本公开涉及测试设备中的测试器通道复用。在某些方面，用于测试器通道的波形驱动装置包括波形发生器、位图寄存器和输出逻辑电路。波形发生器被配置为基于驱动源信号来生成波形信号。位图寄存器被配置为存储与测试器通道相关联的位图。输出逻辑电路耦合到位...

本文公开了用于编程操作的存储器设备、方法。在一方面中，一种存储器设备包括被配置为存储程序代码的存储器和处理器。处理器被配置为利用第一阶跃电压通过递增阶跃脉冲编程(ISPP)对存储器设备的第一单元执行第一编程。处理器还被配置为利用第二阶跃...

本申请提供一种散热器及固态硬盘，该散热器包括：第一壳体；第一热管，位于所述第一壳体的内表面；第二壳体，与所述第一壳体形成安装待散热器件的容纳腔；以及第二热管，位于所述第二壳体的内表面；其中，所述第一壳体和所述第二壳体分别覆盖所述待散热器...

本申请提供一种激光检测装置，该装置包括：分光取样器，设置于从激光器发射出的待测激光传播的第一光路中，从所述待测激光中分离出取样激光；波形探测器，设置于从所述分光取样器分离出的所述取样激光传播的第二光路中，对所述取样激光进行采样，其中所述...

本申请实施例公开了一种测试接触电阻的方法和晶圆测试系统，属于半导体技术领域。所述方法包括：在被测晶圆的管脚电路处于有效导通状态时，测试管脚电路的输出端与测试台之间的接触电阻。当管脚电路处于有效导通状态时，管脚电路的输出端输出有效信号，比...

本公开提供了一种用于存储装置的擦除和擦除验证的方法。该方法包括施加第一擦除电压来擦除存储装置的存储单元。将第一擦除电压逐步地增加第一擦除阶跃电压，直到存储单元通过初始擦除验证。该方法还包括通过施加子擦除验证电压来确定存储单元是通过还是未...

提供了一种半导体装置。例如，半导体装置可以包括以阵列布置在X‑Y平面中的多个晶体管。晶体管中的每个晶体管可以包括在Z方向上延伸的沟道。半导体装置还可以包括多个字线。字线中的每个字线可以在晶体管的沟道的横向壁处电连接晶体管中的在X方向上以...

本申请提供了一种存储器的编程方法、存储器及存储系统，涉及存储技术领域。所述存储器包括n个存储面，n≥2且n为整数，方法包括：从多种编程模式中确定编程任务对应的目标编程模式；响应于目标编程模式属于非全面编程模式，向目标编程模式下执行编程的...

本申请公开了一种电路板和电子设备。该电路板包括：板体，包括沿第一方向依次设置的第一避让组和第二避让组，第二避让组相比第一避让组在第一方向上更靠近板体的边缘，第一避让组和第二避让组均包括两个沿第二方向分别位于板体两侧边缘的避让缺口，第二方...

在某些方面中，3D存储器装置包括在第一区域中的沟道结构和在第二区域的第一部分中的字线拾取结构。第一区域和第二区域在第一方向上布置。3D存储器装置还包括均在第二区域的第二部分和第一区域中延伸的字线。第二区域的第一部分和第二部分在垂直于第一...

本公开涉及用于在三维存储器件中形成台阶的方法。本公开提供了一种用于形成三维(3D)存储器的方法。在示例中，该方法包括：形成具有交错的多个堆叠第一层和多个堆叠第二层的堆叠结构；在堆叠结构中形成台阶，该台阶具有顶表面上的堆叠第一层中的一个；...

本公开的各方面提供了一种半导体设备。该半导体设备包括在第一方向上交替堆叠的导电层和绝缘层的堆叠体。导电层和绝缘层的堆叠体在第一方向上具有第一面和第二面。该半导体设备则包括所述导电层和绝缘层的堆叠体的第一面的半导体层；以及在第一方向上穿过...

一种半导体装置包括多个存储块。每个存储块包括存储层叠，该存储层叠包括交错的第一导体层和第一电介质层，以及延伸以分隔开两个相邻的存储块的分隔结构。每个分隔结构包括电介质堆叠体，该电介质堆叠体包括交错的第三电介质层和第四电介质层。第三电介质...

公开了一种用于非易失性存储器装置的数据擦除的方法。该存储器包括多个存储器单元串，每个串包括串联连接的选择栅晶体管和多个存储器单元。所述方法包括向一个存储器单元串施加步进擦除电压进行擦除操作，该步进擦除电压具有步进升高形状的电压波形。所述...

一种存储器装置具有：多个第一字线，每个第一字线具有第一部分、第二部分和第三部分；多个第二字线，每个第二字线具有第一部分、第二部分和第三部分；以及存储阵列，其具有第一侧、与第一侧横向相对的第二侧、以及第三侧。每个第一字线和每个第二字线的第...

本公开涉及三维存储器器件及其形成方法。根据本公开的方面，提供了一种半导体器件。半导体器件包括具有交替的绝缘层和字线层的堆叠结构。半导体器件还包括延伸穿过堆叠结构的第一沟道结构、在堆叠结构之上的第一顶部选择栅极(TSG)层、以及在第一TS...

本文公开了三维存储器装置和用于形成三维存储器装置的方法。提供了一种半导体装置、存储器系统以及制作方法。半导体装置包括与电路结构键合的存储器结构。存储器结构包括：第一晶体管，每个第一晶体管包括在竖直方向上延伸的半导体主体；位于第一晶体管的...

本公开内容提供了一种使用读操作来控制3D NAND存储器的方法。该方法可以包括：在读操作的读时段之前的读操作的预脉冲时段期间，相对于第一参考电压电平，增加多个顶部选择栅极的电压。该方法还可以包括：在预脉冲时段期间，相对于第二参考电压电平...

本公开实施例提供一种存储器，包括存储单元阵列以及与存储单元阵列耦接的外围电路；存储单元阵列包括多个存储面；外围电路包括：与多个存储面对应的多个选中电压选择电路、与每一存储面分别对应的多个全局字线电压选择电路、与每一存储面分别对应的多个本...

公开了一种具有垂直晶体管的三维存储器件及其形成方法。在示例中，存储器件包括存储单元的阵列，每个存储单元包括垂直晶体管。沿第一方向，垂直晶体管中的一个垂直晶体管在平面图中布置在两个分隔结构之间。每个所述分隔结构包括突起，并且所述分隔结构与...