三维存储器及其制造方法技术

本公开涉及一种三维存储器及其制造方法，该三维存储器包括：衬底，所述衬底上形成有栅极层和介电层交替堆叠的堆叠结构，其中，位于所述堆叠结构底部的栅极层提供底部选择栅极；多个沟道结构，垂直穿过所述堆叠结构并到达所述衬底内；第一栅线隔槽，沿第一方向延伸并将所述多个沟道结构划分成至少两个存储块，所述第一栅线隔槽包括第一隔离区，所述第一隔离区将所述第一栅线隔槽隔断形成多个第一子栅线隔槽；第一连接结构，沿所述第一方向连接被所述第一隔离区隔断的相邻的所述第一子栅线隔槽；以及底部选择栅极切线，沿第一方向延伸并穿过所述第一隔离区中的底部选择栅极，所述底部选择栅极切线将相邻的存储块的底部选择栅极隔开。极隔开。极隔开。极隔开。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：王清清，王健舻，徐伟，曾明，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：