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提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：相变材料层，位于基底上；栅电极，设置在所述相变材料层上并且引起电荷在所述相变材料层中的累积；以及一对源/漏电极，在所述相变材料层上彼此间隔开，且所述栅电极位于所述一对源/漏电极之间。所述相变材料层包...
该专利属于韩国科学技术院所有，仅供学习研究参考，未经过韩国科学技术院授权不得商用。

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