【技术实现步骤摘要】
本公开一般涉及半导体技术的领域，并且更具体地，涉及半导体装置及其制作方法。
技术介绍
1、通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制作工艺，将平面存储器单元缩放到较小的尺寸。然而，随着存储器单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性并且成本高昂。因此，平面存储器单元的存储密度接近上限。
2、三维(3d)存储器架构可以解决平面存储器单元中的密度限制。3d存储器架构包括存储阵列和用于促进存储阵列的操作的外围电路。
技术实现思路
1、在一个方面中，一种半导体装置包括：存储器结构，其包括：第一晶体管，每个第一晶体管包括在竖直方向上延伸的半导体主体，位于第一晶体管的横向侧的半导体层，延伸穿过半导体层并且横向地环绕半导体层的第一部分的第一隔离结构，延伸穿过半导体层的第一部分的第一接触结构，以及位于半导体层的第一部分上方并且与第一接触结构连接的第一接触焊盘，其中，第一接触焊盘的横向尺寸小于半导体层的第一部分的横向尺寸；以及电路结构，其包括第二晶体管，其中，电路结构与存储器结构键合...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述存储器结构还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中：
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中：
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述存储器结构还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述存储器结构还包括：
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中：
9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中：
10.根据权利要求7...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述存储器结构还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中：
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中：
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述存储器结构还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述存储器结构还包括：
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中：
9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中：
10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述存储器结构还包...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘雅琴，刘威，王言虹，黄诗琪，刘子琛，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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