存储器装置制造方法及图纸

一种存储器装置包括包含存储块的存储器阵列和耦合到存储器阵列的控制电路

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】存储器装置、存储器系统及其操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求享有于
2022
年4月
12
日提交的中国申请
No.202210382032.7
的优先权的权益，其全部内容通过引用的方式并入本文
。


[0003]本公开涉及存储器装置
、
存储器系统及其操作方法
。

技术介绍

[0004]非易失性存储器已广泛用于各种领域中的电子设备中
。
闪存是最广泛使用的可以被电擦除和重新编程的非易失性存储器中的一种
。
闪存可以包括
NOR
和
NAND
架构的存储器
。
闪存中的每个存储器单元的阈值电压变为所需电平以实现各种操作，例如读取
、
编程和擦除
。
当操作闪存时，可以在存储块级执行擦除操作，可以在页级执行编程操作，并且可以在存储器单元级执行读取操作
。
可以通过识别多个不同的可允许阈值电压范围来实现多状态闪存的编程
。
多编程状态闪存的存储器单元的编程通常采用交替执行编程操作及验证操作的多次遍历编程
。
因此，编程时间相对较长
。

技术实现思路

[0005]在一方面，一种存储器装置包括具有存储块的存储器阵列，每一个存储块包括存储子块，并且每一个存储子块包括至少一个存储器单元
。
所述存储器装置还包括耦合到存储器阵列的控制电路
。
所述控制电路被配置为：当对存储块的第一存储块执行多次遍历编程操作时，在第一存储块的第一存储子块中的存储器单元的非最后一遍编程期间，确定在将第一存储块的第一存储子块中的存储器单元编程到一个或多个第一目标编程状态之后的验证操作的验证循环计数，并且当使用与第一存储块的第一存储子块相同的编程和验证条件将第一存储块的第二存储子块中的存储器单元编程到一个或多个第一目标编程状态时，在第一存储块的第二存储子块中的存储器单元的非最后一遍编程期间，至少不执行与验证循环计数中的最后一个验证循环计数相对应的验证操作
。
[0006]在一些实施方式中，将第一存储块的第一存储子块中的存储器单元编程到一个或多个第一目标编程状态包括将第一存储块的第一存储子块中的存储器单元编程到多个第一目标编程状态
。
[0007]在一些实施方式中，当将第一存储块的第一存储子块中的存储器单元编程到多个第一目标编程状态时，控制电路还被配置为：在第一存储块的第一存储子块中的存储器单元的非最后一遍编程期间，确定在将第一存储块的第一存储子块中的存储器单元编程到每一个第一目标编程状态之后的对应验证操作的每个验证循环计数
。
[0008]在一些实施方式中，控制电路还被配置为：在第一存储块的第二存储子块中的存储器单元的非最后一遍编程期间，根据与每一个第一目标编程状态相对应的所确定的验证循环计数中的每一个验证循环计数，设置需要对第一存储块的第二存储子块中的存储器单
元执行的验证操作的数量
。
[0009]在一些实施方式中，通过在第一遍编程期间利用具有第一步长的第一增量阶跃脉冲编程
(Incremental Step Pulse Programming
，
ISPP)
将第一存储块中的存储器单元编程到第一验证电平并且在最后一遍编程期间利用具有第二步长的第二
ISPP
将存储器单元编程到第二验证电平，对存储块的第一存储块执行多次遍历编程操作，其中第一步长大于第二步长
。
[0010]在一些实施方式中，控制电路被配置为：当对存储块的第二存储块执行多次遍历编程操作时，在第二存储块的第一存储子块中的存储器单元的非最后一遍编程期间，确定在将第二存储块的第一存储子块中的存储器单元编程到一个或多个第二目标编程状态之后的验证操作的验证循环计数，并且当使用与第二存储块的第一存储子块相同的编程和验证条件将第二存储块的第二存储子块中的存储器单元编程到一个或多个第二目标编程状态时，在第二存储块的第二存储子块中的存储器单元的非最后一遍编程期间，至少不执行与验证循环计数中的最后一个验证循环计数相对应的验证操作
。
[0011]在一些实施方式中，存储器阵列是三维
NAND
存储器阵列
。
