一种ESD保护器件制造技术

本发明专利技术属于功率半导体技术领域，涉及一种ESD保护器件。本发明专利技术相比于传统的横向SCR，优化了体内的电场分布，增大了体内的过电流面积，从而增大了器件的过电流能力，提高了器件的ESD保护能力，同时通过深槽的结构，减小了器件的横扩，可以实现在相同面积下更高的维持电压。本发明专利技术既充分利用SCR结构强泄流能力的特点，又通过深槽结构实现SCR在相同面积下更高的维持电压，可以实现高维持电压、低导通电阻、强鲁棒性等ESD保护性能。

【技术实现步骤摘要】
一种ESD保护器件
本专利技术属于功率半导体
，具体涉及一种ESD保护器件。
技术介绍
静电放电(electro-staticdischarge,ESD)指静电电荷在两个不同静电电位的媒体间发生相互转移的超速放电现象。放电时其速度往往处于纳秒量级并伴随着极大的电流。在集成电路迅猛发展的今天，芯片的尺寸不断减小。许多消费级电子产品的工作电压越来越低，除此之外由于主板面积的小型化，也使得消费级电子设备对静电放电更加敏感。例如笔记本电脑，手机，硬盘等电子产品，由于频繁的和人体接触极易受到静电放电的冲击，如果没有选择合适的保护器件，可能会造成机器的性能不稳定甚至损坏，造成设备制造商和消费者的损失。因此，研究高性能、高可靠性的ESD防护器件对提高集成电路的成品率和可靠性具有至关重要的作用。通常用作ESD保护的器件有二极管、GGNMOS(栅接地的NMOS)、BJT(三极管)、SCR(可控硅)等。但在某些特定应用中，需要ESD保护器件具有特定的触发电压，电流泄放能力较强，同时还需要降低ESD器件的寄生电容。这就需要在进行ESD保护器件的设计时需本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种ESD保护器件，其特征在于，包括P型衬底(201)和位于P型衬底(201)上表面的N型外延层(202)；在N型外延层(202)上层一侧具有P型重掺杂区(203)和N型重掺杂区(204)，P型重掺杂区(203)和N型重掺杂区(204)之间有间距且N型重掺杂区(204)位于外侧；N型外延层(202)、P型重掺杂区(203)和N型重掺杂区(204)上表面具有隔离介质层(205)，隔离介质层(205)上表面一侧具有阳极金属层(206)，且阳极金属层(206)贯穿P型重掺杂区(203)和N型重掺杂区(204)上表面的隔离介质层(205)从而与P型重掺杂区(203)和N型重掺杂区(204)接触；/...

【技术特征摘要】
1.一种ESD保护器件，其特征在于，包括P型衬底(201)和位于P型衬底(201)上表面的N型外延层(202)；在N型外延层(202)上层一侧具有P型重掺杂区(203)和N型重掺杂区(204)，P型重掺杂区(203)和N型重掺杂区(204)之间有间距且N型重掺杂区(204)位于外侧；N型外延层(202)、P型重掺杂区(203)和N型重掺杂区(204)上表面具有隔离介质层(205)，隔离介质层(205)上表面一侧具有阳极金属层(206)，且阳极金属层(206)贯穿P型重掺杂区(203)和N型重掺杂区(204)上表面的隔离介质层(205)从而与P型重掺杂区(203)和N型重掺杂区(20...

【专利技术属性】
技术研发人员：李泽宏，程然，王志明，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51