一种低电容的双向ESD保护器件制造技术

本实用新型专利技术公开一种低电容的双向ESD保护器件，包括单晶材料P‑，P‑上方的是N+扩散区，N+扩散区上方分别为金属层I和金属层II，金属层I和金属层II分别接不同的电位，金属层I和金属层II与N+扩散区之间的为介质层，P‑和N+扩散区之间设有N‑BURY埋层扩散区。通过引入N‑BURY埋层扩散区，可以有效的扩展耗尽层，加大耗尽层的宽度，有效的减小电容，从而使双向ESD保护器件在低击穿电压的条件下，可以获得合适的低电容。通过调整N‑BURY埋层扩展区的杂质浓度、与N+扩散区的间距以及分布形貌，可以调整电容值，从而获得理想的电容值。

A low capacitance bidirectional ESD protection device

【技术实现步骤摘要】
一种低电容的双向ESD保护器件
本技术涉及属于集成电路静电放电(ESD-ElectrostaticDischarge)保护领域，具体是一种低电容的双向ESD保护器件。
技术介绍
静电放电(ESD)现象是引起集成电路产品损伤甚至失效的重要原因。集成电路产品在其生产、制造、装配以及工作过程中极易受到ESD的影响，造成产品内部损伤、可靠性降低。因此，研究高性能、高可靠性的ESD防护器件对提高集成电路的成品率和可靠性具有至关重要的作用。通常，ESD保护器件的设计需要考虑以下三个方面的问题：一是ESD保护器件要能够泄放大电流；二是ESD保护器件具有特定的触发电压及低保持电压。三是ESD防护器件需要超低的寄生电容。通常用作ESD保护的器件有二极管、GGNMOS(栅接地的NMOS)、BJT(三极管)、SCR(可控硅)等。对于双向ESD保护器件而言，一般采用如图1的结构。在P-单晶材料1上形成N+扩散区2，金属层4、金属层5分别表示ESD保护器件的两个电极端口。由N+扩散区、P-材料区组成的NPN对称结构，保证ESD保护器件的双向电压对称特性。但是由于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低电容的双向ESD保护器件，其特征在于：包括单晶材料P-，所述P-上方的是N+扩散区，所述N+扩散区上方分别为金属层I和金属层II，所述金属层I和金属层II分别接不同的电位，所述金属层I和金属层II与N+扩散区之间的为介质层，所述P-和N+扩散区之间设有N-BURY埋层扩散区。/n

【技术特征摘要】
1.一种低电容的双向ESD保护器件，其特征在于：包括单晶材料P-，所述P-上方的是N+扩散区，所述N+扩散区上方分别为金属层I和金属层II，所述金属层I和金属层II分别接不同的电位，所述金属层I和金属层II与N+扩散区之间的为介质层，所述P-和N+扩散区之间设有N-BURY埋层扩散区。


2.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋文龙，杨珏琳，张鹏，
申请(专利权)人：成都吉莱芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51