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本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种ESD保护器件。本发明相比于传统的横向SCR，优化了体内的电场分布，增大了体内的过电流面积，从而增大了器件的过电流能力，提高了器件的ESD保护能力，同时通过深槽的结构，减小了器件的横扩，可以实现在相同面...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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