一种单片集成钝感火工品换能元芯片制造技术

本发明专利技术涉及一种单片集成钝感火工品换能元芯片，更具体地设计一种将火工品点火换能元件和可控硅结构的保护器件等进行单片集成形成对射频（RF）和静电（ESD）钝感的单片方案。与现有技术相比，本发明专利技术的装置具有更好的可靠性、安全性、效能更优异，以及成本更加低廉、产品体积更小的特点。更进一步的，其可以作为一个单元，与更大的芯片系统进行进一步集成。

【技术实现步骤摘要】
一种单片集成钝感火工品换能元芯片
：本专利技术涉及一种将火工品点火换能元件和可控硅结构的保护器件等进行单片集成，更具体的涉及一种对RF和ESD钝感的单片集成钝感半导体桥换能元芯片及其制备方法。
技术介绍
：1968年L.E.Hollander等人公开的美国专利No#3366055披露了半导体桥换能元(SCB：SemiconductorBridge)火工品。它与传统的桥丝(Bridge-wire)火工品相比，具有高瞬发性、高安全性、高可靠性、低发火能量以及能与数字逻辑电路组合等优点。半导体桥真正引起人们的重视是在20世纪80年代中期，美国山迪亚国家实验室(SandiaNationalLab)的R.W.Bickes等人对其进行了大量的研究、改进和完善，于1987年获得美国专利No#4708060。半导体桥火工品已用于数字化或智能化武器、卫星姿态控制、弹药弹道修正、民用安全气囊和爆破工程等，已成为微型点火和传爆序列芯片研究和应用领域的热点。随着现代武器、弹药等爆炸装置及系统所处的电磁环境日益复杂和恶化，这些武器、弹药中的电火工品通过引线及耦合本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单片集成钝感火工品换能元芯片，其特征在于，该芯片将火工品换能元和防护器件单片集成在一起。/n

【技术特征摘要】
1.一种单片集成钝感火工品换能元芯片，其特征在于，该芯片将火工品换能元和防护器件单片集成在一起。


2.根据权利要求1所述的单片集成钝感火工品换能元芯片，其特征在于，所述防护器件为可控硅晶闸管结构的半导体放电管。


3.根据权利要求1或2所述的单片集成钝感火工品换能元芯片，其特征在于，所述火工品换能元为半导体桥。


4.根据权利要求3所述的单片集成钝感火工品换能元芯片，其特征在于，所述火工品换能元采用多晶硅、反应式或复合式金属膜半导体桥。


5.根据权利要求4所述的单片集成钝感火工品换能元芯片，其特征在于，所述火工品换能元采用包括NiCr、PtW、Au、NiAl、Al、CuO、Pd或Al在内的金属或者复合含能膜桥制成。


6.根据任一权利要求1、2、4或5所述的单片集成钝感火工品换能元芯片，其特征在于，所述半导体放电管是一种五层双端对称双向晶闸管。


7.根据权利要求6所述的单片集成钝感火工品换能元芯片，其特征在于，半导体放电管采用横向的NPNPN结构。


8.根据任一权利要求4、5或7所述的单片集成钝感火工品换能元芯片，其特征在于，所述火工品换能元与半导体放电管等效电路为并联连接。


9.根据权利要求8所述的单片集成钝感火工品换能元芯片，其特征在于，所述芯片采用衬底晶体硅和薄膜多晶硅共同构成NPNPN结构的半导体放电管保护机构。


10.根据任一权利要求1、2、4、5、7或9所述的单片集成钝感...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯春阳，何兆军，
申请(专利权)人：冯春阳，何兆军，
类型：发明
国别省市：浙江;33