【技术实现步骤摘要】
本公开在这里涉及一种半导体器件，更具体地，涉及一种包括相变材料层的半导体器件。
技术介绍
1、随着现代工业的发展，半导体器件被更高度地集成。特别地，在人工智能(ai)和机器学习的领域中，需要能够进行存储器内计算的半导体器件，为此，需要开发能够以低功耗进行高速数据处理的高度集成的半导体器件。为了满足这些要求，已经不断进行研究以开发使用诸如莫特转变(mott transition)、非晶-晶体转变等的相变的半导体器件。然而，为了在工业上商业化相变半导体器件，需要额外的研究和开发。
技术实现思路
1、本公开提供了一种能够执行数据存储和操作两者的半导体器件。
2、本公开还提供了一种具有改善的电特性的半导体器件。
3、本公开的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员从下面的公开内容中将清楚地理解未提及的其他目的。
4、专利技术构思的实施例提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：相变材料层，位于基底上；栅电极，设置在所述相变材料层上并且引起电荷在所述相变材料层中的累...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述相变材料层包括Mo1-xWxTe2。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述Mo1-xWxTe2中的x为0.05至0.15。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电荷是电子。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述相变材料层的厚度为2nm或更小。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅电极设置在所述相变区上。
8.根据权利要求1所述的...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述相变材料层包括mo1-xwxte2。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述mo1-xwxte2中的x为0.05至0.15。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电荷是电子。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述相变材料层的厚度为2nm或更小。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅电极设置在所述相变区上。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述相变区在所述一对源/漏电极上方延伸。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述相变区的宽度大于所述栅电极的宽度。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，当向所述栅电极施加电压时，所述相变区从六方晶系结构改变为单斜晶系结构。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，即使当从所述栅电极移除电压时...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁喜准，黄恩智，尤纳斯·阿塞法·埃舍特，
申请(专利权)人：韩国科学技术院，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。