【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、本公开一般涉及集成电路，并且更具体地，涉及导电线的形状和布置。
2、半导体制造技术的各种进步已经提供了用于产生越来越小的特征尺寸以及这些特征之间的越来越小的间距的能力。然而，这些更小的特征和间距继续带来制造挑战和成品率问题。
技术实现思路
1、根据本公开的一个方面，一种存储器装置，包括：多个第一字线，其中，每个第一字线具有第一部分、第二部分和第三部分；多个第二字线，其中，每个第二字线具有第一部分、第二部分和第三部分；以及存储阵列，其具有第一侧、与第一侧横向相对的第二侧、以及第三侧；其中，每个第一字线的第一部分与其第三部分间隔开，并且每个第二字线的第一部分与其第三部分间隔开，每个第一字线的第二部分与其第一部分以及其第三部分不平行且不共线，并且每个第二字线的第二部分与其第一部分以及其第三部分不平行且不共线，每个第一字线设置成使得其第二部分与第一侧相邻，并且每个第二字线设置成使得其第二部分与第二侧相邻，每个第一字线的第一部分具有第一长度，每个第一字线的第二部分具有第二长度，并且每个第一字线的第三部分具有第三长度，每个第二字线的第一部分具有第四长度，每个第二字线的第二部分具有第五长度，并且每个第二字线的第三部分具有第六长度，第一长度大于第三长度，并且第四长度大于第六长度。
2、在一些实施方式中，每个第一字线的第二部分设置在第一侧的第一预先确定的距离和第二侧的第二预先确定的距离内，第一预先确定的距离小于第二预先确定的距离，每个第二字线的第二部分设置在第
3、在一些实施方式中，存储器装置还包括：多个第一侧字线拾取结构以及多个第二侧字线拾取结构，其中，每个第一侧字线拾取结构包括对应的第一字线的至少第二部分、对应的第一字线的第一部分的一部分、以及对应的第一字线的第三部分的一部分，其中，每个第二侧字线拾取结构包括对应的第二字线的至少第二部分、对应的第二字线的第一部分的一部分、以及对应的第二字线的第三部分的一部分。
4、在一些实施方式中，存储器装置还包括：第一多个接触结构以及第二多个接触结构，其中，第一多个接触结构中的每个接触结构设置在对应的第一侧字线拾取结构处，并且第二多个接触结构中的每个接触结构设置在对应的第二侧字线拾取结构处。
5、在一些实施方式中，第一第一字线的第一部分平行于第一第二字线的第一部分。
6、在一些实施方式中，每个第一字线的第一部分横向地延伸远离存储阵列的第一侧并且朝向存储阵列的第二侧横向地延伸。
7、在一些实施方式中，存储器装置还包括第一多行存储单元，第一多行存储单元中的每行具有多个存储单元，其中，每个第一字线的第一部分耦合到第一多行存储单元中的对应行的多个存储单元。
8、在一些实施方式中，每个第二字线的第一部分横向地延伸远离存储阵列的第二侧并且朝向存储阵列的第一侧横向地延伸。
9、在一些实施方式中，存储器装置还包括第二多行存储单元，第二多行存储单元中的每行具有多个存储单元，其中，每个第二字线的第一部分耦合到第二多行存储单元中的对应行的多个存储单元。
10、在一些实施方式中，每个第一字线的第三部分延伸远离存储阵列的第一侧并且朝向存储阵列的第二侧延伸，并且每个第二字线的第三部分延伸远离存储阵列的第二侧并且朝向存储阵列的第一侧延伸。
11、根据本公开的另一方面，一种存储器装置包括：存储阵列，其具有第一侧、与第一侧相对的第二侧、以及第三侧；第一字线，其至少部分地设置在存储阵列内，并具有第一部分、第二部分和第三部分，其中，第一字线的第一部分、第二部分和第三部分是彼此连续的；第二字线，其至少部分地设置在存储阵列内，并具有第一部分、第二部分和第三部分，其中，第二字线的第一部分、第二部分和第三部分是彼此连续的；以及第一侧字线拾取结构，其包括第一字线的第二部分、第一字线的第一部分的一部分、以及第一字线的第三部分的一部分，其中，第一字线的第一部分和第三部分彼此间隔开，并且第二字线的第一部分和第三部分彼此间隔开。
12、在一些实施方式中，第一字线的第一部分比第一字线的第三部分长，第二字线的第一部分比第二字线的第三部分长，并且第一字线和第二字线设置成使得第一字线的第一部分、第一字线的第三部分、第二字线的第一部分以及第二字线的第三部分均彼此平行。
13、在一些实施方式中，第一字线和第二字线设置成使得：第一字线的第一部分与存储阵列的第三侧相距第一距离，并且第二字线的第三部分与存储阵列的第三侧相距第一距离；并且第一字线的第三部分与存储阵列的第三侧相距第二距离，并且第二字线的第一部分与存储阵列的第三侧相距第二距离。
