一种电压可调的双向ESD保护器件制造技术

技术编号:24057331 阅读:45 留言:0更新日期:2020-05-07 15:36
本实用新型专利技术公开一种电压可调的双向ESD保护器件,包括N型衬底,N型衬底上生长有第一次P型外延层,第一次P型外延层注入扩散形成的P型势垒阻挡层,P型势垒阻挡层上生长的第二次P型外延层,第二次P型外延层表面注入扩散形成的N+掺杂层,隔离槽贯穿NPN结构,隔离槽上设有绝缘介质层,N+掺杂层和绝缘介质层上设有正面金属电极,N型衬底底部设有背面金属电极。大大降低了芯片成本并提高了工艺兼容性。

A bidirectional ESD protection device with adjustable voltage

【技术实现步骤摘要】
一种电压可调的双向ESD保护器件
本技术涉及电子科学与
,具体是一种电压可调的双向ESD保护器件。
技术介绍
静电放电(ESD)现象广泛存在于日常环境中,它对于精密的集成电路来讲确实致命的威胁,是造成集成电路产品损伤甚至失效的重要原因之一。集成电路产品在其生产、制造、装配以及工作过程中极易受到ESD的影响,造成产品内部损伤、可靠性降低。并且其应用环境会对,也会对电容、击穿电压、钳位特性等参数有相应要求。针对不同应用,系统对ESD保护器件的参数要求也不一样。根据工作电压不同,相应的ESD保护等级也分为3、5V、7V、12V、24V、36V等电压等级。根据数据传输速度的快慢也对电容有不同要求,针对直流传输或者低速数据传输,可采用普通电容系列的ESD保护器件降低成本;而针对USD3.0及以上的告诉交流传输需求,需要超低电容的ESD保护器件。而针对不同的应用环境,根据系统的负载工作区,对ESD的钳位电压也有相应要求,比如针对汽车总线网络保护应用,就需要ESD的钳位电压低但又不能低于电源电压。对于集成电路而言,通常用作ESD保护的器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电压可调的双向ESD保护器件,包括N型衬底、第一次P型外延层、第二次P型外延层、P型势垒阻挡层、N+掺杂区、隔离槽、隔离介质层、正面金属电极、背面金属电极,其特征在于:所述N型衬底上生长有第一次P型外延层,所述第一次P型外延层注入扩散形成的P型势垒阻挡层,所述P型势垒阻挡层上生长的第二次P型外延层,所述第二次P型外延层表面注入扩散形成的N+掺杂层,所述隔离槽贯穿NPN结构,所述隔离槽上设有绝缘介质层,所述N+掺杂层和绝缘介质层上设有正面金属电极,所述N型衬底底部设有背面金属电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种电压可调的双向ESD保护器件,包括N型衬底、第一次P型外延层、第二次P型外延层、P型势垒阻挡层、N+掺杂区、隔离槽、隔离介质层、正面金属电极、背面金属电极,其特征在于:所述N型衬底上生长有第一次P型外延层,所述第一次P型外延层注入扩散形成...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨珏琳宋文龙张鹏
申请(专利权)人:成都吉莱芯科技有限公司
类型:新型
国别省市:四川;51

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