System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 显示面板及其制备方法和显示装置制造方法及图纸_技高网

显示面板及其制备方法和显示装置制造方法及图纸

技术编号:40701797 阅读:3 留言:0更新日期:2024-03-22 11:00
本申请提供的一种显示面板及其制备方法和显示装置,包括衬底,TFT器件和发光器件;TFT器件和发光器件均设置在衬底上,TFT器件与发光器件电连接。相对于传统需要在衬底上设置TFT器件完成后,再在TFT器件上侧进一步设置发光器件的结构;本申请通过将TFT器件与发光器件均设置在衬底的上,即发光器件与TFT器件在竖直高度上至少部分重叠,降低了TFT器件和发光器件的总体高度,进而降低了显示面板的厚度。如此,可以提高显示面光透过率和显示视角,进而提高显示面板的显示效果。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及显示器设备,尤其涉及一种显示面板及其制备方法和显示装置


技术介绍

1、目前的平板显示中,为达到高分辨率而广泛采用了薄膜晶体管作为有源驱动显示的基础,以此来获得高速图像转换和更高分辨率的显示效果。oled面板或qled面板通常包括薄膜晶体管(tft)和发光功能层,一般由薄膜晶体管驱动控制发光功能层显色。

2、随着移动电子设备广泛的普及,用户对电子设备中的显示器件的尺寸和厚度具有了更高的要求,但现有技术中的显示面板仍具有厚度较厚的缺点,用户体验较差。


技术实现思路

1、本申请提供一种显示面板及其制备方法和显示装置,以解决现有技术中显示面板的厚度较厚的技术问题。

2、一方面,本申请提供一种显示面板,包括:

3、衬底,tft器件和发光器件;

4、所述tft器件和所述发光器件均设置在所述衬底上,所述tft器件与所述发光器件电连接。

5、在本申请一种可能的实现方式中,所述tft器件的底面与所述发光器件的底面位于同一水平面;或者

6、所述tft器件与所述发光器件同层设置。

7、在本申请一种可能的实现方式中,所述tft器件包括第一电极层、第二电极层、半导体层,绝缘层和第四电极层,所述发光器件包括发光功能层和第三电极层;

8、所述第一电极层和所述第三电极层间隔均设置在所述衬底上;

9、所述半导体层和所述第二电极层依次层叠设置在所述第一电极层远离所述衬底的一侧,所述半导体层的侧面上设有所述第四电极层,所述半导体层与所述第四电极层之间设有所述绝缘层;

10、所述发光功能层位于所述第三电极层第三金属远离所述衬底的一侧,所述第二电极层设于所述发光功能层远离所述第三电极层的一侧且与所述第二电极层发光功能层电连接。

11、在本申请一种可能的实现方式中,所述半导体层包括沿平行于所述衬底所在平面方向设置在朝远离所述第一电极层衬底方向依次层叠设置上的第一半导体和第二半导体,所述第一电极层与所述第一半导体电连接,所述第一半导体邻接所述第二半导体,所述第一半导体的厚度小于所述第二半导体的厚度;

12、所述第一半导体包括设于所述第一电极层上的第一导体部;

13、所述第二半导体包括设于所述第二半导体远离所述第一电极层一侧的第二导体部,所述第二电极层通过所述第二导体部与所述第二半导体电连接。

14、在本申请一种可能的实现方式中,所述第一电极层包括多条金属线,多条所述金属线呈为网格状布置;

15、所述第一电极层包括第一区和第二区,在所述衬底所在平面的正投影上,所述第一区与所述第一导体部至少部分重叠,所述第二区与所述第二导体部至少部分重叠,所述第一区的所述金属线的密度不大于所述第二区的所述金属线的密度。

16、在本申请一种可能的实现方式中,所述绝缘层和所述第四电极层环绕所述半导体层设置。

17、所述发光功能层包括依次层叠设置在所述第三电极层上的电子传输层、发光层,空穴传输层和空穴注入层;

18、所述第二电极层延伸至所述空穴注入层上并与所述空穴注入层电连接。

19、在本申请一种可能的实现方式中,所述空穴注入层延伸至与所述半导体层的顶端接触;

20、所述第二电极层靠近所述半导体层的一端设有弯折部,所述弯折部环绕所述空穴注入层设置且与所述半导体层电连接。

21、在本申请一种可能的实现方式中,所述显示面板还包括:

22、钝化堤坝层,其环绕所述tft器件和所述发光器件设置,并且所述钝化堤坝层填充所述tft器件和所述发光器件之间的间隙;和/或

23、钝化改性层,其环绕所述钝化堤坝层设置并形成钝化改性区,所述钝化改性区内具有一个所述tft器件和一个所述发光器件;和/或

24、第一封装层,其位于所述堤坝层远离衬底的一侧,所述第一封装层覆盖所述tft器件和所述发光器件,在所述衬底所在平面的正投影上,所述第一封装层位于所述钝化改性区内;和/或

25、有机缓冲层,其位于所述第一封装层远离所述衬底的一侧,在所述衬底所在平面的正投影上,所述有机缓冲层位于所述钝化改性区内;和/或

26、第二封装层,其位于所述有机缓冲层远离所述衬底的一侧,在所述衬底所在平面的正投影上,所述第二封装层覆盖所述钝化改性区。

27、柔性缓冲层,所述柔性缓冲层位于所述衬底与所述tft器件和所述发光器件之间。

28、在本申请一种可能的实现方式中,所述衬底的材料选自陶瓷、玻璃、聚酰亚胺及其衍生物、聚萘二甲酸乙二醇酯、磷酸烯醇式丙酮酸、二亚苯基醚树脂、二维聚合物中的至少一种;和/或

