本申请提供了一种半导体结构

一种三维

公开了三维

本申请提供了一种半导体结构

在某些方面，一种三维

提供了三维

提供了三维

本公开提供了一种半导体器件

提供了三维

一种存储器装置包括包含存储块的存储器阵列和耦合到存储器阵列的控制电路

本公开内容涉及用于三维存储器的多管芯峰值功率管理，并且公开了存储器管芯上的峰值功率管理

一种存储器装置包括存储器单元和外围电路。存储器单元包括具有第一端子和第二端子的垂直晶体管、具有耦接到垂直晶体管的第一端子的第一端部的存储单元、以及耦接到垂直晶体管的第二端子的位线。外围电路耦接到位线。垂直晶体管包括在第一方向上延伸的半导...

本申请公开了一种存储系统及电子设备，存储系统包括基板、至少一存储芯片组和至少一控制芯片组，基板的一侧具有安装面；至少一存储芯片组设于基板的安装面，存储芯片组包括至少一存储芯片；至少一控制芯片组设于基板的安装面，控制芯片组包括至少一控制芯...

本公开内容涉及三维存储器装置中的页缓冲器电路

本申请实施方式提供三维存储器及其制备方法

本申请涉及一种晶圆

本公开实施例公开了一种存储器的制作方法及存储器，所述存储器的制作方法包括：在具有存储单元的第一衬底上形成钝化层；其中，所述存储单元位于所述第一衬底的第一表面，所述钝化层位于所述第一衬底的第二表面，所述第一衬底的第二表面为所述第一衬底的第...

本发明公开了一种能够基于

本公开涉及存储器器件及其异步多面独立读取操作

本发明涉及一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：第一基底；位于所述第一基底表面的第一粘附层；位于所述第一粘附层表面的第一键合层，所述第一粘附层的致密度大于所述第一键合层的致密度