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本实用新型提供了一种高维持电压双向可控硅静电保护器件，包括多个单指器件，每两个单指器件之间共用阳极构成多个双指器件，多个双指器件之间共用阴极；每个单指器件包括：N型埋层、深N阱、浅N阱、第一浅P阱和第二浅P阱。浅N阱上侧设置有一个N+重掺杂...
该专利属于上海安导电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海安导电子科技有限公司授权不得商用。

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