14、在一些实施方式中，存储器装置还包括：第三字线，其具有第一部分、第二部分和第三部分，其中，第三字线的第一部分、第二部分和第三部分是彼此连续的；以及第四字线，其具有第一部分、第二部分和第三部分，其中，第四字线的第一部分、第二部分和第三部分是彼此连续的，其中，第一字线的第一部分在位线方向上与第二字线的第一部分相邻，第二字线的第一部分在位线方向上与第三字线的第一部分相邻，并且第三字线的第一部分在位线方向上与第四字线的第一部分相邻。
15、在一些实施方式中，存储器装置还包括：第三字线，其具有第一部分、第二部分和第三部分，其中，第三字线的第一部分、第二部分和第三部分是彼此连续的；以及第四字线，其具有第一部分、第二部分和第三部分，其中，第四字线的第一部分、第二部分和第三部分是彼此连续的，其中，第一字线的第一部分在位线方向上与第二字线的第一部分相邻，第一字线的第一部分在位线方向上与第三字线的第一部分相邻，并且第三字线的第一部分在位线方向上与第四字线的第一部分相邻。
16、根据本公开的又一方面，一种半导体装置包括：存储阵列，其具有第一侧、与第一侧相对的第二侧、以及第三侧，并且包括多个存储行，每个存储行包括多个存储单元；第一字线，其中，第一字线具有第一部分、第二部分和第三部分，第一字线的第二部分设置得相较于第二侧更靠近第一侧，第一部分和第三部分彼此间隔开，并且第一字线耦合到第一存储行的多个存储单元；第二字线，其中，第二字线具有第一部分、第二部分和第三部分，第二字线的第二部分设置得相较于第一侧更靠近第二侧，第一部分和第三部分彼此间隔开，并且第二字线耦合到第二存储行的多个存储单元；第三字线，其中，第三字线具有第一部分、第二部分和第三部分，第三字线的第二部分设置得相较于第二侧更靠近第一侧，第一部分和第三部分彼此平行，并且第三字线耦本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种存储器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，
3.根据权利要求2所述的存储器装置，还包括：
4.根据权利要求3所述的存储器装置，还包括：
5.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述第一第一字线的所述第一部分平行于所述第一第二字线的第一部分。
6.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，每个第一字线的所述第一部分横向地延伸远离所述存储阵列的所述第一侧并且朝向所述存储阵列的所述第二侧横向地延伸。
7.根据权利要求6所述的存储器装置，还包括：
8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，每个第二字线的所述第一部分横向地延伸远离所述存储阵列的所述第二侧并且朝向所述存储阵列的所述第一侧横向地延伸。
9.根据权利要求8所述的存储器装置，还包括：
10.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，每个第一字线的所述第三部分延伸远离所述存储阵列的所述第一侧并且朝向所述存储阵列的所述第二侧延伸，并且每个第二字线的所述第三部分延伸远离所述存储阵列的所述第二侧并且朝向所述存储
11.一种存储器装置，包括：
12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，
13.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，所述第一字线和所述第二字线设置成使得：
14.根据权利要求13所述的存储器装置，还包括：
15.根据权利要求13所述的存储器装置，还包括：
16.一种半导体装置，包括：
17.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，所述第一字线、所述第二字线和所述第三字线设置成使得所述第一字线的所述第一部分与所述第二字线的所述第一部分相邻，并且也与所述第三字线相邻。
18.根据权利要求17所述的半导体装置，其中，所述第一字线的所述第三部分和所述第二字线的所述第一部分与所述存储阵列的所述第三侧相距相同的距离。
19.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，所述第一字线、所述第二字线和所述第三字线设置成使得所述第二字线的所述第一部分与所述第一字线的所述第一部分相邻，并且也与所述第三字线的所述第一部分相邻。
20.根据权利要求19所述的半导体装置，其中，所述第二字线的所述第三部分和所述第一字线的所述第一部分与所述存储阵列的所述第三侧相距相同的距离。
21.一种形成半导体结构的方法，包括：
22.根据权利要求21所述的方法，其中，形成所述间隙包括：去除所述半导体衬底的设置在所述第一沟槽与所述第二沟槽之间的部分。
