【技术实现步骤摘要】
本文中公开的实施例涉及存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法。
技术介绍
1、存储器是一种类型的集成电路系统，且用于在计算机系统中存储数据。存储器可被制造成个别存储器单元的一或多个阵列。存储器单元可使用数字线(其也可称为位线、数据线或感测线)及存取线(其也可称为字线)写入或读取。感测线可沿着阵列的列导电地互连存储器单元，且存取线可沿着阵列的行导电地互连存储器单元。每一存储器单元可通过感测线与存取线的组合唯一地寻址。
2、存储器单元可为易失性、半易失性或非易失性的。非易失性存储器单元可在缺少电源的情况下长时间存储数据。非易失性存储器通常专指具有至少约10年保存时间的存储器。易失性存储器耗散且因此被刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更少的保存时间。无论如何，存储器单元经配置以使存储器以至少两种不同可选择状态保存或存储。在二进制系统中，所述状态被视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储两种以上电平或状态的信息。
3、场效应晶体管是可用于存储器单元中的一种类型的电子组件。这些晶体管包括一对导电源极/漏极区，所述一对导电源极/漏极区之间具有半导电沟道区。导电栅极邻近沟道区且通过薄栅极绝缘体与沟道区分离。将合适电压施加于栅极允许电流通过沟道区从源极/漏极区中的一者流到另一者。当从栅极移除电压时，在很大程度上防止电流流过沟道区。场效应晶体管还可包含额外结构，例如，作为栅极绝缘体与导电栅极之间的栅极构造的部分的可逆地可编程的电荷存储区。
4、快闪存储器是一
5、nand可为集成快闪存储器的基本架构。nand单元单位包括串联耦合到存储器单元的串联组合的至少一个选择装置(其中所述串联组合通常称为nand串)。nand架构可经配置成包括个别地包括可逆地可编程的竖直晶体管的竖直堆叠的存储器单元的三维布置。控制或其它电路系统可经形成于竖直堆叠的存储器单元下方。其它易失性或非易失性存储器阵列架构还可包括个别地包括晶体管的竖直堆叠的存储器单元。
6、存储器阵列可经布置成存储器页、存储器块及部分块(例如子块)及存储器平面，例如第2015/0228651号、第2016/0267984号及第2017/0140833号美国专利公开申请案中的任一者中展示及描述。存储器块可至少部分界定竖直堆叠的存储器单元的个别字线层级中的个别字线的纵向轮廓。到这些字线的连接可在竖直堆叠的存储器单元的阵列的端部或边缘处以所谓的“阶梯结构”的形式出现。阶梯结构包含界定个别字线的接触区的个别“楼梯”(替代地称为“梯级”或“阶梯”)，立向延伸的导电通路在接触区上接触以提供对字线的电接入。
技术实现思路
1、在一方面中，本公开提供一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：形成包括竖直交替的不同组成的下第一层级与下第二层级的下堆叠，所述下堆叠包括延伸穿过所述下第一层级及所述下第二层级的下沟道材料串；直接在所述下堆叠上方形成上堆叠，所述上堆叠包括竖直交替的不同组成的上第一层级与上第二层级，所述上堆叠包括选择栅极晶体管的上沟道材料串，所述上沟道材料串中的个别者直接电耦合到所述下沟道材料串中的个别者，所述上及下第一层级至少在成品电路系统构造中是导电的，所述上及下第二层级是绝缘的且包括绝缘材料；及绝缘体层级，其包括直接在所述上第一层级中的最下者下方且直接在所述下第一层级中的最上者上方的绝缘体材料，所述绝缘体材料具有与所述上第二层级的所述绝缘材料的组成不同的组成且具有与所述下第二层级的所述绝缘材料的组成不同的组成。
2、在另一方面中，本公开提供一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：形成包括竖直交替的不同组成的下第一层级与下第二层级的下堆叠，所述下堆叠包括延伸穿过所述下第一层级及所述下第二层级的下沟道材料串；直接在所述下堆叠上方形成上堆叠，所述上堆叠包括竖直交替的不同组成的上第一层级与上第二层级，所述上堆叠包括选择栅极晶体管的上沟道材料串，所述上沟道材料串中的个别者直接电耦合到所述下沟道材料串中的个别者，所述上及下第一层级至少在成品电路系统构造中是导电的，所述上及下第二层级是绝缘的；及绝缘体层级，其包括直接在所述上第一层级中的最下者下方且直接在所述下第一层级中的最上者上方的绝缘体材料；所述绝缘体材料包括碳掺杂氮化硅、氧化铪、碳掺杂氧化铪、硼、碳掺杂硼、氧化硼、碳掺杂氧化硼、氧化锆、碳掺杂氧化锆、氧化铝及碳掺杂氧化铝中的至少一者。
