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本实用新型公开一种低电容的双向ESD保护器件，包括单晶材料P‑，P‑上方的是N+扩散区，N+扩散区上方分别为金属层I和金属层II，金属层I和金属层II分别接不同的电位，金属层I和金属层II与N+扩散区之间的为介质层，P‑和N+扩散区之间设有...
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