和光控几种类型。它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点，被广泛用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等各种自动控制和大功率的电能转换的场合。而传统的双向SCR结构维持电压低，存在闩锁效应，开启速度较慢。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷，本技术的目的是提供一种高维持电压双向可控硅静电保护器件。根据本技术提供的一种高维持电压双向可控硅静电保护器件，包括多个单指器件，每两个单指器件之间共用阳极构成多个双指器件，所述多个双指器件之间共用阴极；每个单指器件包括：N型埋层、深N阱、浅N阱、第一浅P阱和第二浅P阱；所述深N阱位于所述N型埋层的上侧，且呈环形；所述浅N阱设置于所述深N阱上侧，所述第一浅P阱和所述第二浅P阱设置于所述深N阱的环内；所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高维持电压双向可控硅静电保护器件，其特征在于，包括多个单指器件，每两个单指器件之间共用阳极构成多个双指器件，所述多个双指器件之间共用阴极；/n每个单指器件包括：N型埋层、深N阱、浅N阱、第一浅P阱和第二浅P阱；/n所述深N阱位于所述N型埋层的上侧，且呈环形；/n所述浅N阱设置于所述深N阱上侧，所述第一浅P阱和所述第二浅P阱设置于所述深N阱的环内；/n所述浅N阱上侧设置有一个N+重掺杂区，所述第一浅P阱上侧设置有一个N+重掺杂区和一个P+重掺杂区，所述第一浅P阱和所述第二浅P上侧横跨设置一个P+重掺杂区；/n每个所述深N阱中靠近击穿面一侧的P+重掺杂区浮空，其余N+重掺杂区和P+重掺杂区...

【技术特征摘要】
1.一种高维持电压双向可控硅静电保护器件，其特征在于，包括多个单指器件，每两个单指器件之间共用阳极构成多个双指器件，所述多个双指器件之间共用阴极；
每个单指器件包括：N型埋层、深N阱、浅N阱、第一浅P阱和第二浅P阱；
所述深N阱位于所述N型埋层的上侧，且呈环形；
所述浅N阱设置于所述深N阱上侧，所述第一浅P阱和所述第二浅P阱设置于所述深N阱的环内；
所述浅N阱上侧设置有一个N+重掺杂区，所述第一浅P阱上侧设置有一个N+重掺杂区和一个P+重掺杂区，所述第一浅P阱和所述第二浅P上侧横跨设置一个P+重掺杂区；
每个所述深N阱中靠近击穿面一侧的P+重掺杂区浮空，其余N+重掺杂区和P+重掺杂区相连，所有所述深N阱中相连的N+重掺杂区和P+重掺杂区依次交替作...

【专利技术属性】
技术研发人员：茅寅松，吴岩，
申请(专利权)人：上海安导电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31