29、所述第一电极层的材料选自铝、铜、银、碳纳米管、纳米金属棒、有机导电材料中的至少一种;和/或

30、所述第三电极层的材料为银;和/或

31、所述第二电极层的材料选自氧化铟锡、氧化铟锌、金属、石墨烯中的至少一种;和/或

32、所述半导体层的材料选自非晶硅、多晶硅、氧化物半导体、有机物半导体中的至少一种;和/或

33、所述绝缘层的材料选自有机绝缘材料、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、氧化铝、氧化铪中的至少一种;和/或

34、所述第四电极层的材料选自有机物、纳米线、铝、钼、钛、铜、银、金中的至少一种;和/或

35、所述钝化堤坝层的材料为有机聚合物;和/或

36、所述钝化改性层的材料为十八烷基三氯硅烷;和/或

37、所述第一封装层和所述第二封装层的材料分别独立包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、二氧化钛、氧化铪、氧化锆中的至少一种;和/或

38、所述有机缓冲层的材料选自氮氧化硅、碳氧化硅、聚对二甲苯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚酰亚胺中的至少一种;和/或

39、所述柔性缓冲层的材料选自氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、二氧化钛、氧化锆、氧化锌中的至少一种;和/或

40、所述第一电极层,所述第三电极层和所述第四电极层的厚度均为50~500nm;和/或

41、所述第二电极层的厚度为5~100nm;和/或

42、所述绝缘层的厚度为3~200nm;和/或

43、所述钝化堤坝层的厚度为60~6000nm;和/或

44、所述钝化改性层的厚度为60~6000nm;和/或

45、所述第一封装层和所述第二封装层的厚度均为20~500nm;和/或

46、所述有机缓冲层的厚度为0.5~20um;和/或

47、所述柔性缓冲层的厚度为500~2000nm;和/或

48、所述第二电极层的光透过率>30%。

49、另一方面,本申请还提供一种显示面板的制备方法,包括:

50、提供一衬底;

51、在所述衬底上间隔设置tft器件和发光器件,所述tft器件与所述发光器件本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种显示面板,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述TFT器件的底面与所述发光器件的底面位于同一水平面;或者

3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述TFT器件包括第一电极层、第二电极层、半导体层,绝缘层和第四电极层,所述发光器件包括发光功能层和第三电极层;

4.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述半导体层包括朝远离所述衬底方向依次层叠设置的第一半导体和第二半导体,所述第一电极层与所述第一半导体电连接,所述第一半导体的厚度小于所述第二半导体的厚度;

5.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一电极层包括多条金属线,多条所述金属线呈为网格状布置;

6.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述绝缘层和所述第四电极层环绕所述半导体层设置。

7.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述发光功能层包括依次层叠设置在所述第三电极层上的电子传输层、发光层,空穴传输层和空穴注入层;

8.如权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述空穴注入层延伸至与所述半导体层的顶端接触;

9.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:

10.如权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述衬底的材料选自陶瓷、玻璃、聚酰亚胺及其衍生物、聚萘二甲酸乙二醇酯、磷酸烯醇式丙酮酸、二亚苯基醚树脂、二维聚合物中的至少一种;和/或

11.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:

12.如权利要求11所述制备方法,其特征在于,在所述衬底上设置TFT器件和发光器件步骤中,包括:

13.如权利要求12所述制备方法,其特征在于,在所述衬底上间隔形成第一电极层和第三电极层的步骤中,包括:

14.如权利要求12所述制备方法,其特征在于,在所述第一电极层远离所述衬底的一侧形成半导体层的步骤之后,包括:

15.如权利要求14所述制备方法,其特征在于,在形成绝缘层和第四电极层步骤之后,该方法还包括:

16.如权利要求12所述制备方法,其特征在于,在所述发光显示区内形成空穴注入层之后,该方法还包括:

17.如权利要求11所述制备方法,其特征在于,在所述衬底上设置TFT器件和发光器件步骤之后,该方法还包括:

18.如权利要求11所述制备方法,其特征在于,提供一衬底步骤之后,该方法还包括:

19.一种显示装置,其特征在于,所述装置包括:

...

【技术特征摘要】

1.一种显示面板,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述tft器件的底面与所述发光器件的底面位于同一水平面;或者

3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述tft器件包括第一电极层、第二电极层、半导体层,绝缘层和第四电极层,所述发光器件包括发光功能层和第三电极层;

4.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述半导体层包括朝远离所述衬底方向依次层叠设置的第一半导体和第二半导体,所述第一电极层与所述第一半导体电连接,所述第一半导体的厚度小于所述第二半导体的厚度;

5.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一电极层包括多条金属线,多条所述金属线呈为网格状布置;

6.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述绝缘层和所述第四电极层环绕所述半导体层设置。

7.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述发光功能层包括依次层叠设置在所述第三电极层上的电子传输层、发光层,空穴传输层和空穴注入层;

8.如权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述空穴注入层延伸至与所述半导体层的顶端接触;

9.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:

【专利技术属性】
技术研发人员:李松举孙贤文付东
申请(专利权)人:广东聚华印刷显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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