3、在又一方面中，本公开提供一种包括存储器单元串的存储器阵列，其包括：下堆叠，其包括竖直交替的下绝缘层级与下导电层级，存储器单元串包括延伸穿过所述下绝缘层级及所述下导电层级的下沟道材料串；上堆叠，其包括直接在所述下堆叠上方的竖直交替的上绝缘层级与上导电层级，所述上堆叠包括选择栅极晶体管的上沟道材料串，且所述上沟道材料串个别地在所述下沟道材料串中的个别者上方且直接电耦合到所述下沟道材料串中的所述个别者，所述上及下绝缘层级包括绝缘材料；及绝缘体层级，其包括直接在所述上导电层级中的最下者下方且直接在所述下导电层级中的最上者上方的绝缘体材料，所述绝缘体材料具有与所述上绝缘层级的所述绝缘材料的组成不同的组成且具有与所述下绝缘层级的所述绝缘材料的组成不同的组成。
4、在又一方面中，本公开提供一种包括存储器单元串的存储器阵列，其包括：下堆叠，其包括竖直交替的下绝缘层级与下导电层级，存储器单元串包括延伸穿过所述下绝缘层级及所述下导电层级的下沟道材料串；上堆叠，其包括直接在所述下堆叠上方的竖直交替的上绝缘层级及上导电层级，所述上堆叠包括选择栅极晶体管的上沟道材料串，且所述上沟道材料串个别地在所述下沟道材料串中的个别者上方且直接电耦合到所述下沟道材料串中的个别者；及绝缘体层级，其包括直接在所述上导电层级中的最下者下方且直接在所述下导电层级中的最上者上方的绝缘体材料；所述绝缘体材料包括碳掺杂氮化硅、氧化铪、碳掺杂氧化铪、硼、碳掺杂硼、氧化硼、碳掺杂氧化硼、氧化锆、碳掺杂氧化锆、氧化铝及碳掺杂氧化铝中的至少一者。
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1.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其包括穿过所述上第一及第二层级蚀刻水平伸长的沟槽以形成子块及使用所述绝缘体层级的所述绝缘体材料作为蚀刻停止件以形成将在所述绝缘体层级的所述绝缘体材料顶上或内部的所述水平伸长的沟槽中的个别者的底部。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述上第二层级的所述绝缘材料及所述下第二层级的所述绝缘材料具有相对于彼此相同的组成。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘体层级包括具有与所述绝缘体材料的组成不同的组成且是直接在所述绝缘体材料上方及直接在所述绝缘体材料下方中的至少一者的绝缘材料。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述绝缘材料既直接在所述绝缘体材料上方又直接在所述绝缘体材料下方。
6.根据权利要求4所述的方法，其中所述绝缘材料仅直接在所述绝缘体材料上方。
7.根据权利要求4所述的方法，其中所述绝缘材料仅直接在所述绝缘体材料下方。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，
9.根据权利要求8所述的方法
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘体材料包括碳掺杂氮化硅、氧化铪、碳掺杂氧化铪、硼、碳掺杂硼、氧化硼、碳掺杂氧化硼、氧化锆、碳掺杂氧化锆、氧化铝及碳掺杂氧化铝中的至少一者。
11.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其包括所述至少一者中的仅一者。
13.根据权利要求11所述的方法，其包括所述至少一者中的多于一者。
14.根据权利要求11所述的方法，其包括穿过所述上第一及第二层级蚀刻水平伸长的沟槽以形成子块及使用所述绝缘体层级的所述绝缘体材料作为蚀刻停止件以形成将在所述绝缘体层级的所述绝缘体材料顶上或内部的所述水平伸长的沟槽中的个别者的底部。
15.根据权利要求11所述的方法，其中所述绝缘体层级包括具有与所述绝缘体材料的组成不同的组成且是直接在所述绝缘体材料上方及直接在所述绝缘体材料下方中的至少一者的绝缘材料。
16.根据权利要求11所述的方法，其中：
17.一种包括存储器单元串的存储器阵列，其包括：
18.根据权利要求17所述的存储器阵列，其中所述绝缘体层级包括具有与所述绝缘体材料的组成不同的组成且是直接在所述绝缘体材料上方及直接在所述绝缘体材料下方中的至少一者的绝缘材料。
19.根据权利要求18所述的存储器阵列，其中所述绝缘材料既直接在所述绝缘体材料上方又直接在所述绝缘体材料下方。