23.根据权利要求21所述的方法，还包括：
24.根据权利要求23所述的方法，其中，所述第一组的所述多个字线的所述第二部分平行于所述第二组的所述多个字线的所述第二部分。
25.根据权利要求23所述的方法，其中，所述第一组的所述多个字线和所述第二组的所述多个字线彼此交替设置。
26.根据权利要求22所述的方法，还包括：
27.根据权利要求23所述的方法，其中，所述导电材料包括至少一种金属。
28.根据权利要求22所述的方法，其中，所述第一沟槽包括第一沟槽底部，所述第二沟槽包括第二沟槽底部，并且所述方法还包括：
29.根据权利要求22所述的方法，还包括：
30.根据权利要求29所述的方法，其中，所述至少一种电介质材料包括至少硅的氧化物。
31.一种形成半导体结构的方法，包括：
32.根据权利要求31所述的方法，其中，所述第二电介质层和所述第三电介质层两者包括第一电介质材料。
33.根据权利要求32所述的方法，其中，所述第一电介质材料包括硅的氧化物。
34.根据权利要求31所述的方法，还包括：
35.根据权利要求34所述的方法，还包括：
36.一种形成用于存储阵列的字线的方法，包括：
37.根据权利要求36所述的方法，其中，设置在所述第一沟槽与所述第二沟槽之间的半导体结构形成所述第一沟槽的所述第二沟槽侧壁，并且形成所述第二沟槽的所述第一沟槽侧壁。
38.根据权利要求37所述的方法，还包括：
39.根据权利要求38所述的方法，还包括：
40.根据权利要求39所述的方法，还包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种存储器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，
3.根据权利要求2所述的存储器装置，还包括：
4.根据权利要求3所述的存储器装置，还包括：
5.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述第一第一字线的所述第一部分平行于所述第一第二字线的第一部分。
6.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，每个第一字线的所述第一部分横向地延伸远离所述存储阵列的所述第一侧并且朝向所述存储阵列的所述第二侧横向地延伸。
7.根据权利要求6所述的存储器装置，还包括：
8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，每个第二字线的所述第一部分横向地延伸远离所述存储阵列的所述第二侧并且朝向所述存储阵列的所述第一侧横向地延伸。
9.根据权利要求8所述的存储器装置，还包括：
10.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，每个第一字线的所述第三部分延伸远离所述存储阵列的所述第一侧并且朝向所述存储阵列的所述第二侧延伸，并且每个第二字线的所述第三部分延伸远离所述存储阵列的所述第二侧并且朝向所述存储阵列的所述第一侧延伸。
11.一种存储器装置，包括：
12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，
13.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，所述第一字线和所述第二字线设置成使得：
14.根据权利要求13所述的存储器装置，还包括：
15.根据权利要求13所述的存储器装置，还包括：
16.一种半导体装置，包括：
17.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，所述第一字线、所述第二字线和所述第三字线设置成使得所述第一字线的所述第一部分与所述第二字线的所述第一部分相邻，并且也与所述第三字线相邻。
18.根据权利要求17所述的半导体装置，其中，所述第一字线的所述第三部分和所述第二字线的所述第一部分与所述存储阵列的所述第三侧相距相同的距离。
19.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，所述第一字线、所述第二字线和所述第三字线设置成使得所述第二字线的所述第一部分与所述第一字线的所述第一部分...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋冬门，刘藩东，徐文祥，杜明利，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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