本公开提供一种存储系统封装结构及其制作方法。存储系统封装结构包括存储模块、存储控制器、电连接到存储控制器的重分布层、包封存储模块和存储控制器的塑料包封层、以及在垂直方向上延伸并被配置为向存储模块提供电功率的一个或多个连接柱。每个存储模块...

提出了用于擦除三维(3D)存储器件的存储数据的方法。3D存储器件包括多个存储块，每个存储块具有多个存储串，所述多个存储串具有垂直地堆叠的存储单元。每个存储单元可通过字线和位线来寻址。可以通过在阵列公共源上施加擦除电压并在选定的存储块的字...

本申请提供了三维存储器及其制备方法、存储系统，存储器包括：底部选择栅结构；设置于底部选择栅结构上的叠层结构，包括沿叠层结构的厚度的第一方向在其中延伸的沟道层，沟道层具有第一导电类型杂质；设置于叠层结构上的顶部选择栅结构，底部选择栅结构和...

公开了用于对半导体器件进行热处理的方法。一种方法包括：获得具有非晶硅的处理区域的图案；使激光束与处理区域对准，激光束在聚焦激光光斑中，聚焦激光光斑具有等于或大于处理区域的光斑区域；以及通过朝向处理区域发射激光束持续处理时段来对处理区域执...

本发明提供一种三维存储器及其制作方法，该三维存储器包括堆叠结构、栅线缝隙结构、绝缘隔断结构、第一触点结构及第二触点结构，其中，堆叠结构划分为多个存储区块，存储区块包括挡墙结构及相邻设置的下层阶梯结构，多个第一触点结构分布于第一及第四阶梯...

本公开内容涉及一种包括阶梯结构的存储器结构。阶梯结构可以包括底部选择栅极、形成在底部选择栅极上方的板线、以及形成在板线上方的字线。柱可延伸穿过底部选择栅极、板线和字线。该存储器结构还可以包括形成在柱下方的源极结构和形成在柱上方的漏极帽。...

本公开涉及一种三维存储器及其形成方法。所述三维存储器的形成方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底表面具有第一堆叠结构、以及覆盖于所述第一堆叠结构表面的连接层；形成贯穿所述连接层的开口和贯穿所述第一堆叠结构的第一沟道孔，所述开口与所述第一...

在某些方面中，一种存储器器件包括垂直晶体管、存储单元和位线。垂直晶体管包括在第一方向上延伸的半导体主体。半导体主体包括掺杂的源极、掺杂的漏极和沟道部分。存储单元耦合到第一端子。第一端子是源极和漏极中的一者。位线在垂直于第一方向的第二方向...

在一个方面，一种页缓冲器包括：第一锁存器，该第一锁存器被配置为存储编程验证信息；第二锁存器，该第二锁存器被配置为存储第一位线强制信息；以及动态锁存器，该动态锁存器被配置为存储第二位线强制信息。第一位线强制信息不同于第二位线强制信息。动态...

一种存储器设备包括存储单元阵列和外围电路。所述存储单元阵列可以包括被配置为存储第一类型数据的一个或多个第一存储单元，以及被配置为存储第二类型数据的一个或多个第二存储单元。所述外围电路可以耦合至所述存储单元阵列并且被配置为：对所述一个或多...

本公开涉及一种半导体器件及其形成方法。根据本公开的实施例，提供了一种半导体器件，其可以包括由在衬底之上交替地堆叠的字线层和绝缘层来形成的堆叠体。第一块的第一阶梯可以形成于堆叠体中并且在第一块的第一阵列区之间延伸。第二块的第二阶梯可以形成...

在确定对多个存储单元中的一个存储单元的第一读取操作已经失败之后，开始对存储单元的第二读取操作。在第二读取操作中，第二通过电压被施加到第一未选定字线，并且第一通过电压被施加到第二未选定字线。第一未选定字线包括邻近于选定字线的一个或多个字线...

本公开内容的方面提供了一种存储器系统、半导体设备以及用于半导体设备的制造方法。半导体设备包括具有栅极层和绝缘层的存储器堆叠体，并且栅极层和绝缘层交替堆叠。半导体设备还包括形成在存储器堆叠体中的第一沟道孔中的第一沟道结构。第一沟道结构包括...

一种三维(3D)存储器器件包括沿第一方向布置的多个存储器堆叠体、以及设置在两个相邻存储器堆叠体之间的虚设块结构。每个存储器堆叠体包括沿垂直于第一方向的第二方向交替堆叠的多个第一导电层和多个第一电介质层。沟道结构沿第二方向延伸穿过多个第一...

本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。三维存储器包括：叠层结构，包括交替叠置的栅极层和绝缘层；沟道结构，贯穿所述叠层结构；顶部选择堆叠层，位于所述叠层结构的一侧，所述顶部选择堆叠层包括间隔层和至少一对交替堆叠的顶部电介质层和顶部选择栅...

本公开涉及一种三维存储器及其制造方法，该三维存储器包括：衬底，所述衬底上形成有栅极层和介电层交替堆叠的堆叠结构，其中，位于所述堆叠结构底部的栅极层提供底部选择栅极；多个沟道结构，垂直穿过所述堆叠结构并到达所述衬底内；第一栅线隔槽，沿第一...

本申请提供一种半导体器件、三维存储器及半导体器件制备方法，半导体器件包括衬底，多个栅极、与多个所述栅极对应的第一触点以及数个第二触点；多个所述栅极间隔设于所述衬底的表面上，且每两个相邻的所述栅极之间有间隔区，所述衬底的表面上设有位于所述...

提供了一种用于对三维(3D)存储设备进行编程的方法。3D存储设备具有多个存储串，多个存储串具有垂直堆叠的存储单元，且每个存储单元可通过字线和位线寻址。对3D存储设备进行编程的方法包括以下步骤：在所选字线上施加编程电压；在第一组未选字线上...

本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。三维存储器的制备方法包括：在衬底的一侧形成包括堆叠的伪栅极层和层间绝缘层的叠层结构，各个相邻的所述伪栅极层和所述层间绝缘层形成多个阶梯台阶，其中暴露每个所述阶梯台阶的所述层间绝缘层的至少一部分；形...

本公开内容涉及用于对存储器器件执行操作的方法。存储器器件可以包括：底部选择栅极；底部选择栅极上方的板线；板线上方的字线；延伸穿过底部选择栅极、板线和字线的柱；柱下方的源极线；柱上方的漏极帽；以及形成在漏极帽上方的位线。方法可以包括将第一...