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本文公开了三维存储器装置和用于形成三维存储器装置的方法。提供了一种半导体装置、存储器系统以及制作方法。半导体装置包括与电路结构键合的存储器结构。存储器结构包括：第一晶体管，每个第一晶体管包括在竖直方向上延伸的半导体主体；位于第一晶体管的横向...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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