在某些方面中，一种存储器器件包括：存储器单元阵列，其包括第一存储器单元和第二存储器单元；以及外围电路。该外围电路包括页缓冲器电路和控制逻辑。控制逻辑被配置为：响应于接收到指示对第二存储器单元执行读取操作的暂停命令，而暂停对第一存储器单元...

提供了一种存储装置、存储系统及其方法。在方法中，将第N编程脉冲施加到与存储装置的存储单元耦合的字线，每个存储单元的目标编程状态为第i编程状态。对存储单元执行第一子验证和第M第二子验证，以分别获得第一子结果和第M第二子结果。基于第M第二子...

在某些方面中，一种存储器器件包括：存储器单元阵列，包括第一存储器单元和第二存储器单元；以及外围电路。外围电路包括页缓冲器电路和控制逻辑。控制逻辑被配置为：响应于接收到暂停命令而暂停对第一存储器单元的编程操作；控制页缓冲器电路以存储与编程...

公开了三维(3D)存储装置和制造方法。公开的3D存储装置包括：第一半导体结构，其包括：在存储堆叠体的第一区域中的第一类型贯穿堆叠结构的阵列；在所述存储堆叠体的第二区域中的第二类型贯穿堆叠结构的阵列；半导体层，其包括在所述第一类型贯穿堆叠...

公开了三维(3D)存储装置和制造方法。公开的3D存储装置包括第一半导体结构，第一半导体结构包括：第一区域中的第一类型贯穿堆叠结构的阵列和第二区域中的第二类型贯穿堆叠结构的阵列；以及将第一类型贯穿堆叠结构的阵列与第二类型通过堆叠结构的阵列...

本公开提供了制造用于NAND存储器装置的具有提高的可靠性的半导体结构的制作方法。该方法可以包括形成包括第一层、设置在第一层上的第二层和设置在第二层上的第三层的分层半导体结构。该方法还可以包括形成沟道结构，其可以包括通过该半导体结构的表面...

本公开的实施例提供了一种叠加式主板固定装置，涉及主板固定技术领域，用于在固定主板时，节省水平方向上的空间。叠加式主板固定装置包括多个承载件和连接件，所述承载件包括固定板，及与所述固定板的底面相连接的支撑部，所述支撑部连接于所述固定板的底...

本公开的各方面提供了一种半导体装置。该半导体装置包括栅极层和绝缘层的存储堆叠体。栅极层和绝缘层交替堆叠，并且在阶梯区域中形成为阶梯台阶。此外，半导体装置包括形成在阶梯区域中的阶梯台阶上的着陆堆叠体。着陆堆叠体包括对覆盖阶梯区域的接触隔离...

一种存储器件包括存储阵列和耦合到该存储阵列的外围电路。存储阵列包括：垂直晶体管，该垂直晶体管具有第一端子和第二端子；储存单元，该储存单元具有耦合到垂直晶体管的第一端子的第一端；以及位线，该位线耦合到垂直晶体管的第二端子。垂直晶体管包括沿...

在某些方面中，一种存储器器件包括存储器单元阵列和外围电路。存储器单元阵列包括第一存储器单元和第二存储器单元。外围电路包括页缓冲器电路和控制逻辑。页缓冲器电路分别耦合到第一存储器单元和第二存储器单元，并且包括感测出(SO)节点和高速缓存存...

提供了一种半导体装置及其形成方法。该方法包括：在形成具有小于第一宽度的第二宽度的多个凹槽期间，形成具有所述第一宽度的多个第一沟槽，所述多个第一沟槽和所述多个凹槽中的每一个沿着第一横向方向横向延伸并且在半导体层的上部部分中垂直延伸，所述多...

公开了一种存储装置，其包括存储阵列结构、第一外围电路以及第二外围电路。存储阵列结构包括具有第一端子和第二端子的垂直晶体管、具有耦合到垂直晶体管的第一端子的第一端的存储单元、以及耦合到垂直晶体管的第二端子的位线。第一外围电路设置在存储阵列...

本文公开了两步L形选择性外延生长。本公开提供了一种处理半导体器件的方法，所述半导体器件具有形成在衬底上方的源极牺牲层之上的堆叠层、垂直延伸穿过堆叠层和源极牺牲层的沟道结构、垂直延伸穿过堆叠层的栅极线切口沟槽、以及覆盖堆叠层的未覆盖的顶表...

提供了一种包括多个存储器管芯的存储器芯片，每个存储器管芯包括峰值功率管理电路，每个峰值功率管理电路包括第一驱动器、第二驱动器以及连接在第一驱动器和第二驱动器之间的峰值功率管理触点焊盘，且多个存储器管芯的峰值功率管理触点焊盘彼此电连接。其...

一种三维(3D)存储器器件，包括：衬底；设置在衬底上的外围器件；存储器堆叠体，设置在外围器件上方，并且包括多个导体/电介质层对；以及多个存储器串，存储器串中的每个存储器串延伸穿过存储器堆叠体。外围器件至少包括设置在衬底上的晶体管。晶体管...

公开了优化三维(3D)NAND存储器器件中的临时读取错误(TRE)的系统、方法和介质。公开的存储器器件可以包括被布置为NAND存储串的阵列的多个存储单元、耦合到存储单元的多条字线以及控制器。控制器被配置为确定下一读取操作是否是存储器器件...

提供了三维(3D)半导体装置和制造方法。在一些实施方式中，所公开的半导体装置包括：垂直晶体管阵列，每个垂直晶体管包括在垂直方向上延伸的半导体本体；多条字线，每条字线沿第一横向方向延伸并且包括在第一横向方向上布置的垂直晶体管阵列中的一行垂...

在某些方面中，一种存储器件包括：具有多行存储单元的存储单元阵列；分别耦合至多行存储单元的字线；以及通过字线耦合至存储单元阵列的外围电路。每个存储单元被配置为将N位数据段存储在2<supgt;N</supgt;个级中的一个级中...

一种半导体器件包括存储单元的阵列、耦合至所述存储单元的位线以及第一气隙。所述存储单元中的每个存储单元包括垂直晶体管。所述垂直晶体管包括沿第一方向延伸的半导体本体。所述位线中的每条位线电连接至所述半导体本体的第一端。所述第一气隙中的至少一...

本申请公开了一种存储器、存储系统及电子设备，存储器包括基板和至少两个芯片组，基板的一侧具有安装面；至少两个芯片组分别设于基板的安装面，芯片组包括至少一个存储芯片。本申请实施例提供的存储器通过将至少两个芯片组分别设于基板的安装面的不同位置...