[0012]在另一方面，一种存储器装置包括具有存储块的存储器阵列，每一个存储块包括存储子块，并且每一个存储子块包括至少一个存储器单元
。
所述存储器装置还包括耦合到存储器阵列的控制电路
。
所述控制电路被配置为：当对存储块的第一存储块执行多次遍历编程操作时，在第一存储块的第一存储子块中的存储器单元的非最后一遍编程期间，确定在将第一存储块的第一存储子块中的存储器单元编程到一个或多个第一目标编程状态之后的验证操作的
m
个验证循环计数，其中
m
是整数，并且当使用与第一存储块的第一存储子块相同的编程和验证条件将第一存储块的第二存储子块中的存储器单元编程到一个或多个第一目标编程状态达
n
次时，其中
n
是整数，并且
n
大于1且小于
m
，在第一存储块的第二存储子块中的存储器单元的第
n+1
至第
m
遍编程期间，使用与第一存储块的第一存储子块相同的编程条件将编程电压施加到第一存储块的第二存储子块中的存储器单元
。
[0013]在一些实施方式中，控制电路被配置为：当使用与第一存储块的第一存储子块相同的编程和验证条件将第一存储块的第二存储子块中的存储器单元编程到一个或多个第一目标编程状态达
n
次时，其中
n
是整数，并且
n
大于1且小于
m
，在第一存储块的第二存储子块中的存储器单元的第
m+1
遍编程之后，禁止将编程电压施加到第一存储块的第二存储子块中的存储器单元
。
[0014]在一些实施方式中，通过增加施加到耦合到存储器阵列的位线的位线电压来执行禁止将编程电压施加到第一存储块的第二存储子块中的存储器单元
。
[0015]在又一方面，提供了一种用于存储器装置的编程操作方法
。
所述存储器装置包括存储器阵列，所述存储器阵列包括存储块，每一个存储块包括存储子块，并且每一个存储子块包括至少一个存储器单元
。
所述编程操作方法包括：当对存储块的第一存储块执行多次遍历编程操作时，在第一存储块的第一存储子块中的存储器单元的非最后一遍编程期间，确定在将第一存储块的第一存储子块中的存储器单元编程到一个或多个第一目标编程状态之后的验证操作的验证循环计数，并且当使用与第一存储块的第一存储子块相同的编程和验证条件将第一存储块的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种存储器装置，包括：存储器阵列，包括存储块，其中，每一个所述存储块包括存储子块，并且每一个所述存储子块包括至少一个存储器单元；以及控制电路，耦合到所述存储器阵列，其中，所述控制电路被配置为：当对所述存储块的第一存储块执行多次遍历编程操作时，在所述第一存储块的第一存储子块中的所述存储器单元的非最后一遍编程期间，确定在将所述第一存储块的所述第一存储子块中的所述存储器单元编程到一个或多个第一目标编程状态之后的验证操作的验证循环计数；以及当使用与所述第一存储块的所述第一存储子块相同的编程和验证条件将所述第一存储块的第二存储子块中的所述存储器单元编程到所述一个或多个第一目标编程状态时，在所述第一存储块的所述第二存储子块中的所述存储器单元的所述非最后一遍编程期间，至少不执行与所述验证循环计数中的最后一个验证循环计数相对应的验证操作
。2.
根据权利要求1所述的存储器装置，其中，将所述第一存储块的所述第一存储子块中的所述存储器单元编程到一个或多个第一目标编程状态包括：将所述第一存储块的所述第一存储子块中的所述存储器单元编程到多个第一目标编程状态
。3.
根据权利要求2所述的存储器装置，其中，当将所述第一存储块的所述第一存储子块中的所述存储器单元编程到所述多个第一目标编程状态时，所述控制电路还被配置为：在所述第一存储块的所述第一存储子块中的所述存储器单元的所述非最后一遍编程期间，确定在将所述第一存储块的所述第一存储子块中的所述存储器单元编程到每一个所述第一目标编程状态之后的对应验证操作的每个验证循环计数
。4.
根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述控制电路还被配置为：在所述第一存储块的所述第二存储子块中的所述存储器单元的所述非最后一遍编程期间，根据与每一个所述第一目标编程状态相对应的所确定的验证循环计数中的每一个验证循环计数，设置需要对所述第一存储块的所述第二存储子块中的所述存储器单元执行的验证操作的数量
