半导体结构制造技术

本申请提供了一种半导体结构

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
[0001]本申请是申请日为
2021
年9月6日
、
申请号为
202111046538.2、
专利技术名称为“半导体结构”的专利申请的分案申请
。


[0002]本申请涉及半导体领域，更具体的，涉及一种半导体结构
。

技术介绍

[0003]随着半导体技术的不断发展，半导体结构的性能越来越强大，而尺寸缺越来越小
。
为了限制半导体结构在水平方向上的尺寸，半导体厂商设计了各种层叠结构
。
例如通过混合键合
(hybrid bonding)
技术可将两个芯片层叠在一起，并使得两个芯片的触点电连接
。
[0004]参考图1和图2，存储器包括存储芯片1和外围电路芯片2，两个芯片
1/2
可通过混合键合技术叠置
。
外围电路芯片2可以用于与外部器件电连接，继而可实现对存储芯片1进行读取操作等
。
在混合键合架构中，两个芯片
1/2r/>贴合的界面的外本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体结构，其特征在于，包括：第一芯片，所述第一芯片包括第一绝缘层和第一触点，所述第一触点位于所述第一绝缘层中；第二芯片，所述第二芯片包括第二绝缘层和第二触点，所述第二触点位于所述第二绝缘层中；第一隔离结构，位于所述第一芯片中，沿第一方向延伸，并沿第二方向位于所述第一触点的一侧；第二隔离结构，位于所述第二芯片中，沿所述第一方向延伸，并沿所述第二方向位于所述第二触点的一侧，所述第一方向与所述第二方向相交；其中所述第一芯片与所述第二芯片面对面设置，所述第一触点与所述第二触点键合，所述第一隔离结构与所述第二隔离结构键合
。2.
根据权利要求1所述的半导体结构，其中：所述第一隔离结构或所述第二隔离结构沿所述第二方向的尺寸在
0.2
μ
m
至
0.5
μ
m
之间
。3.
根据权利要求1所述的半导体结构，其中：所述第一隔离结构沿所述第二方向的尺寸与所述第一触点沿所述第二方向的尺寸相同
。4.
根据权利要求1所述的半导体结构，其中：所述第二隔离结构沿所述第二方向的尺寸与所述第二触点沿所述第二方向的尺寸相同
。5.
根据权利要求1所述的半导体结构，其中：所述第一隔离结构与所述第一触点沿所述第二方向的距离大于相邻两个所述第一触点之间的距离；所述第二隔离结构与所述第二触点沿所述第二方向的距离大于相邻两个所述第二触点之间的距离
。6.
根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述第一触点
、
所述第二触点
、
所述第一隔离结构以及所述第二隔离结构均包括铜
。7.
根据权利要求1至6中任一项所述的半导体结构，其中：所述第一芯片包括第三触点，所述第三触点沿所述第二方向位于所述第一隔离结构远离所述第一触点的一侧；所述第二芯片包括第四触点，所述第四触点沿所述第二方向位于所述第二隔离结构远离所述第二触点的一侧；其中，所述第三触点和所述第四触点键合
。8.
根据权利要求7所述的半导体结构，其中：所述第一芯片包括第一衬底；所述第二芯片包括第二衬底；其中所述第一衬底通过所述第一触点及所述第二触点与所述第二衬底连接
。9.
根据权利要求7所述的半导体结构，其中：所述第一触点和所述第二触点包括垂直互连通道；所述第三触点和所述第四触点包括虚拟垂直互连通道
。
10.
根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一芯片和所述第二芯片的类型不同
。11.
根据权利要求
10
所述的半导体结构，其中，所述第一芯片包括存储芯片，所述第二芯片包括外围电路芯片
。12.
根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一隔离结构的尺寸大于所述第二隔离结构的尺寸
。13.
一种半导体结构，其特征在于，包括：第一芯片，所述第一芯片包括第一绝缘层和第一触点，所述第一触点位于所述第一绝缘层中；第二芯片，所述第二芯片包括第二绝缘层和第二触点，所述第二触点位于所述第二绝缘层中；第一隔离结构，位于所述第一芯片中且位于所述第一触点外侧；第...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹朋岸，胡思平，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：