【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、本公开内容涉及存储装置及其制造方法。
2、通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺，可以将平面存储单元缩小为更小的尺寸。然而，随着存储单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高昂。结果，用于平面存储单元的存储密度接近上限。
3、三维(three-dimensional,3d)存储架构可以解决平面存储单元中的密度限制。3d存储架构包括存储阵列和用于促进存储阵列的操作的外围电路。
技术实现思路
1、一方面，半导体器件包括存储单元阵列。所述每个存储单元包括垂直晶体管。所述垂直晶体管包括沿第一方向延伸的半导体本体。所述半导体器件还包括耦合至所述存储单元的位线。所述位线中的每条位线电连接至所述半导体本体的第一端。所述半导体器件还包括第一气隙。所述第一气隙中的至少一个第一气隙位于相邻位线之间。
2、在一些实施方式中，相邻第一气隙中的至少两个相邻第一气隙位于相邻位线之间。
3、在一些实施方式中，所述半导体器件还包...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，相邻第一气隙中的至少两个相邻第一气隙位于相邻位线之间。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中：
5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
10.根据权利要求9所...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，相邻第一气隙中的至少两个相邻第一气隙位于相邻位线之间。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中：
5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一气隙中的至少一个第一气隙被所述第一电介质层和所述第二电介质层中的一个第二电介质层包围。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述存储单元中的每个存储单元还包括：
13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述垂直晶体管还包括：
14.一种用于制造半导体器件的方法，包括：
15.根据权利要求14所述的方法，还包括：
16.根据权利要求14所述的方法，还包括：
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述第一沟槽的所述预定高度大于所述位线层的第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：许明亮，陈赫，刘威，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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