【技术实现步骤摘要】
用于三维存储器的多管芯峰值功率管理
[0001]本申请是申请日为
2020
年8月
26
日
、
专利技术名称为“用于三维存储器的多管芯峰值功率管理”的专利申请
202080001933.6
的分案申请
。
[0002]本公开一般涉及半导体
,并且更具体地,涉及用于存储系统中的峰值功率管理的电路设计和方法
。
技术介绍
[0003]在许多服务器和移动设备中,
NAND
存储系统由于其高存储密度和相对低的访问延迟而被广泛用作主要的非易失性存储设备
。
然而,高密度存储系统
(
例如,三维
(3D)NAND
存储系统
)
的性能通常受到其可以使用的最大功率量的限制
。
当前,由
NAND
存储系统的各种存储器管芯执行的消耗高功率的操作
(
即,峰值功率操作
)
可以通过系统控制器交错
。
仅有限数量的峰值功率操作可以同时执行
。
这种方法会导致系统负载增加
。
可以建立不同存储器管芯之间的通信以协调峰值功率操作
。
然而,这些通信可能依赖于复杂的控制电路,该控制电路需要每个存储器管芯上的多个接触焊盘
。
因此,有必要优化用于峰值功率操作的控制电路,并减少每个存储器管芯上的接触焊盘的数量
。
专 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种存储器管芯上的峰值功率管理电路,包括:第一晶体管,所述第一晶体管与第一电源连接,并在导通时从所述第一电源提供第一电流;第二晶体管,所述第二晶体管与第二电源连接,并在导通时从所述第二电源提供第二电流;其中,所述第二晶体管与所述第一晶体管并联,并均与第一节点
(318)
连接;电阻器,所述电阻器的一端与所述第一节点
(318)
连接;第一接触焊盘,所述第一接触焊盘与所述电阻器的另一端连接;第四晶体管,所述第四晶体管与所述第一接触焊盘连接,并被配置为调节从所述第一接触焊盘流过所述第四晶体管的下拉电流
。2.
根据权利要求1所述的峰值功率管理电路,还包括:放大器,所述放大器具有连接到第二节点
(322)
的输入端子;其中,所述电阻器的另一端和所述第一接触焊盘均连接至所述第二节点
(322)。3.
根据权利要求2所述的峰值功率管理电路,其中,所述放大器是比较器
。4.
根据权利要求1所述的峰值功率管理电路,其中,所述第一晶体管和所述第二晶体管是
p
沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
(MOSFET)。5.
根据权利要求1所述的峰值功率管理电路,其中,所述第四晶体管是
n
沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
(MOSFET)。6.
根据权利要求1所述的峰值功率管理电路,还包括:电流源,所述电流源连接到所述第四晶体管,并被配置为基于流过所述电流源的下拉电流来控制所述存储器管芯上的峰值功率操作器件
。7.
根据权利要求1所述的峰值功率管理电路,还包括:第三晶体管,所述第三晶体管分别与所述电阻器的另一端和所述第一接触焊盘连接
。8.
根据权利要求7所述的峰值功率管理电路,其中,所述第三晶体管被配置为当第一晶体管导通时,将所述接触焊盘的电位钳位至预设电位
。9.
根据权利要求7所述的峰值功率管理电路,其中,所述第三晶体管是
n
沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
(MOSFET)。10.
根据权利要求1所述的峰值功率管理电路,其中,所述第一接触焊盘连接到不同存储器管芯上的第二接触焊盘
。11.
根据权利要求
10
所述的峰值功率管理电路,其中,所述第一接触焊盘通过管芯到管芯连接而连接到所述不同存储器管芯上的所述第二接触焊盘
。12.
根据权利要求
11
所述的峰值功率管理电路,其中,所述第一接触焊盘通过引线键合连接到所述不同存储器管芯上的所述第二接触焊盘,所述管芯到管芯连接包括金属引线
。13.
根据权利要求
11
所述的峰值功率管理电路,其中,所述第一接触焊盘通过倒装芯片键合或管芯到管芯键合而连接到所述不同存储器管芯上的所述第二接触焊盘,所述管芯到管芯连接包括金属或导电材料
。14.
根据权利要求1所述的峰值功率管理电路,其中,所述电阻器被配置为提供流过所述电阻器的总电流的测量,所述总电流是所述第一电流和所述第二电流的总和
。15.
根据权利要求1所述的峰值功率管理电路,其中,所述第二晶体管保持导通
。16.
根据权利要求1所述的峰值功率管理电路,其中,所述第一电流大于所述第二电流
。
17.
一种存储系统,包括:控制器;和一个或多个存储器芯片,与所述控制器连接,每个所述存储器芯片包括一个或多个存储器管芯,其中,所述一个或多个存储器管芯中的至少一个具有峰值功率管理电路,所述峰值功率管理电路包括:第一晶体管,所述第一晶体管与第一电源连接,并在导通时从所述第一电源提供第一电流;第二晶体管,所述第二晶体管与第二电源连接,并在导通时从所述第二电源提供第二电流;其中,所述第二晶体管与所述第一晶体管并联,并均与第一节点
(318)
连接;电阻器,所述电阻器的一端与所述第一节点
(318)
连接;接触焊盘,所述第一接触焊盘与所述电阻器的另一端连接;和第四晶体管,所述第四晶体管与所述第一接触焊盘连接,并被配置为调节从所述第一接触焊盘流过所述第四晶体管的下拉电流
。18.
根据权利要求
17
所述的存储系统,其中,所述一个或多个存储器管芯中的多个分别具有所述峰值功率管理电路,一个存储器管芯上的所述峰值功率管理电路的接触焊盘与不同的另一个存储器管芯上的峰值功率管理电路的接触焊盘连接
。19.
根据权利要求
17
所述的存储系统,其中,所述一个或多个存储器管芯中的每一个具有所述峰值功率管理电路,各个所述峰值功率管理电路的接触焊盘两两连接,各个所述峰值功率管理电路的接触焊盘构成串联结构
。20.
根据权利要求
18
或
19
所述的存储系统,其中,一个所述存储器管芯上的所述峰值功率管理电路的接触焊盘通过管芯到管芯连接而连接到不同的另一个所述存储器管芯上的峰值功率管理电路的接触焊盘
。21.
根据权利要求
20
所述的存储系统,其中,一个所述存储器管芯上的所述峰值功率管理电路的接触焊盘通过引线键合而连接到不同的另一个所述存储器管芯上的峰值功率管理电路的接触焊盘,所述管芯到管芯连接包括金属引线
。22.
根据权利要求
20
所述的存储系统,其中,一个所述存储器管芯上的所述峰值功率管理电路的接触焊盘通过倒装芯片键合或管芯到管芯键合而连接到不同的另一个所述存储器管芯上的峰值功率管理电路的接触焊盘,所述管芯到管芯连接包括金属或导电材料
。23.
根据权利要求
17
所述的存储系统,其中,所述峰值功率管理电路还包括:放大器,所述放大器具有连接到第二节点
(322)
的输入端子;其中,所述电阻器的另一端和所述第一接触焊盘均连接至所述第二节点
(322)。24.
根据权利要求
23
所述的存储系统,其中,所述放大器是比较器
。25.
根据权利要求
17
所述的存储系统,其中,所述第一晶体管和所述第二晶体管是...
【专利技术属性】
技术研发人员:汤强,J,
申请(专利权)人:长江存储科技有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。