本申请提供了一种三维存储器及其制备方法，该制备方法包括：在衬底上形成第一叠层结构；形成贯穿第一叠层结构的底部选择栅切口，并在底部选择栅切口内形成第一牺牲层；形成覆盖第一牺牲层和第一叠层结构的第二叠层结构，其中，第一叠层结构和第二叠层结构...

在某些方面中，一种存储器器件包括存储器单元的阵列、多条字线和多个缝隙结构。每个存储器单元包括垂直晶体管和耦合到垂直晶体管的存储单元。存储器单元的阵列在第一方向上以行布置并且在第二方向上以列布置。在平面图中，两个相邻行的存储器单元彼此交错...

本发明公开了一种用于半导体器件的编程方法及半导体器件。所述半导体器件包括存储串，所述存储串包括依次堆叠设置的多个第一存储单元和第一虚设单元，每个所述第一存储单元与一个字线对应连接，所述第一虚设单元的栅极与第一虚设字线连接；所述方法包括：...

在某些方面中，一种存储器器件包括垂直晶体管、存储单元、位线和主体线。垂直晶体管包括在第一方向上延伸的半导体主体。半导体主体包括掺杂的源极、掺杂的漏极和沟道部分。存储单元耦合到第一端子。第一端子是源极和漏极中的一者。位线在垂直于第一方向的...

在某些方面中，一种存储器器件包括垂直晶体管、存储单元和位线。垂直晶体管包括在第一方向上延伸的半导体主体。半导体主体包括掺杂的源极、掺杂的漏极和沟道部分。存储单元耦合到第一端子。第一端子是源极和漏极中的一者。位线在垂直于第一方向的第二方向...

在某些方面中，一种存储器器件包括：垂直晶体管，垂直晶体管包括在第一方向上延伸的半导体主体；堆叠体结构，堆叠体结构包括各自垂直于第一方向延伸的交错的电介质层和导电层；电极层，电极层包括导电材料并且耦合到半导体主体的第一端部；以及存储层，存...

一种三维(3D)存储器装置包括第一半导体结构(102)、第二半导体结构(108)以及第一半导体结构(102)和第二半导体结构(108)之间的键合界面(103)。第一半导体结构(102)包括存储器单元阵列和与NAND存储器串(208)阵列...

一种三维(3D)存储器装置包括第一半导体结构(102)、第二半导体结构(108)以及第一半导体结构(102)和第二半导体结构(108)之间的键合界面(103)。第一半导体结构(102)包括存储器单元阵列和与NAND存储器串(208)阵列...

本发明涉及一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：第一基底；在所述第一基底表面上的第一粘附/键合叠层，所述第一粘附/键合叠层包括至少一层第一粘附层和至少一层第一键合层，所述第一粘附层和第一键合层分别采用不同的材料，所述第一键合层...

本发明涉及一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：第一基底；在所述第一基底表面上的第一粘附/键合叠层，所述第一粘附/键合叠层包括至少一层第一粘附层和至少一层第一键合层，所述第一粘附层和第一键合层分别采用不同的材料，所述第一键合层...

公开了三维(3D)存储器件的擦除方法的实施方式。3D存储器件包括：垂直地堆叠在衬底之上的多个层级，其中，每个层级包括多个存储器单元。擦除方法包括：检查擦除抑制层级的多个存储器单元的状态，并根据多个存储器单元的状态来准备擦除抑制层级。擦除...

本发明实施方式提供了一种三维存储器。该三维存储器包括外围电路芯片和存储阵列芯片，外围电路芯片包括：第一衬底；第一电路元件层，设置在第一衬底上，并且包括第一器件层，第一器件层包括多个高压晶体管；第二衬底，设置在第一电路元件层上，且第二衬底...

本公开内容描述了一种三维(3D)存储器装置，包括设置在半导体层上的第一存储器阵列和第二存储器阵列。3D存储器装置还可包括设置在第一存储器阵列与第二存储器阵列之间的阶梯结构。阶梯结构包括第一阶梯区域和第二阶梯区域。第一阶梯区域包括第一阶梯...

本申请实施例提供了一种半导体结构及其制作方法、存储器装置、存储器系统，其中，所述半导体结构的制作方法包括：提供第一堆叠结构；第一堆叠结构包括若干交替堆叠设置的绝缘层和牺牲层，第一堆叠结构的至少一侧形成有第一阶梯结构，第一阶梯结构的每层阶...

本发明属于存储设备技术领域，具体涉及一种三维存储器及三维存储器制作方法。本发明旨在解决相关技术中沟道结构受力较大，容易造成沟道结构损坏的问题。该三维存储器包括衬底和堆叠结构；堆叠结构包括多个导电层和多个绝缘层；堆叠结构设置有多个沟道孔，...

本申请公开了一种非易失性存储器以及非易失性存储器的操作方法，非易失性存储器包括多个存储单元以及与多个存储单元连接的未选择的字线，该方法包括：向未选择的字线施加以第一斜率升高的第一电压，以对未选择的字线进行充电；以及响应于第一电压升高至预...

本发明提供一种三维存储器及其制备方法。三维存储器的制备方法包括：提供晶圆结构，所述晶圆结构包括存储单元阵列，所述存储单元阵列包括第一衬底、第一绝缘层以及功能层，所述第一衬底包括第一表面以及与所述第一表面相对设置的第二表面，所述第一绝缘层...

本发明实施例提供一种存储器的操作方法、存储器及存储系统。其中，所述存储器包括：存储阵列以及与存储阵列耦合的外围电路，外围电路包括：多路选择开关单元组和缓存单元组，其中；所述多路选择开关单元组，电连接到所述缓存单元组，并且用于：响应于接收...

在某一方面中，一种存储器件包括：具有多行存储单元的存储单元阵列；分别耦合至多行存储单元的字线；以及通过字线耦合至存储单元阵列的外围电路。外围电路被配置为使用第一编程电压对一行存储单元编程并且使用验证电压和小于该验证电压的采样电压对已编程...

公开了三维(3D)存储器件及用于形成其的方法的实施例。在一个示例中，一种3D存储器件包括：衬底；位于所述衬底上的存储堆叠层；各自垂直地延伸穿过所述存储堆叠层的多个沟道结构；隔离结构；以及对准标记。所述存储堆叠层包括多个交织的导体层和电介...