半导体器件、三维存储器及半导体器件制备方法技术

本申请提供一种半导体器件、三维存储器及半导体器件制备方法，半导体器件包括衬底，多个栅极、与多个所述栅极对应的第一触点以及数个第二触点；多个所述栅极间隔设于所述衬底的表面上，且每两个相邻的所述栅极之间有间隔区，所述衬底的表面上设有位于所述间隔区的源极，每一所述栅极包括连接面，每一所述栅极的连接面上设有一个所述第一触点，所述第一触点在所述连接面的正投影呈长条状，且所述第一触点的长度延伸方向与所述栅极长度方向相同；数个所述第二触点设于所述衬底上，且位于所述间隔区内与所述源极连接，所述第二触点与所述第一触点结构相同，且所述第二触点与第一触点并列设置。列设置。列设置。列设置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：