。5.
根据权利要求1所述的存储器装置，其中，通过在第一遍编程期间利用具有第一步长的第一增量阶跃脉冲编程
(ISPP)
将所述第一存储块中的存储器单元编程到第一验证电平并且在最后一遍编程期间利用具有第二步长的第二
ISPP
将所述存储器单元编程到第二验证电平，对所述存储块的所述第一存储块执行所述多次遍历编程操作，其中，所述第一步长大于所述第二步长
。6.
根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制电路被配置为：当对所述存储块的第二存储块执行多次遍历编程操作时，在所述第二存储块的第一存储子块中的存储器单元的非最后一遍编程期间，确定在将所述第二存储块的所述第一存储子块中的所述存储器单元编程到一个或多个第二目标编程状态之后的验证操作的验证循环计数；并且当使用与所述第二存储块的所述第一存储子块相同的编程和验证条件将所述第二存储块的第二存储子块中的所述存储器单元编程到所述一个或多个第二目标编程状态时，在所述第二存储块的所述第二存储子块中的所述存储器单元的所述非最后一遍编程期间，至
少不执行与所述验证循环计数中的最后一个验证循环计数相对应的验证操作
。7.
根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述存储器阵列是三维
NAND
存储器阵列
。8.
一种存储器装置，包括：存储器阵列，包括存储块，其中，每一个所述存储块包括存储子块，并且每一个所述存储子块包括至少一个存储器单元；以及控制电路，耦合到所述存储器阵列，其中，所述控制电路被配置为：当对所述存储块的第一存储块执行多次遍历编程操作时，在所述第一存储块的第一存储子块中的所述存储器单元的非最后一遍编程期间，确定在将所述第一存储块的所述第一存储子块中的所述存储器单元编程到一个或多个第一目标编程状态之后的验证操作的
m
个验证循环计数，其中，
m
是整数；并且当使用与所述第一存储块的所述第一存储子块相同的编程和验证条件将所述第一存储块的第二存储子块中的所述存储器单元编程到所述一个或多个第一目标编程状态达
n
次时，其中，
n
是整数，并且
n
大于1且小于
m
，在所述第一存储块的所述第二存储子块中的所述存储器单元的第
n+1
至第
m
遍编程期间，使用与所述第一存储块的所述第一存储子块相同的编程条件将所述编程电压施加到所述第一存储块的所述第二存储子块中的所述存储器单元
。9.
根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述控制电路被配置为：当使用与所述第一存储块的所述第一存储子块相同的编程和验证条件将所述第一存储块的所述第二存储子块中的所述存储器单元编程到所述一个或多个第一目标编程状态达
n
次时，其中，
n
是整数，并且
n
大于1且小于
m
，在所述第一存储块的所述第二存储子块中的所述存储器单元的第
m+1
遍编程之后，禁止将所述编程电压施加到所述第一存储块的所述第二存储子块中的所述存储器单元
。10.
根据权利要求9所述的存储器装置，其中，通过增加施加到耦合到所述存储器阵列的位线的位线电压来执行禁止将所述编程电压施加到所述第一存储块的所述第二存储子块中的所述存储器单元
。11.
一种用于存储器装置的编程操作方法，其中，所述存储器装置包括存储器阵列，所述存储器阵列包括存储块，每一个所述存储块包括存储子块，并且每一个所述存储子块包括至少一个存储器单元，并且其中，所述编程操作方法包括：当对所述存储块的第一存储块执行多次遍历编程操作时，在所述第一存储块的第一存储子块中的存储器单元的非最后一遍编程期间，确定在将所述第一存储块的所述第一存储子块中的存储器单元编程到一个或多个第一目标编程状态之后的验证操作的验证循环计数；以及当使用与所述第一存储块的所述第一存储子块相同的编程和验证条件将所述第一存储块的第二存储子块中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：董志鹏，梁轲，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：