一种二维压电纳米片及其制备方法与应用技术

本发明专利技术提供一种二维压电纳米片及其制备方法与应用，所述二维压电纳米片的通式为Bi<subgt;4</subgt;AO<subgt;8</subgt;X；所述A包括元素Nb和/或元素Ta；所述X包括元素Cl和/或元素Br。所述制备方法包括如下步骤：(1)按配方量混合含Bi原料、含A原料以及熔盐，得到混合物；(2)在有氧氛围内烧结步骤(1)所得混合物，后处理后得到烧结产物；(3)对步骤(2)所得烧结产物依次进行酸刻蚀、超声剥离以及高分子修饰，得到所述二维压电纳米片。本发明专利技术提供的利用熔盐法、酸刻蚀、超声剥离以及高分子修饰方法的结合可以成功将微米材料变成二维压电纳米片；该方法拓宽了二维压电纳米片的来源，且制备方法简单、成本低、无污染。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于纳米材料，具体涉及一种纳米片，尤其涉及一种二维压电纳米片及其制备方法与应用

技术介绍

1、二维压电纳米片相对于尺寸较大的材料相比，具有大的比表面积，丰富的活性位点，与水或者氧气反应可以更容易产生高浓度活性氧物质的特点，被广泛的应用于催化降解、癌症诊疗以及消毒灭菌。癌症诊疗方面纳米压电材料可以通过产生活性氧对癌细胞进行消杀；在消毒灭菌方面上，在外界作用下，纳米压电材料可以通过产生活性物质杀死细菌病毒；常见有机污染物主要为脂肪烃、芳香烃和氯化烃等化合物，在外界刺激下纳米压电材料可以对有机污染物产生降解。

2、传统压电材料是含pb化合物或含ti化合物。虽然pb压电材料具有良好的压电性能，但是pb会污染环境和危害身体健康；含ti化合物在外界刺激下电子空穴分离效率差，在其应用上具有较大的限制。

3、bi含氧化合物化学性质稳定，具有较低的能带重叠能，同时可以较快的产生载流子。由于bi含氧化合物价带一般为bi 6s和o 2p轨道杂化形成的，而属于sillen–aurivillius双钙钛矿家族的bi含氧化合物由于其特有的层状结构，可本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种二维压电纳米片，其特征在于，所述二维压电纳米片的通式为Bi4AO8X；

2.一种如权利要求1所述二维压电纳米片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述含Bi原料包括Bi2O3和BiOX；

4.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述烧结的温度为700～1000℃；

5.根据权利要求2-4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述后处理包括依次进行的洗涤、冻干和研磨；

6.根据权利要求2-5任一项所述的制备方法，其特征在于，步...

【技术特征摘要】

1.一种二维压电纳米片，其特征在于，所述二维压电纳米片的通式为bi4ao8x；

2.一种如权利要求1所述二维压电纳米片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述含bi原料包括bi2o3和biox；

4.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述烧结的温度为700～1000℃；

5.根据权利要求2-4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述后处理包括依次进行的洗涤、冻干和研磨；

6.根据权利要求2-5任一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：董立乐，胡光耀，尤洪鹏，
申请(专利权)人：中国科学院赣江创新研究院，
类型：发明
国别省市：