半导体器件和包括该半导体器件的电子系统技术方案

公开了半导体器件和包括其的电子系统。该半导体器件可以包括：堆叠结构，在第一方向上延伸并且包括垂直堆叠在基板上的栅电极；在堆叠结构上水平间隔开的选择结构；上隔离结构，在选择结构之间并在堆叠结构上沿第一方向延伸；以及穿透堆叠结构和选择结构的垂直结构。垂直结构包括第一垂直结构，该第一垂直结构沿第一方向排列并且穿透上隔离结构的部分。每个选择结构包括选择栅电极和围绕选择栅电极的顶表面、底表面和侧壁表面的水平电介质图案。每个选择栅电极包括在第一方向上延伸的线部分、以及从线部分垂直突出并围绕每个第一垂直结构的至少一部分的电极部分。结构的至少一部分的电极部分。结构的至少一部分的电极部分。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件和包括该半导体器件的电子系统


[0001]本专利技术构思涉及半导体器件和包括该半导体器件的电子系统。

技术介绍

[0002]在可能需要数据存储的电子系统中具有能够存储大量数据的半导体器件可能是必需的。因此，已经进行了研究以增加半导体器件的数据存储容量。例如，作为增加半导体器件的数据存储容量的方法，已经提出了包括三维排列的存储器单元而不是二维排列的存储器单元的半导体器件。

技术实现思路

[0003]本专利技术构思的一些实施方式提供了一种具有改进的可靠性和/或增加的集成度的半导体器件。
[0004]本专利技术构思的一些实施方式提供了一种包括该半导体器件的电子系统。
[0005]专利技术构思的实施方式的方面不限于上面提及的，并且上面没有提及的其它方面对于本领域的技术人员来说将从下面的描述清楚地理解。
[0006]根据本专利技术构思的一些实施方式，一种半导体器件可以包括：堆叠结构，在第一方向上延伸并且包括垂直堆叠在基板上的多个栅电极；多个选择结构，在堆叠结构上彼此水平地间隔开；上隔离结构，在所述多个选择本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：堆叠结构，在第一方向上延伸并且包括垂直堆叠在基板上的多个栅电极；多个选择结构，在所述堆叠结构上彼此水平间隔开；上隔离结构，在所述多个选择结构之间在所述堆叠结构上沿所述第一方向延伸；以及多个垂直结构，穿透所述堆叠结构和所述多个选择结构，其中所述多个垂直结构包括多个第一垂直结构，所述多个第一垂直结构穿透所述上隔离结构的部分并沿所述第一方向排列，其中所述多个选择结构中的每个包括选择栅电极和水平电介质图案，其中，在所述多个选择结构的每个中，所述水平电介质图案围绕所述选择栅电极的顶表面、所述选择栅电极的底表面、和所述选择栅电极的侧壁表面，所述选择栅电极包括线部分和电极部分，所述线部分在所述第一方向上延伸，以及所述电极部分从所述线部分垂直突出并围绕所述多个第一垂直结构中的每个的至少一部分。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个垂直结构中的每个包括下垂直结构和上垂直结构，所述下垂直结构穿透所述多个栅电极，以及所述上垂直结构穿透所述多个选择结构当中的对应的选择结构的所述选择栅电极，其中，在所述多个垂直结构的每个中，所述下垂直结构包括下沟道图案、围绕所述下沟道图案的数据存储层、以及在所述下沟道图案上的下导电焊盘，以及其中，在所述多个垂直结构的每个中，所述上垂直结构包括连接到所述下导电焊盘的上沟道图案、围绕所述上沟道图案的选择栅极电介质图案、以及在所述上沟道图案上的上导电焊盘。3.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述水平电介质图案包括第一侧壁部分和第二侧壁部分，所述第一侧壁部分在所述对应的选择结构的所述电极部分与所述上垂直结构之间，以及所述第二侧壁部分连接到所述第一侧壁部分，以及所述第二侧壁部分在所述上隔离结构与所述对应的选择结构的所述选择栅电极之间。4.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述水平电介质图案的所述第一侧壁部分在所述上垂直结构的所述选择栅极电介质图案与所述对应的选择结构的所述选择栅电极的所述电极部分之间。5.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述水平电介质图案在所述上隔离结构与所述对应的选择结构的所述选择栅电极的所述电极部分之间，以及所述水平电介质图案在所述上隔离结构与所述对应的选择结构的所述选择栅电极的所述线部分之间。6.如权利要求2所述的半导体器件，其中
在所述对应的选择结构中，所述选择栅电极的所述电极部分的底表面与所述多个垂直结构中的对应的垂直结构的所述下垂直结构的顶表面垂直间隔开。7.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述选择栅极电介质图案是单层。8.如权利要求1所述的半导体器件，其中在所述多个选择结构当中的对应的选择结构中，所述选择栅电极的所述电极部分包括第一部分和第二部分，所述第一部分连接到所述线部分，以及所述第二部分与所述上隔离结构接触。9.如权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述多个选择结构当中的对应的选择结构中，所述选择栅电极的所述线部分围绕所述多个第一垂直结构中的对应的第一垂直结构的一部分。10.如权利要求1所述的半导体器件，其中在所述多个选择结构当中的对应的选择结构中，所述电极部分完全围绕所述多个第一垂直结构中的对应的第一垂直结构。11.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个垂直结构进一步包括与所述上隔离结构间隔开的多个第二垂直结构，以及在所述多个选择结构当中的对应的选择结构中，所述选择栅电极进一步包括从所述线部分垂直突出并完全围绕所述多个第二垂直结构中的对应的第二垂直结构的辅助电极部分。12.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个垂直结构进一步包括与所述上隔离结构间隔开的多个第二垂直结构，以及在所述多个选择结构当中的对应的选择结构中，每个所述选择栅电极的所述线部分完全围绕所述多个第二垂直结构中的对应的第二垂直结构。13.如权利要求1所述的半导体器件，其中在所述多个选择结...

【专利技术属性】
技术研发人员：李相炖，金俊成，金智源，金宰浩，成锡江，李钟旻，郑恩宅，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：