20.根据权利要求18所述的存储器阵列，其中所述绝缘材料仅直接在所述绝缘体材料上方。
21.根据权利要求18所述的存储器阵列，其中所述绝缘材料仅直接在所述绝缘体材料下方。
22.根据权利要求17所述的存储器阵列，其中，
23.根据权利要求22所述的存储器阵列，其中所述绝缘体材料是同质的。
24.根据权利要求17所述的存储器阵列，其中所述绝缘体材料包括碳掺杂氮化硅、氧化铪、碳掺杂氧化铪、硼、碳掺杂硼、氧化硼、碳掺杂氧化硼、氧化锆、碳掺杂氧化锆、氧化铝及碳掺杂氧化铝中的至少一者。
25.一种包括存储器单元串的存储器阵列，其包括：
26.根据权利要求25所述的存储器阵列，其包括所述至少一者中的仅一者。
27.根据权利要求25所述的存储器阵列，其包括所述至少一者中的多于一者。
28.根据权利要求25所述的存储器阵列，其中所述绝缘体层级包括具有与所述绝缘体材料的组成不同的组成且是直接在所述绝缘体材料上方及直接在所述绝缘体材料下方中的至少一者的绝缘材料。
29.根据权利要求25所述的存储器阵列，其中，
30.根据权利要求25所述的存储器阵列，其中所述绝缘体材料包括碳掺杂氮化硅。
31.根据权利要求25所述的存储器阵列，其中所述绝缘体材料包括氧化铪。
32.根据权利要求25所述的存储器阵列，其中所述绝缘体材料包括碳掺杂氧化铪。
33.根据权利要求25所述的存储器阵列，其中所述绝缘体材料包括硼。
34.根据权利要求25所述的存储器阵列，其中所述绝缘体材料包括碳掺杂硼。
35.根据权利要求25所述的存储器阵列，其中所述绝缘体材料包括氧化硼。
36.根据权利要求25所述的存储器阵列，其中所述绝缘体材料包括碳掺杂氧化硼。
37.根据权利要求25所述的存储器阵列，...
【技术特征摘要】
1.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其包括穿过所述上第一及第二层级蚀刻水平伸长的沟槽以形成子块及使用所述绝缘体层级的所述绝缘体材料作为蚀刻停止件以形成将在所述绝缘体层级的所述绝缘体材料顶上或内部的所述水平伸长的沟槽中的个别者的底部。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述上第二层级的所述绝缘材料及所述下第二层级的所述绝缘材料具有相对于彼此相同的组成。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘体层级包括具有与所述绝缘体材料的组成不同的组成且是直接在所述绝缘体材料上方及直接在所述绝缘体材料下方中的至少一者的绝缘材料。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述绝缘材料既直接在所述绝缘体材料上方又直接在所述绝缘体材料下方。
6.根据权利要求4所述的方法，其中所述绝缘材料仅直接在所述绝缘体材料上方。
7.根据权利要求4所述的方法，其中所述绝缘材料仅直接在所述绝缘体材料下方。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述绝缘体材料是同质的。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘体材料包括碳掺杂氮化硅、氧化铪、碳掺杂氧化铪、硼、碳掺杂硼、氧化硼、碳掺杂氧化硼、氧化锆、碳掺杂氧化锆、氧化铝及碳掺杂氧化铝中的至少一者。
11.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其包括所述至少一者中的仅一者。
13.根据权利要求11所述的方法，其包括所述至少一者中的多于一者。
14.根据权利要求11所述的方法，其包括穿过所述上第一及第二层级蚀刻水平伸长的沟槽以形成子块及使用所述绝缘体层级的所述绝缘体材料作为蚀刻停止件以形成将在所述绝缘体层级的所述绝缘体材料顶上或内部的所述水平伸长的沟槽中的个别者的底部。
15.根据权利要求11所述的方法，其中所述绝缘体层级包括具有与所述绝缘体材料的组成不同的组成且是直接在所述绝缘体材料上方及直接在所述绝缘体材料下方中的至少一者的绝缘材料。
16.根据权利要求11所述的方法，其中：
17.一种包括存储器单元串的存储器阵列，其包括：
18.根据权利要求17所述的存储器阵列，其中所述绝缘体层级包括具有与所述绝缘体材料的组成不同的组成且是直接在所述绝缘体材料上方及直接...
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