【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种三维(3d)存储装置及其制作方法。
技术介绍
1、随着人工智能(ai)、大数据、物联网、移动装置和通信、以及云存储等的不断兴起和发展，对存储容量的需求呈指数级增长。
2、通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺，平面存储单元被缩放到更小的尺寸。然而，随着存储单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高昂。结果，平面存储单元的存储密度接近上限。
3、三维(3d)存储器架构可以解决平面存储单元中的密度限制。3d存储器架构包括存储阵列和用于促进存储阵列的操作的外围电路。
技术实现思路
1、在一个方面，本公开提供了一种用于形成三维(3d)存储装置的方法，包括：形成第一半导体结构，其包括：在第一区域中形成第一类型贯穿堆叠结构的阵列以及在第二区域中形成第二类型贯穿堆叠结构的阵列，以及形成缝隙结构以将第一类型贯穿堆叠结构的阵列与第二类型贯穿堆叠结构的阵列分隔开；形成第二半导体结构，其包括：在不同层级处形成第一外围电路和第二外...
【技术保护点】
1.一种用于形成三维(3D)存储装置的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一半导体结构还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述第一半导体结构还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述第一类型贯穿堆叠结构和所述第二类型贯穿堆叠结构包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其中：
6.根据权利要求5所述的方法，其中，形成所述FeFET贯穿堆叠结构包括：
7.根据权利要求4所述的方法，其中：
8.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述FeRAM...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于形成三维(3d)存储装置的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一半导体结构还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述第一半导体结构还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述第一类型贯穿堆叠结构和所述第二类型贯穿堆叠结构包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其中：
6.根据权利要求5所述的方法，其中，形成所述fefet贯穿堆叠结构包括：
7.根据权利要求4所述的方法，其中：
8.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述feram贯穿堆叠结构包括：
9.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述过孔包括：
10.根据权利要求9所述的方法，还包括：
11.根据权利要求3所述的方法，还包括：
12.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述第二半导体结构包括：
13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述第一外围电路包括：
14.根据权利要求13所述的方法，其中，形成所述第二外围电路包括：
15.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：范冬宇，赵冬雪，周文犀，夏志良，霍宗亮，刘威，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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